Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "CMOS electronics" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Power-saving voltage-to-current conversion with the use of CMOS differential amplifier
    Autorzy:
    Wojtyna, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/398104.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    analog signal processing
    differential amplifier
    CMOS electronics
    low-power analog circuits
    analogowe przetwarzanie sygnałów
    wzmacniacz różnicowy
    CMOS
    obwody niskiego napięcia
    Opis:
    Differential amplifiers are well known as input stage preamplifiers. This is because they exhibit the ability to reduce unwanted common-mode effects considerably. As a consequence, both noise and input signal of the amplifier can have low values. Proper operation of differential amplifiers is possible when implemented in chip form. For typical use of such CMOS amplifiers, input signals are delivered to differential-pair gate-terminals while tail terminal is used to ensure the required bias of the pair. The paper shows that the roles of gates and tail terminal can be changed. In other words, the tail current can be used as input signal while the gate ones as voltages controlling the amplifier gain. This enables to combine the achievable low noise with power efficient operation of the circuit. Necessary conditions for that are discussed in this paper. Suitability of atypically used differential amplifiers for voltage-to-current conversion is explained. Two examples of CMOS circuits implementing power economic conversion of this type are presented.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 3; 96-101
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Upgraded low voltage analog Current-to-Voltage converter with negative feedback
    Autorzy:
    Wojtyna, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397781.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    analog signal processing
    current-to-voltage converters
    feedback theory
    analog CMOS electronics
    analogowe przetwarzanie sygnałów
    przetworniki prądowo-napięciowe
    teoria sprzężenia zwrotnego
    CMOS
    Opis:
    In this paper, an improved version of a current to voltage (C-V) converter is proposed. As compared to the previous version, the number of used transistors has been reduced by 1 and equals 7. The main results of this change are: an improvement of the circuit transfer function linearity, reduction the converter input resistance and decrease of the required supply voltage. Improvements in the considered converter results not only from the reduction of the number of the used transistors but also from the proposed realization of the feedback loop. In this way, it was possibly to get a strong loop gain. As a results, the achieved minimum supply voltage has been reduces from 2V, in case of the previous published converter version, to as low level as 1.2 V, in the case of the newly proposed solution. As for the linearity of the C-V transfer function, apart from its strong loop gain, an important role play also output transistors operating in a small drain to source region (linear region). Working in this region, one obtains a quasi linear voltage to current relationship. The theoretical and simulation results are in a good agreement and are promising.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 80-84
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Projekt układu elektroniki odczytu front-end do pomiaru czasu i energii dla półprzewodnikowych detektorów paskowych
    The design of readout front-end electronics for time and energy measurement for semiconductor strip detectors
    Autorzy:
    Kłeczek, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408444.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    detekcja promieniowania X
    elektronika niskoszumna
    układ CMOS elektroniki odczytu front-end
    pomiar czasu i energii
    X-ray detection application
    low noise electronics
    CMOS readout front-end electronics
    time and energy measurements
    Opis:
    W niniejszym artykule został przedstawiony opis elektroniki front-end do pomiaru czasu interakcji i energii fotonu dedykowanej do odczytu dwustronnych detektorów paskowych, zaimplementowanej w technologii submikronowej UMC 180 nm CMOS. Jednoczesny i dokładny pomiar czasu interakcji oraz energii zdeponowanej w detektorze wymaga zastosowania w torze odczytowym dwóch różnych, równoległych ścieżek przetwarzania sygnału: „szybkiej” i „wolnej”. Parametry zaprojektowanego układu: niskim poziom rozpraszanej mocy P=3,2 mW, niski poziom szumów własnych ENC=586 e- rms (dla „wolnej” ścieżki i Cdet=30 pF), a powierzchnia krzemu zajmowana przez pojedynczy kanał wynosi 50 μm × 1100 μm.
    This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and accurate measurements of time and energy deposited in the detector by a photon requires the use of two different parallel processing paths in the single channel: fast and slow. The designed front-end electronics is characterized by low power dissipation level P=3.2 mW, low noise performance ENC=586 e- rms (for “slow” path and at Cdet=30 pF). The single channel occupies silicon chip area of 50 μm × 1100 μm.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2013, 4; 18-21
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Projekt układu elektroniki front-end do odczytu detektorów pikselowych oparty na strukturze inwertera
    The design of readout front-end electronics for pixel detector based on inverters
    Autorzy:
    Kleczek, R.
    Otfinowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/407992.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    elektronika niskoszumna
    układ CMOS elektroniki odczytu front-end
    low noise electronics
    CMOS front-end readout
    Opis:
    Minimalizacja zajmowanej powierzchni krzemu przy jednoczesnym zachowaniu funkcjonalności układu oraz minimalizacja poziomu rozpraszanej mocy i szumów własnych to wymagania stawiane nowoczesnym systemom odczytowym elektroniki front-end. Prezentujemy elektronikę front-end dedykowaną do odczytu detektorów pikselowych zaimplementowaną w dwóch technologiach submikronowych (180 nm i 130 nm CMJS). Zaprojektowany układ charakteryzuje się niskim poziomem rozpraszanej mocy P = 13 žW, niskimi szumami własnymi ENC = 59e rms oraz zajmuje niewielką powierzchnię krzemu A = 850 žm2.
    Minimization of the silicon occupied area and maintenance both fonctionality and analog parameters of readout front-end electronics at desirable level at same lime are very challenging in the modern pixel applications. We present the design of readout front-end electronics dedicated for pixel detectors based on an inverter amplifier implemented in two submicron technologies (130 nm and 180 nm CMOS). it is characterized by very low power dissipation level P = žW, low noise performance ENC = 59e rms and small occupied chip area A = 850žm2.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2012, 3; 47-50
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A MOSFET only, step-up DC DC micro power converter, for solar energy harvesting applications
    Autorzy:
    Carvalho, C.
    Paulino, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/398057.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    układy CMOS
    elektronika
    energia zbiorów
    układy zarządzania energią
    komórki fotowoltaiczne
    CMOS circuits
    electronics
    energy harvesting
    power management circuits
    PV cells
    Opis:
    In this paper, a step-up micro power converter for solar energy harvesting applications is presented. The circuit is based on a switched-capacitor voltage doubler architecture with MOSFET capacitors, which results in an area approximately eight times smaller than using MiM capacitors for the 0.13 žm CMOS technology. In order to compensate for the loss of efficiency, due to the larger parasitic capacitances, a charge reutilization scheme is employed. The circuit uses a phase controller, designed specifically to work with the series of two PV cells, in order to regulate the output voltage to 1.2 V. Electrical simulations of the circuit, together with an equivalent electrical model of a PV cell, show that the circuit can deliver a power of 536.1 žW to the load, while drawing a power of 799.8 žW from two PV cells stacked in series, corresponding to a maximum efficiency of 67%.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 2; 112-119
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies