Autor: Bożek, B. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers
Autorzy:: Marszałek, B.
Zielińska-Rohozińska, E.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Witowski, A. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968371.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.20.-b
78.20.-e
78.30.-j
Opis:: The experimental room-temperature transmission of metalorganic vapour phase epitaxy grown InAsSb epilayers is compared with calculations based on a Kane model of the band structure. The band structure parameters are found. The composition of the samples was determined by X-ray diffraction.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 919-922
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Spatially Resolved Micro-Luminescence from GaN/AlGaN Quantum Dots
Autorzy:: Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Pakuła, K.
Kossacki, P.
Golnik, A.
Baranowski, J. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2038084.pdf
Data publikacji:: 2004-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.66.Fd
78.67.Hc
75.75.+a
68.65.Hb
Opis:: We report on the optical experiments performed on low density GaN/AlGaN quantum dots grown on sapphire substrate using SiN during the growth process. The existence of quantum dots in the investigated structures was confirmed by atomic force microscopy. Although macro-luminescence of the investigated structures consist of broad emission lines the micro-photoluminescence experiments performed with the spatial resolution of 0.25 μm revealed sharp emission lines from the individual quantum dot in the energy range of 3.20-3.55 eV. It is shown that the magnetic fields up to 7 T do not influence significantly the electronic states of the dots.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 517-521
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
Autorzy:: Chwalisz, B.
Wysmołek, A.
Bożek, R.
Korona, K. P.
Stępniewski, R.
Knap, W.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Grandjean, N.
Massies, J.
Prystawko, P.
Grzegory, I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Opis:: Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja