Implantation of Rare-Earth Atoms into Si and III-V Compounds

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Implantation of Rare-Earth Atoms into Si and III-V Compounds
Autorzy:: Kozanecki, A.
Langer, J. M.
Peaker, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924312.pdf
Data publikacji:: 1993-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.80.Jh
78.55.-m
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 83, 1; 59-70
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Most recent results on doping of Si and semiconductors by the implantation of rare-earth atoms are reviewed. It is shown that up to the concentration of about 1018 cm' clustering and precipitation can be avoided. Post-implantation annealing leads not only to a decrease in radiation damage, but in some cases also to migration of rare-earth implants. The results of the rare earth lattice location by the Rutherford backscattering measurements are also reported.

Informacja

Powiązane pozycje