Projekt układu elektroniki front-end do odczytu detektorów pikselowych oparty na strukturze inwertera

Minimalizacja zajmowanej powierzchni krzemu przy jednoczesnym zachowaniu funkcjonalności układu oraz minimalizacja poziomu rozpraszanej mocy i szumów własnych to wymagania stawiane nowoczesnym systemom odczytowym elektroniki front-end. Prezentujemy elektronikę front-end dedykowaną do odczytu detektorów pikselowych zaimplementowaną w dwóch technologiach submikronowych (180 nm i 130 nm CMJS). Zaprojektowany układ charakteryzuje się niskim poziomem rozpraszanej mocy P = 13 žW, niskimi szumami własnymi ENC = 59e rms oraz zajmuje niewielką powierzchnię krzemu A = 850 žm2.

Minimization of the silicon occupied area and maintenance both fonctionality and analog parameters of readout front-end electronics at desirable level at same lime are very challenging in the modern pixel applications. We present the design of readout front-end electronics dedicated for pixel detectors based on an inverter amplifier implemented in two submicron technologies (130 nm and 180 nm CMOS). it is characterized by very low power dissipation level P = žW, low noise performance ENC = 59e rms and small occupied chip area A = 850žm2.