Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Laszcz, A" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Fabrication of electrochemical nanoelectrode for sensor application Rusing focused ion beam technology
Autorzy:
Łaszcz, A.
Nogala, W.
Czerwinski, A.
Ratajczak, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778764.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
FIB nanotechnology
nanosensor
electrochemistry
Opis:
The capabilities and applications of the focused ion beam (FIB) technology for detection of an electrochemical signal in nanoscale area are shown. The FIB system, enabling continuous micro- and nanofabrication within only one equipment unit, was used to produce a prototype of electrochemical nanometer-sized electrode for sensor application. Voltammetric study of electrochemically active compound (ferrocenemethanol) revealed the diffusion limiting current (12 pA), corresponding to a disc (planar) nanoelectrode with about 70 nm diameter of contact area. This size is in a good accordance with the designed contact-area (50 nm × 100 nm for width × thickness) of the FIB-produced nanoelectrode. It confi rms that produced nanoelectrode is working properly in liquid solution and may enable correct measurements in nanometer-sized regions.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2014, 16, 3; 40-44
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ohmic contacts for room-temperature AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers (QCL)
Autorzy:
Baranska, A
Szerling, A
Karbownik, P
Hejduk, K
Bugajski, M
Laszcz, A
Golaszewska-Malec, K
Filipowski, W
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/949413.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
ohmic contacts
n-GaAs
CTLM
EDXS
TEM
Opis:
This paper reports on the results of optimization of the ohmic contacts for GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers (QCLs). Technological parameters during the optimization procedure concerned time and temperature of thermal processing as also the ratio of metallic layers thickness. The main goal of this work was to obtain stable ohmic contacts with low resistance and a smooth surface. Circular transmission line method (CTLM) was applied for the electrical characterization of the Ni/AuGe/Ni/Au and AuGe/Ni/Au metallization systems. Transmission electron microscopy (TEM) method was used for the characterization of microstructures. Elements concentration in layers was determined by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDXS). The best results for the specific contacts resistivity, thermal stability and morphology were obtained when the Ni/AuGe/Ni/Au and the AuGe/Ni/Au systems were processed at 440 °C and 400 °C, respectively.
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 5-15
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TEM Characterization of Polysilicon and Silicide Fin Fabrication Processes of FinFETs
Autorzy:
Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Czerwinski, A.
Kątcki, J.
Tang, X.
Reckinger, N.
Yarekha, D.
Larrieu, G.
Dubois, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807511.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.40.-e
68.37.Lp
Opis:
The transmission electron microscopy characterization of various silicon and silicide fin structures intended for application in FinFET devices has been performed. The results showed that transmission electron microscopy is a very useful tool for optimization of manufacturing processes of fin nanostructures in FinFETs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-89-S-91
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
Autorzy:
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Phillipp, F.
Paranthoen, C.
Cheng, X. L.
Fiore, A.
Passaseo, A.
Cingolani, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Sulphur and Potassium Fertilization on Yield and Content of various Forms of Nitrogen in Spring Rape
Wpływ nawożenia siarką i potasem na plonowanie i zawartość różnych form azotu w rzepaku jarym
Autorzy:
Kaczor, A.
Łaszcz-Zakorczmenna, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/389381.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
plonowanie rzepaku
zawartość różnych form azotu
nawożenie siarką i potasem
rape yield
content of various forms of nitrogen
sulphur and potassium fertilization
Opis:
This study analyzed the effect of sulphur and potassium fertilization on yield and on total N, protein N, N-NO3~ and N-NH3 content in spring rape harvested during the bloom period and at full maturity. The study was based on plant material obtained from a pot experiment. The results obtained indicate that fertilization with sulphur and potassium significantly increased the yield of rape harvested during the bloom period and at full maturity. Only the effect of potassium on seed yield was not found to be significant. The highest yields were noted in the objects fertilized with the higher doses of sulphur and potassium. The effectiveness of potassium fertilization depended on the plants' supply of sulphur. Potassium influenced the effectiveness of sulphur fertilization, but to a lesser degree. Supplying the test plant with sulphur and potassium had a beneficial effect on nitrogen metabolism. This was manifested as an increased proportion of protein nitrogen in the total nitrogen and a decrease in mineral forms of this nutrient in the plants fertilized with sulphur and potassium.
W pracy przeanalizowano wpływ nawożenia siarką i potasem na plonowanie i zawartość N og., N białk., N-NO3- i N-NH4+ w rzepaku jarym zbieranym w okresie kwitnienia i pełnej dojrzałości. Podstawę badań stanowił materiał roślinny uzyskany z doświadczenia wazonowego. Uzyskane wyniki wskazują, że nawożenie siarką i potasem istotnie zwiększyło plony rzepaku zbieranego w okresie kwitnienia i pełnej dojrzałości. Brak istotności wystąpił tylko w oddziaływaniu potasu na plon nasion. Najwyższe plony roślin odnotowano w obiektach nawożonych większymi dawkami siarki i potasu. Efektywność nawożenia potasem zależała od zaopatrzenia roślin w siarkę. Potas na efektywność nawożenia siarką wpływał, ale w mniejszym stopniu. Zaopatrzenie rośliny testowej w siarkę i potas korzystnie wpłynęło na przemiany metaboliczne azotu. Ten korzystny wpływ wyraził się zwiększeniem udziału azotu białkowego w azocie ogólnym i zmniejszeniem mineralnych form tego składnika w roślinach nawożonych siarką i potasem.
Źródło:
Ecological Chemistry and Engineering. A; 2010, 17, 6; 615-621
1898-6188
2084-4530
Pojawia się w:
Ecological Chemistry and Engineering. A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies