Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "LEC" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
    Difficulties in 4 gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction
    Autorzy:
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Hruban, A.
    Strzelecka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192234.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    GaP
    monokrystalizacja
    metoda LEC
    crystal growth
    LEG method
    Opis:
    Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
    Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 9-19
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Primary lymphoepithelial carcinoma of the hypopharynx: an extremely rare non-nasopharyngeal presentation
    Autorzy:
    Rana, Amit Kumar
    Sharma, Rohit
    Sharma, Vinit
    Agrawal, Tanu
    Mehrotra, Ashish
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399280.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Index Copernicus International
    Tematy:
    Epstein-Barr virus
    laryngopharynx lymphoepithelioma
    larynx
    LEC
    pyriform sinus
    Opis:
    Introduction: A 66-year-old male complained of throat discomfort and odynophagia. Laryngeal fiber optic examination was normal but narrow band imaging was suspicious. USG-FNAC from a cervical lymph node was positive for malignant metastatic carcinoma cells. CECT revealed obliteration of the left pyriform fossa till the level of cricoid cartilage, abutting the ala of the thyroid cartilage, arytenoid cartilage and prevertebral muscles. UGIE revealed an ulcerated mass lesion in the left pyriform fossa. Histopathological examination revealed stratified non-keratinized squamous epithelial lined tissue with subepithelial stroma showing large round to polygonal tumour cells. The tumour cells were surrounded by a lymphoid stroma. On immunohistochemistry the tumour cells were positive for pancytokeratin and negative for CD45, chromogranin and synaptophysin. Lymphocytes were positive for CD45. The diagnosis of lymphoepithelial carcinoma was established. The tumour was inoperable and was treated by radiotherapy. Conclusions: Lymphoepithelial carcinoma is the primary entity of the nasopharynx but rarely seen at sites like oropharynx, larynx and hypopharynx. Only around 50 non-nasopharyngeal cases have been reported till date out of which only 10–12 were in the hypopharynx. Radiotherapy is the mainstay of treatment whereas surgery can be considered for a local disease.
    Źródło:
    Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny; 2020, 9, 4; 67-72
    2084-5308
    2300-7338
    Pojawia się w:
    Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
    The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals
    Autorzy:
    Orłowski, W.
    Hruban, A.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192040.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    InAs
    LEC
    B2O3
    własności elektryczne
    electrical properties
    Opis:
    Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.
    The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 15-21
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pierwotny nabłoniak chłonny gardła dolnego: niezwykle rzadka prezentacja pozanosogardłowa
    Autorzy:
    Rana, Amit Kumar
    Sharma, Rohit
    Sharma, Vinit
    Agrawal, Tanu
    Mehrotra, Ashish
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399322.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Index Copernicus International
    Tematy:
    nabłoniak chłonny części krtaniowej gardła
    LEC
    wirus Epsteina-Barr
    zachyłek gruszkowaty
    Opis:
    Wstęp: 66-letni mężczyzna uskarżał się na dyskomfort gardła i ból przy przełykaniu. Wynik badania fiberoskopowego krtani był prawidłowy, natomiast podejrzenia budził obraz uzyskany z użyciem wąskiej wiązki obrazowania. Uzyskano dodatni wynik badania USG-FNAC pod kątem obecności złośliwych, przerzutowych komórek rakowych. W badaniu tomografii komputerowej szyi z kontrastem uwidoczniono zatarcie lewego zachyłka gruszkowatego do poziomu chrząstki pierścieniowatej, stykające się ze skrzydłami chrząstki tarczowatej, chrząstką nalewkowatą i mięśniami przedkręgowymi. W badaniu endoskopowym GOPP ujawniono obecność owrzodzonej masy w lewym zachyłku gruszkowatym. Badanie histopatologiczne wykazało obecność stratyfikowanej, wyścielonej niezrogowaciałym nabłonkiem płaskokomórkowym tkanki z dużymi kolistymi lub wielokątnymi komórkami nowotworowymi widocznymi w zrębie podnabłonkowym. Komórki nowotworowe były otoczone zrębem limfatycznym. W badaniu immunohistochemicznym komórki nowotworowe dały wynik dodatni dla pancytokeratyny i ujemny dla: CD45, chromograniny i synaptofizyny. Limfocyty dały wynik dodatni dla CD45. Postawiono rozpoznanie raka limfonabłonkowego. Ze względu na nieoperacyjność guza w leczeniu, zastosowano radioterapię. Wnioski: Nabłoniak chłonny jest pierwotnym guzem nosogardzieli, lecz rzadko obserwuje się go w miejscach, takich jak: gardło środkowe, krtań i gardło dolne. Do dzisiaj zgłoszono jedynie około 50 przypadków pozanosogardłowych, w tym jedynie 10–12 zlokalizowanych w gardle dolnym. Podstawą leczenia jest radioterapia, choć w przypadkach zmian miejscowych można rozważać operację chirurgiczną.
    Źródło:
    Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny; 2020, 9, 4; 67-72
    2084-5308
    2300-7338
    Pojawia się w:
    Polski Przegląd Otorynolaryngologiczny
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192082.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Opis:
    Standardowa technologia otrzymywania półizolujących monokryształów SI GaAs składa się z 3 etapów tzn. syntezy, monokrystalizacji i obróbki termicznej, która jest niezbędna dla uzyskania rezystywności ρ ≥ 107 Ohmcm i ruchliwości nośników ładunku μ ≥ 5000 cm2/Vs. Synteza i monokrystalizacja są wykonywane w ramach jednego procesu w wysokociśnieniowym urządzeniu Czochralskiego. Standardowa obróbka termiczna jest procesem osobnym polegającym na wygrzewaniu kryształów w zamkniętych ampułach kwarcowych w atmosferze par As. Proces ten jest pracochłonny, wymaga dodatkowych urządzeń oraz zwiększa koszty. Przedmiotem pracy było uproszczenie technologii wytwarzania monokryształów SI GaAs przez obróbkę cieplną zintegrowaną z procesami syntezy i monokrystalizacji. Przeprowadzono zintegrowane procesy monokrystalizacji i wygrzewania otrzymując monokryształy o średnicach 2" i 3" i ciężarze ~ 3 kg. Własności takich kryształów porównano z monokryształami wytwarzanymi w procesach standardowych. Wykazano, że właściwości fizyczne takie jak: rezystywność, ruchliwość i gęstość dyslokacji nie zależą od sposobu prowadzenia procesu (standardowy, zintegrowany) lecz są tylko funkcją temperatury wygrzewania. Proces zintegrowany upraszcza technologię wytwarzania, a jednocześnie obniża poziom stresów termicznych eliminując pękanie kryształów.
    A standard technological process of manufacturing SI GaAs single crystals consists of 3 steps, namely synthesis, crystal growth and thermal annealing, which are necessary to reach high resistivity (ρ ≥ 107 Ohmcm) and high carrier mobility (μ ≥ 5000 cm2/Vs). Usually both synthesis and crystal growth are realized in one process in a high pressure Czochralski puller. The thermal annealing process is carried out in a sealed quartz ampoule under arsenic (As) vapor pressure. This increases the costs of the process due to a need for the equipment and, in addition, is time consuming. The subject matter of this work was the improvement of the SI GaAs technology by integrating the thermal annealing step with synthesis and crystal growth. The integrated manufacturing processes of SI GaAs crystals with 2" and 3" in diameter and ~ 3000 g in weight were performed. Their physical properties were compared with these of the crystals obtained in a standard process. Preliminary results of this work indicate that it is possible to improve the SI GaAs technology and decrease the manufacturing costs. They also prove that thermal stress in the crystals can be decreased, as a result of which cracks will not appear during the mechanical treatment (cutting, lapping).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 38-47
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Mirowska, A.
    Rojek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    arsenek galu
    SI GaAs
    metoda Czochralskiego
    LEC
    orientacja
    gallium arsenide
    Czochralski method
    orientation
    Opis:
    Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
    The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zegar tyka
    The clock is ticking
    Autorzy:
    Madejski, Jerzy
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1987124.pdf
    Data publikacji:
    2021
    Wydawca:
    Uniwersytet Szczeciński. Wydawnictwo Naukowe Uniwersytetu Szczecińskiego
    Tematy:
    autobiography
    chronopoetics
    Stanisław Jerzy Lec
    Aleksander Wat
    clock
    watchmaker
    tick tock
    autobiografia
    chronopoetyka
    zegar
    zegarmistrz
    tik-tak
    Opis:
    Autor krótko uzasadnia koncepcję chronopoetyki. Odwołuje się do aforystyki Leca, do liryki i do prozy autobiograficznej Aleksandra Wata. Chronopoetyka eksponuje zegar jako przedmiot przedstawiony w literaturze oraz jako nośnik problematyki filozoficznej, nowoczesnego przeżywania czasu. Autor w swoich rozpoznaniach koncentruje się zwłaszcza na motywie bicia zegara (tik-tak).
    The author briefly justifies the concept of chronopoetics. He refers to Lec’s aphorism, to Aleksander Wat’s poetry and his autobiographical prose. Chronopoetics exposes the clock as an object presented in literature and as a carrier of philosophical issues, of a modern experience of time. The author’s explorations focus especially on the motif of the clock striking (tick tock).
    Źródło:
    Autobiografia Literatura Kultura Media; 2021, 16; 9-19
    2353-8694
    2719-4361
    Pojawia się w:
    Autobiografia Literatura Kultura Media
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies