Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Nakamura, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Pressure Effect on Yb-Based Strongly Correlated Electron Systems
Autorzy:
Mito, T.
Otani, M.
Nakamura, M.
Koyama, T.
Wada, S.
Kotegawa, H.
Kobayashi, T.
Idzikowski, B.
Reiffers, M.
Sarrao, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1810284.pdf
Data publikacji:
2009-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.27.+a
75.30.Kz
75.30.Mb
76.60.-k
Opis:
We studied pressure effects on $YbCu_5$ and $YbInCu_4$, good examples of the Yb-based compounds to investigate the nonmagnetic-magnetic transition in Yb-based strongly correlated electron systems. With increasing pressure, the low-temperature Fermi liquid state of $YbCu_5$ is gradually suppressed, suggesting the second-order like nonmagnetic-magnetic transition around the pressure of 5-6 GPa. On the other hand, in $YbInCu_4$ which has a pressure-induced magnetic ordered ground state above $P_C$=2.45 GPa, both high-temperature paramagnetic and low-temperature intermediate valence phases are insensitive to pressure. Our results confirm the first-order nature of the transition between the intermediate valence and magnetic ordered phases with pressure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 1; 47-52
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Micro-Raman Study of $BiFeO_3$ Thin Films Fabricated by Chemical Solution Deposition Using Different Bi/Fe Ratio Precursors
Autorzy:
Nakamura, T.
Fukumura, H.
Hasuike, N.
Harima, H.
Nakamura, Y.
Kisoda, K.
Nakashima, S.
Okuyama, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807821.pdf
Data publikacji:
2009-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
63.20.D-
78.30.-j
Opis:
$BiFeO_3$ thin films were grown by chemical solution deposition using precursors with different elemental ratios, Bi/Fe = 1.1/1.0, 1.0/1.0 and 1.0/1.1. All the samples consisted of two easily distinguishable components of crystalline and amorphous phases. We have found that the electric properties of $BiFeO_3$ thin films are closely connected to the crystallinity of the films.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 1; 72-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies