Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Nikiforov, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Influence of Cu, Ga and Au Dopants and Technology Conditions on the Magnetic Interactions in $HgCr_2Se_4$ Single Crystals
Autorzy:
Krok-Kowalski, J.
Władarz, G.
Groń, T.
Duda, H.
Pacyna, A.
Nikiforov, K.
Rduch, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493008.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Kz
75.30.Et
Opis:
For single crystals $HgCr_2Se_4$ doped by nonmagnetic $Cu^{+},$ $Au^{2+}$ and $Ga^{3+}$ ions and single crystals of $HgCr_2Se_4$ matrix growing in different synthesis conditions both the dc and ac magnetic susceptibility as well as the magnetization have been measured. As it follows from the analysis of the obtained results, paradoxically, the dopants strengthen the long range magnetic interactions of the ferromagnetically ordered single crystals under study, evidenced by the higher values of the ordering temperature in comparison with those ones for pure matrix. An influence of the technological processes connected with deficiency and/or excess of Hg on the long range magnetic interactions was not observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 970-972
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransport Characterization of HgCdTe Solid Solutions Structural Quality
Autorzy:
Berchenko, N. N.
Kurbanov, K. R.
Nikiforov, A. Yu.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933722.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
Opis:
It has been demonstrated that variable-magnetic-field Hall measurements for n-Hg$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Te samples in the extrinsic and intrinsic conductivity regions permit to identify and to evaluate semiqualitatively electrical activity of extended defects in this material.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 679-682
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Absorption Studies of Ge Layers Buried in Silicon Crystal
Autorzy:
Demchenko, I. N.
Ławniczak-Jabłońska, K.
Zhuravlev, K. S.
Piskorska, E.
Nikiforov, A. I.
Welter, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030656.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
78.70.Dm
81.05.Gc
Opis:
Polarization-dependent X-ray absorption spectroscopy was used to study the local microstructure of Ge layers buried in silicon. The layers with thickness from 6 to 20 monolayers of Ge were grown by molecular beam epitaxy on Si substrate and were covered by Si (20 nm). To investigate the morphology of grown structures, X-ray absorption near edge structure and extended X-ray absorption fine structure analysis of the Ge K-edge was done. The performed qualitative analysis proves that X-ray absorption spectra are very sensitive to the local order in the formed structures and are sources of unique information about morphology of the buried Ge layers. Using these techniques we were able to observe the changes in atomic order around the Ge atoms in investigated buried layers and compare the formed atomic order with that in crystalline Ge. A substantial increase in intensity, broadening and chemical shift of the X-ray absorption near edge structure spectrum for 8 ML were observed. It can be related to the increase in density of electron states caused by increase in the localization of the states due to potential appearing at the Ge island boundaries and indicated the formation of quantum dots. The observed in-plane modulations of radial distribution and out-of-plane for different layers were discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 709-717
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies