Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Świątek, K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 21
Tytuł:
Ionization Energies of RE Ions in wide Bandgap Sulphides
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewskl, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879958.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.55.Et
Opis:
An analysis of rare earth (RE) energy level positions in wide bandgap sulphides is presented. It is shown that the Jörgensen's refined spin-pairing energy theory (RESPET) predicts correctly the photo-ionization (PI) energy of Sm in ZnS.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 247-250
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes in ZnSe:Eu
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890962.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Kg
78.50.Ge
Opis:
The photo-ESR and photoluminescence experiments have been performed on high-resistivity ZnSe:Eu crystals. We report the first evidence that the energy level of Eu$\text{}^{2+}$ ground state is located within the ZnSe forbidden gap, approximately 2.1 eV below the bottom of the conduction band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 381-384
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Properties of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As$\text{}_{y}$Sb$\text{}_{1-y}$ Epitaxial Layers
Autorzy:
Świątek, K.
Piskorski, M.
Piotrowski, T. T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952715.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.66.Fd
Opis:
Photoluminescence spectra of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As$\text{}_{y}$Sb$\text{}_{1-y}$ layers (x = 0.2-0.5, y = 0.02-0.03) grown by liquid-phase epitaxy on GaSb substrates were studied in a wide temperature range (14-295 K). The temperature changes of energy and intensity of the layer and substrate emission were measured. Linear part of the temperature-induced energy shift of the Al$\text{}_{0.20}$Ga$\text{}_{0.80}$As$\text{}_{0.02}$Sb$\text{}_{0.98}$ band-to-band emission exhibits a slope of -0.3 meV/K and -0.45 meV/K at temperatures 150 K and 295 K, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1100-1102
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Recombination Processes for Deep Impurity States Degenerate with the Conduction Band
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Kaliński, Z.
Przybylińska, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879955.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.50.-w
76.30.Kg
78.55.Hx
Opis:
We report on the studies of autoionization efficiency and the relevant recombination mechanism for Eu$\text{}^{2+}$ in Ca$\text{}_{x}$Cd$\text{}_{1-x}$F$\text{}_{2}$ depending on the energy level position of Eu$\text{}^{2+}$ excited states in respect to the conduction band states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 243-246
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
SrS:Eu and CaS:Eu Thin Films: Influence of Host Lattice on Kinetics of Europium Emission
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Niinistö, L.
Leskelä, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923720.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Kg
78.55.Et
Opis:
In this paper we report the studies of photoluminescent properties of CaS:Eu and SrS:Eu thin films containing up to 3 mole % of Eu, grown by the atomic layer epitaxy method. The energy transfer and direct intrashell excitation channels of Eu ions are examined in function of temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the Nature of Eu-Related Emissions in ZnS and CaS
Autorzy:
Świątek, K.
Godlewski, M.
Niinistö, L.
Leskelä, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879960.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
71.35.+z
78.55.Et
Opis:
The Eu-connected recombination processes in ZnS and CaS are analyzed on the basis of optical studies. A new Eu-related emission in ZnS is attributed to the recombination of an exciton bound at the Eu$\text{}^{2+}$ center, while in CaS the emission is dominated by the direct Eu$\text{}^{2+}$ intra-ion transition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 255-257
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spatial Correlation of Impurity Charges Induced by Coulomb Interactions - Application to DX Centers in GaAs
Autorzy:
Kossut, J.
Wilamowski, Z.
Dietl, T.
Świątek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1877485.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
72.20.Dp
71.55.Eq
Opis:
The electron mobility enhancement observed in heavily doped GaAs under hydrostatic pressure is interpreted in terms of spatial correlation between the donor charges within partially occupied system of impurities induced by strong inter-donor Coulomb interaction. A simple analytic theory is given for both DX$\text{}^{0}$ and DX$\text{}^{-}$ models of the impurity state. The mobility is shown to increase together with pressure in both models. Estimates of the energy of the DX level are strongly perturbed by the inter-donor Coulomb interactions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 49-58
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rare-Earth Excitation Mechanism in Wide Band Gap H-VI Compounds
Autorzy:
Karpińska, K.
Świątek, K.
Godlewski, M.
Niinistö, L.
Leskelä, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929798.pdf
Data publikacji:
1993-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Kg
78.55.Et
Opis:
The excitation mechanism of rare-earth emission in Eu and Ce doped CaS and SrS is studied. It is proposed that the Eu and probably also Ce emission is induced by the photoionization transition of the rare-earth ion, which is followed by the carrier trapping via the excited state of the ion. At increased temperatures the efficiency of excitation is reduced. We explain this effect by the carrier emission from the excited core state of the rare-earth ion to the continuum of the conduction (valence) band states. It is also suggested that the charge transfer state of the rare-earth ion may act as the intermediate state in the carrier trapping.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 5; 959-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MBE Growth and Properties of ZnYbTe Layers
Autorzy:
Sadowski, J.
Szamota-Sadowska, K.
Świątek, K.
Kowalczyk, L.
Abounadi, A.
Rajira, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952684.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
61.14.Hg
Opis:
The MBE grown ZnYbTe layers were characterized by X-ray diffraction, photoluminescence and reflectivity measurements. The MBE growth conditions allowing to obtain monocrystalline ZnYbTe layers were found to be metal-rich (MBE growth with excess of Zn flux). In optical measurements (photoluminescence, reflectivity), both transitions connected with ternary ZnYbTe compound and with Yb$\text{}^{3+}$ ions were detected. The quality of ZnYbTe layers with Yb content of 3% and 1% is inferior to the quality of pure ZnTe MBE layers, which is clearly seen in the results of photoluminescence and reflectivity measurements. In the ZnYbTe layers with 3% Yb, exhibiting monocrystalline character in reflection high-energy electron diffraction and X-ray diffraction measurements, optical transitions characteristic of pure YbTe were detected. In ZnYbTe layers with 1% Yb, no transitions connected with YbTe were observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1060-1064
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Detection of Cyclotron Resonance in Serpentine Superlattice Quantum-Wire Arrays
Autorzy:
Świątek, K.
Weman, H.
Miller, M. S.
Petroff, P. M.
Merz, J. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929679.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
76.40.+b
71.25.Jd
Opis:
We report low-temperature studies of microwave-induced cyclotron resonance of photo-generated carriers in (Al,Ga)As serpentine superlattice quantum-wire arrays. The geometric size of the parabolic-crescent cross-section of the quantum wires was of the order of 100 Å × 50 Å, depending on the angle of the vicinal substrate and the amount of parabolic curvature. Comparing the obtained spectra, we estimate the relative degree of carrier confinement in the ordered AlGaAs structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 583-586
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Cyclotron Resonance Studies of CdMnTe/CdTe Multiquantum Wells and CdMgTe/CdMnTe Superlattices
Autorzy:
Godlewski, M.
Świątek, K.
Harris, C. I.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Waag, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932082.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.47.+ρ
76.70.Hb
68.55.Ln
71.35.+z
Opis:
The results of photoluminescence, time resolved photoluminescence (decay times), optically detected cyclotron and magnetic resonances investigations of CdMnTe/CdTe multiquantum wells and CdMgTe/CdMnTe super-lattices are presented. The role of defects and quantum well width fluctuations in recombination processes of 2D carriers is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 213-216
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Co$\text{}^{2+}$ Ions in ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Co - ESR and Optical Studies
Autorzy:
Świątek, K.
Surkova, T. P.
Sienkiewicz, A.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Giriat, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992580.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
78.55.Et
Opis:
The electron spin resonance of Co$\text{}^{2+}$ ions in ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Co mixed crystals was measured at temperature of 3 K and microwave frequency of 9.47 GHz. Trigonal Co$\text{}_{Zn}^{2+}$-S center in the ZnS$\text{}_{0.001}$Se$\text{}_{0.999}$:Co crystal was identified and parameters of relevant spin Hamiltonian were determined. Influence of alloy disorder in the anion sublattice on the Co$\text{}_{Zn}^{2+}$ ground and first excited states is briefly discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 593-596
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
MBE Growth and Properties of GaMnAs(100) Films
Autorzy:
Sadowski, J.
Domagała, J.
Bąk- Misiuk, J.
Świątek, K.
Kanski, J.
Ilver, L.
Oscarsson, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992165.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
79.60.Bm
71.55.Eq
Opis:
We present here the results of measurements of structural and electronic properties of GaMnAs - a new diluted magnetic semiconductor system. This ternary III-V-Mn compound with the Mn content as high as 7% was obtained for the first time (by means of molecular beam epitaxial growth) by Ohno, Munekata et al. and the studies of its properties are not completed until now. We did the high resolution X-ray diffraction investigations and photoemission measurements of the samples with Mn content varied from about 0.1% up to 5%. The crystalline perfection of the ternary GaMnAs compound is very high - full width at half maximum of GaMnAs (400) Bragg reflections are of order of 50 arcseconds and the layers are fully strained to the GaAs(100) substrate. In photoemission experiments we traced the contribution of Mn 3d states to the band structure of GaMnAs ternary compound.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 509-513
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Short Period InGaMnAs/InGaAs Superlattices
Autorzy:
Sadowski, J.
Mathieu, R.
Svedlindh, P.
Kanski, J.
Karlsteen, M.
Świątek, K.
Domagała, J. Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035614.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.75.+a
75.50.Pp
75.25.+z
Opis:
We have observed a paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition in short period InGaMnAs/InGaAs superlattices. The thicknesses of magnetic InGaMnAs layers in the structures studied was chosen to be 4 or 8 molecular layers (12Å or 24Å). The non-magnetic InGaAs spacer layers are 12Å thick. The composition (In content) in InGaMnAs and InGaAs was chosen in such a way that magnetic layers were: deep potential wells, high potential barriers, or shallow potential wells. For superlattices with 8 monolayer thick InGaMnAs magnetic layers and 4 monolayer thick InGaAs non-magnetic spacers the temperatures of paramagnetic-to-ferromagnetic phase transition do not depend on the band offsets between InGaMnAs and InGaAs adjusted by the In content.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 687-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure, Surface Morphology and Optical Properties of Thin Films of ZnS and CdS Grown by Atomic Layer Epitaxy
Autorzy:
Szczerbakow, A.
Godlewski, M.
Dynowska, E.
Ivanov, V. Yu.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992336.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Jk
68.60.-p
81.15.Gh
Opis:
In this communication we report successful growth of monocrystalline cubic ZnS and monocrystalline and polycrystalline cubic and wurtzite films of CdS by atomic layer epitaxy. Structural and optical properties of these films are analysed. ZnS (and CdS/ZnS) films grown on GaAs substrate are cubic. Atomic layer epitaxy grown films provide several advantages over ZnS and CdS materials grown by other techniques, especially compared to bulk material, which is grown at higher temperatures. First results for ZnS/CdS/ZnS quantum well structures are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 579-582
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 21

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies