Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "III-V compounds" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Magnetooptics of III-V Compounds in Many Band Model Approach
    Autorzy:
    Obuchowicz, A.
    Wlasak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886749.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    61.50.Em
    71.55.-i
    Opis:
    III-V semiconducting compounds in the presence of a magnetic field are considered. The 14 x 14 effective hamiltonian in the frame of 5-level model is obtained. Directional dependence of selection rules are obtained. Shallow donor levels in the frame of spherical 3-level model are also considered. New trial functions suitable for a whole range of magnetic field are proposed. It is found that the energy as well as the variational function of each magnetodonor level is a continuous function of the magnetic field.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 329-332
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Implantation of Rare-Earth Atoms into Si and III-V Compounds
    Autorzy:
    Kozanecki, A.
    Langer, J. M.
    Peaker, A. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924312.pdf
    Data publikacji:
    1993-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Jh
    78.55.-m
    Opis:
    Most recent results on doping of Si and semiconductors by the implantation of rare-earth atoms are reviewed. It is shown that up to the concentration of about 1018 cm' clustering and precipitation can be avoided. Post-implantation annealing leads not only to a decrease in radiation damage, but in some cases also to migration of rare-earth implants. The results of the rare earth lattice location by the Rutherford backscattering measurements are also reported.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 59-70
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    State of the Art Molecular Beam Epitaxy of III-V Compounds
    Autorzy:
    Foxon, C. T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933668.pdf
    Data publikacji:
    1995-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.60.-q
    61.50.Cj
    68.55.Bd
    72.20.-i
    Opis:
    This paper discusses molecular beam epitaxy with particular emphasis on the production of state of the art electronic and optoelectronic low dimensional structures and devices. The molecular beam epitaxy process is outlined briefly and the practical problems associated with producing "state of the art" (Al,Ga)As/GaAs structures are considered. Examples include high mobility electron and hole gases, low threshold current lasers and the multi-quantum well solar cells.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 559-566
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ground Shallow Donor State of III-V Compounds for Arbitrary Magnetic Field
    Autorzy:
    Obuchowicz, A.
    Własak, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1921601.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.20.Ls
    61.50.Em
    71.55.-i
    Opis:
    Theory of shallow donor in III-V semiconductors in the presence of magnetic field is reinvestigated. Considerations are performed within the 3-level Kane model. In order to avoid singularities caused by the Coulomb potential we divide it into short- and long-range components. The latter one is the slowly varying potential and contrary to the Coulomb potential it satisfies all demands for envelope function equation. The short-range part is contributing to a chemical shift. Calculation of energies of two possible spin states of ground donor level are then performed using variational method.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 693-696
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deterministic Periodical and Quasiperiodical Surfaces of III-V Compounds: Preparation, Investigations and Applications
    Autorzy:
    Dmitruk, N. L.
    Mayeva, O. I.
    Yastrubchak, O. B.
    Beketov, G. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969052.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.Bs
    73.40.Ns
    78.30.Fs
    Opis:
    Autocorrelation functions for rough (random, quasiperiodical and deterministicperiodical) surfaces are deduced from the surface profiles determined by using the line-by-line analysis of atomic force microscopy images. It is shown that the initial parts of autocorrelation functions have a Gaussian form. An attempt to use the concept of fractal as a bridge between deterministic periodic and random (spontaneous) surfaces including quasiperiodic ones have been made.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 285-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Semiconductor cleaning technology for next generation material systems
    Autorzy:
    Ruzyllo, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308761.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    III-V compounds
    FinFET
    IC manufacturing
    MEMS
    MOS gate stack
    semiconductor cleaning
    Opis:
    This paper gives a brief overview of the challenges wafer cleaning technology is facing in the light of advanced silicon technology moving in the direction of non-planar device structures and the need for modified cleans for semiconductors other than silicon. In the former case, the key issue is related to cleaning and conditioning of vertical surfaces in next generation CMOS gate structure as well as deep 3D geometries in MEMS devices. In the latter, an accelerated pace at which semiconductors other than silicon are being introduced into the mainstream manufacturing calls for the development of material specific wafer cleaning technologies. Examples of the problems related to each challenge are considered.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 44-48
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetism in Doped Two-Dimensional Honeycomb Structures of III-V Binary Compounds
    Autorzy:
    Zberecki, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1428644.pdf
    Data publikacji:
    2012-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.22.-f
    75.50.Pp
    75.50.Dd
    75.70.Ak
    Opis:
    Using first-principles plane-wave calculations study of magnetic properties of doped two-dimensional honeycomb structures of III-V binary compounds have been conducted for either nonmagnetic dopants or vacancies. Calculations show that all cases where magnetic moment is non-zero, are energetically more favorable. For such cases band structure and density of states were calculated and analyzed in detail. The possible applications of these structures were also discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1240-1241
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Morphological Instability of Substrates of A$\text{}^{III}$B$\text{}^{V}$ Compounds during Heteroepitaxy from Liquid Phase
    Autorzy:
    Olchowik, J.
    Szymczuk, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1872459.pdf
    Data publikacji:
    1995-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.10.Dn
    Opis:
    The morphological instability of the phase boundary often appears during exposure of the multicomponent liquid phase of A$\text{}^{III}$B$\text{}^{V}$ compounds and the binary substrates. The deviation from the thermodynamic equilibrium of the heterosystem at the stage of the "liquid-solid" contact during heteroepitaxy of A$\text{}^{III}$B$\text{}^{V}$ compounds can lead in numerous instances to the so-called catastrophic erosion of the substrates. Catastrophic erosion of the solid phase surface manifests itself in selective etching (reaching considerable depth beneath the surface) or even in complete melting of the substrate during contact with liquid solution. The analysis of the energy balance at the exposure border of initially saturated liquid phase and the particular binary substrate enables to define the driving force of this effect. In the present paper, there are presented the results of analysis of the erosion processes in the Ga-In-P-As/InP system.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 317-320
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) związków półprzewodnikowych typu AIIIBV
    Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds
    Autorzy:
    Pawłowska, J.
    Bańkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192407.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ścięcie bazowe
    trawienie chemiczne AIIIBV
    flats
    chemical etching AIIIBV materials
    Opis:
    W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.
    The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 63-75
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza skojarzonego działania niektórych substancji owadobójczych w mieszaninach dwuskładnikowych. Część III. Mieszaniny węglowodorów chlorowanych ze związkami fosforoorganicznymi
    Analiz soedinennogo dejjstvija nekotorykh insekticidnykh substancijj v smesjakh dvukh komponentov. Chast III. Smesi khlorirovannykh uglevodorodov s fosforoorganicheskimi soedinenijami
    Analysis of the combined action of some insecticides in mixtures of two compounds. Part III. Mixtures of chlorated carbohydrates with phosphoorganic compounds
    Autorzy:
    Goszczynska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/875418.pdf
    Data publikacji:
    1966
    Wydawca:
    Narodowy Instytut Zdrowia Publicznego. Państwowy Zakład Higieny
    Źródło:
    Roczniki Państwowego Zakładu Higieny; 1966, 17, 4
    0035-7715
    Pojawia się w:
    Roczniki Państwowego Zakładu Higieny
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ocena stężeń związków azotu i fosforu w wodach środkowego basenu rzeki Biebrza
    Evaluation of concentrations of nitrogen and phosphorus compounds in the middle basin of Biebrza River
    Autorzy:
    Rauba, M.
    Dembowska, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/401949.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    rzeka Biebrza
    azot azotanowy(III)
    azot azotanowy(V)
    azot amonowy
    fosfor fosforanowy(V)
    użytkowanie gruntu
    Biebrza river
    nitrate nitrogen(III)
    nitrate nitrogen(V)
    ammonium nitrogen
    phosphate phosphate(V)
    land use
    Opis:
    W pracy przedstawiono ocenę jakości wód środkowego basenu rzeki Biebrzy pod względem stężeń azotu azotanowego(V), azotu amonowego, fosforu fosforanowego(V) w odniesieniu do obowiązujących w polskim prawie norm jakości wód powierzchniowych. Pobór wody zostały wykonany w 7 punktach w okresie listopad 2014 roku, oraz od stycznia do czerwca 2015 roku. Basen środkowy rzeki Biebrzy charakteryzuje się dużą zmiennością użytkowania terenu co wpływa na jej jakość. Jak wykazały badania stężenia azotu azotanowego(V) mieściły się w II klasie, zaś stężenia azotu azotanowego(III), azotu amonowego i fosforu fosforanowego(V) przekraczały wartości graniczne klasy II jakości wód.
    The paper presents the assessment of concentrations of nitrogen and phosphorus compounds. The results was compared with surface water Polish norms. Samples of water were taken from 7 sampling points in November 2014 and January – June 2015. The concentrations of nitrate(III) and (V) nitrogen, ammonium nitrogen, phosphate phosphorus(V) were tested in the samples. Research indicates that concentrations of nitrate nitrogen(V) were in class II, while concentrations of nitrate nitrogen(III), ammonium nitrogen and phosphate phosphate(V) exceeded limit values of water quality class II. The results of the analysis show that the forms of land use development near the river is influencing on water quality.
    Źródło:
    Inżynieria Ekologiczna; 2018, 19, 3; 62-68
    2081-139X
    2392-0629
    Pojawia się w:
    Inżynieria Ekologiczna
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microwave-Induced Delocalization of Excitons in Ternary Compounds of II-VI and III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Ivanov, V. Yu.
    Godlewski, M.
    Khachapuridze, A.
    Yatsunenko, S.
    Wojtowicz, T.
    Karczewski, G.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Shamirzaev, T.
    Zhuravlev, K.
    Leonardi, K.
    Hommel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035757.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.Ji
    72.25.Rb
    76.70.Hb
    78.55.Et
    Opis:
    In this work we employ technique of optically detected cyclotron resonance for evaluation of the role of localization processes in CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures. From microwave-induced changes of excitonic emissions we evaluate magnitude of potential fluctuations (Stokes shift), correlate optically detected cyclotron resonance results with the results of time-resolved experiments and discuss nature of recombination processes in the limit of a strong localization.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 559-566
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies