Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Goldys, E. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-11 z 11
Tytuł:
Morphology and Optical Properties of Laser-Assisted Chemical Vapour Deposited GaN
Autorzy:
Goldys, E. M.
Godlewski, M.
Tansley, T. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969082.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.-a
81.15.Gh
61.16.Ch
78.30.-j
Opis:
Properties of GaN epilayers grown by laser-assisted chemical vapour deposition are discussed. Good crystallinity and surface morphology of the films is demonstrated. Micro-Raman spectra are explained by scattering by small, randomly oriented cubic phase units present in the GaN film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 331-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure, Surface Morphology and Optical Properties of Thin Films of ZnS and CdS Grown by Atomic Layer Epitaxy
Autorzy:
Szczerbakow, A.
Godlewski, M.
Dynowska, E.
Ivanov, V. Yu.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992336.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Jk
68.60.-p
81.15.Gh
Opis:
In this communication we report successful growth of monocrystalline cubic ZnS and monocrystalline and polycrystalline cubic and wurtzite films of CdS by atomic layer epitaxy. Structural and optical properties of these films are analysed. ZnS (and CdS/ZnS) films grown on GaAs substrate are cubic. Atomic layer epitaxy grown films provide several advantages over ZnS and CdS materials grown by other techniques, especially compared to bulk material, which is grown at higher temperatures. First results for ZnS/CdS/ZnS quantum well structures are also discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 579-582
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dynamics of Light Emission in CdMnS Nanoparticles
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Drozdowicz-Tomsia, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043717.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Wx
78.55.Et
78.47.+p
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
Opis:
We demonstrate coexistence of slow and fast components of photoluminescence decay of the Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell emission in nanoparticles of CdMnS. We explain the observed decrease in PL lifetime of the Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition by high efficiency of spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and free carriers. This mechanism is enhanced in nanostructures, but it is also present in bulk samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 681-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Characterization of ZnO Nanoparticles
Autorzy:
Tomaszewska-Grzęda, A.
Łojkowski, W.
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Drozdowicz-Tomsia, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044547.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Wx
68.37.Hk
78.55.Et
78.47.+p
Opis:
In this work we evaluate structural and optical properties of ZnO nanoparticles grown by wet chemistry method. Light emission properties of these nanoparticles are studied with cathodoluminescence and micro-photoluminescence. Even at the room temperature excitonic emission is well resolved, due to high exciton binding energy of ZnO. Decay kinetics of photoluminescence emissions and efficiency of inter-nanoparticles energy migration is evaluated from maps of in-plane variations of photoluminescence decay times measured in microphotoluminescence setup.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 897-902
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Origin of Ultrafast Component of Photoluminescence Decay in Nanostructures Doped with Transition Metal or Rare-Earth Ions
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Ivanov, V. Yu.
Khachapuridze, A.
Świątek, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041630.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Bulk samples, layers, quantum well, and quantum dot structures of II-Mn-VI samples all show coexistence of slow and fast components of Mn$\text{}^{2+}$ photoluminescence decay. Thus, fast photoluminescence decay cannot be related to low dimensionality of a host material. This also means that the model of the so-called quantum confined atom is incorrect. Based on the results of time-resolved photoluminescence and optically detected magnetic resonance investigations we relate the observed lifetime decrease in Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and between Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. The latter mechanism is enhanced in nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 65-74
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spin Dependent Interactions of Free Carriers and Manganese Ions in Nanostructures of Wide Band Gap II-Mn-VI Semiconductors - Mechanism of Lifetime Reduction
Autorzy:
Yatsunenko, S.
Khachapuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khoi, Le Van
Gołacki, Z.
Karczewski, G.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036034.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
Based on the results of optically detected magnetic resonance and time-resolved investigations we relate the observed lifetime shortening of intra-shell Mn$\text{}^{2+}$ emission to spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and spins/magnetic moments of free carriers. We show that this mechanism is active in both bulk and in low dimensional structures, such as quantum wells, quantum dots, and nanostructures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 643-648
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Luminescence and EPR Characterisation of Neutron Transmutation Doped Gallium Phosphide
Autorzy:
Gołdys, E.
Godlewski, M.
Sienkiewicz, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879964.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Hg
78.55.Cr
76.30.Lh
Opis:
The photoluminescence and EPR measurements of neutron irradiated and annealed GaP samples are presented. Both methods confirm the presence of neutral Ge$\text{}_{Ga}$. The EPR spectrum gives also an indication of interstitial Ge.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 259-262
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Neutron Transmutation Doped GaP: Optically Detected Magnetic Resonance Studies
Autorzy:
Heijmink Liesert, B.
Godlewski, M.
Gregorkiewicz, T.
Ammerlaan, C. A. J.
Goldys, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887198.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Hg
76.70.Hb
Opis:
The first direct proof for successful neutron transmutation doping (NTD) of GaP is presented on the basis of optically detected magnetic resonance (ODMR). GaP:S samples grown by the liquid encapsulated Czochralski method were irradiated with thermal neutrons and subsequently annealed at 800°C. In the ODMR experiments the transmuted Ge substitutional on Ga sites was detected. The NTD process was also found to create deep acceptors, the nature of which will be tentatively discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 401-404
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-11 z 11

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies