Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grodzicka, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Magnetic Properties of EuS/PbS Semiconducting Structures
    Autorzy:
    Stachow-Wójcik, A.
    Twardowski, A.
    Story, T.
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Sipatow, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968421.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    Opis:
    We report results of magnetization study of EuS/PbS superstructures with different thicknesses of magnetic and nonmagnetic layers. Reduction of ferromagnetic phase transition temperature was found with decreasing EuS thickness. Reasonable description of this effect is obtained within the model based on the mean field approximation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 985-988
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Correlation between Magnetic and Electronic Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te
    Autorzy:
    Łusakowski, A.
    Górska, M.
    Arciszewska, A.
    Grodzicka, E.
    Gołacki, Z.
    Story, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1931955.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Magnetic susceptibility, electron paramagnetic resonance and transport properties of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te with 0.04 < x < 0.07 and hole concentrations in the range from 0.7 × 10$\text{}^{20}$ to 16 × 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ were investigated. After annealing of the Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te samples with x < 0.05 in Sn vapor their hole concentration decreased from 5 × 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ to about 3 × 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ and their paramagnetic Curie temperature increased a few times. In samples with x > 0.05 no significant change in the magnetic properties was observed after annealing, even at lower hole concentrations. The results can be explained by assuming that an indirect exchange interaction, 4f-5d-band electrons, is responsible for the coupling among Gd ions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 197-200
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetotransport Study of MBE grown Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se Epilayers
    Autorzy:
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Story, T.
    Lambrecht, A.
    Bottner, H.
    Tacke, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950743.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Le
    73.50.Jt
    Opis:
    Hall effect and electron conductivity investigations of MBE grown epilayers of Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.06) as a function of temperature and magnetic field are reported. The strong Hall coefficient dependence on the magnetic field was found for p-type samples grown with Se excess. The possible origins of this effect are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 759-762
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Indium Doping of CdTe Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Karczewski, G.
    Zakrzewski, A.
    Kutrowski, M.
    Jaroszyński, J.
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Janik, E.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Barcz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1932089.pdf
    Data publikacji:
    1995-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    73.61.Ga
    Opis:
    We report on n-type indium doping of CdTe films grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates. By adjusting the flux of In atoms we can precisely control the carrier concentration over three orders of magnitude - from 8 × 10$\text{}^{14}$ up to 1.3 × 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. In agreement with earlier reports we confirmed that Cd overpressure plays an important role in the doping process. The doping appears to be most effective for Cd/Te pressure ratio of 1.5. For this value of Cd/Te pressure ratio essentially 100% efficiency of doping is achieved at low In concentrations (< 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$). At higher In concentrations acceptor impurities compensate shallow donors limiting the concentration of free carriers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 241-244
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te (0.002 ≤ x ≤ 0.09)
    Autorzy:
    Story, T.
    Arciszewska, M.
    Dobrowolski, W.
    Gołacki, Z.
    Górska, M.
    Grodzicka, E.
    Łusakowski, A.
    Dynowska, E.
    Witkowska, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952098.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Magnetic, transport and structural properties of bulk crystals of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te with Gd content 0.002 < x < 0.09 and varying carrier concentrations obtained by an isothermal annealing were studied in the temperature range T = 1.5 - 80 K. We found the effect of resonant increase in antiferromagnetic spin-spin exchange interactions in the crystals with 0.025 ≤ x ≤ 0.05. No effect was found in crystals either with higher (x > 0.05) or with lower (x < 0.025) Gd concentration. The observed Gd composition dependence of the magnetic and transport properties of SnGdTe can be explained in a proposed model relating these experimental properties to the Gd composition induced shift of the position of Gd$\text{}^{3+}\text{}^{/}\text{}^{2+}$ level with respect to the top of the valence band of SnGdTe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 935-938
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cr 3d Surface and Bulk States in Sn$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te/Cr Crystals
    Autorzy:
    Guziewicz, E.
    Szamota-Sadowska, K.
    Kowalski, B. J.
    Grodzicka, E.
    Story, T.
    Orłowski, B. A.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1963380.pdf
    Data publikacji:
    1997-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.Fx
    79.60.-i
    Opis:
    We report a new approach to investigate metal-semiconductor interface formation. Photoemission spectroscopy was applied in order to investigate the clean surface of a Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te crystal and to observe its changes under sequential deposition of small amounts of Cr atoms. In order to analyse the Cr 3d contribution to the valence band, the Fano-type resonance tuned to the Cr 3p-3d transition was used. The experiment was designed to follow the Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te/Cr interface formation process. At the clean Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$Te surface, the Cr 3d states contribution to the valence band was found to be positioned 0.8 eV below the Fermi level. After the Cr deposition processes the contribution shifted to a higher binding energy and another contribution 5.8 eV below the Fermi level was also observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 783-787
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport and Magnetic Study of Gd Ions in Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te
    Autorzy:
    Story, T.
    Arciszewska, M.
    Łazarczyk, P.
    Łusakowski, A.
    Górska, M.
    Dobrowolski, W.
    Witkowska, B.
    Grodzicka, E.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968424.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Electric conductivity, Hall effect and magnetic susceptibility of Pb$\text{}_{1-x-y}$ Sn$\text{}_{y}$Gd$\text{}_{x}$Te mixed crystals with 0.13 ≤ y ≤ 0.93 and 0.001 ≤ x ≤ 0.04 were experimentally studied over the temperature range 4K ≤ T ≤ 300 K. The incorporation of Gd ions into the Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te matrix results in semi-metallic n-type conductivity of the crystals with y < 0.6. For crystals with y > 0.6 one observes only semi-metallic p-type conductivity. We present a model explaining these results in terms of the Sn composition dependence of the location of Gd$\text{}^{2+}\text{}^{/}\text{}^{3+}$ level with respect to the band edges of PbSnGdTe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 997-1000
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies