Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yu, Geng-Hua" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Calculations of the Atomic Structure for Fe XVII Lines
Autorzy:
Zhou, Chao
Cao, Jian-Jian
Liang, Liang
Yu, Geng-Hua
Wang, Zhan-Min
He, Hua-Yue
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1398915.pdf
Data publikacji:
2016-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
32.30.Rj
32.70.Cs
34.80.Dp
Opis:
Energy levels, line strengths, oscillator strengths, radiative decay rates and fine structure collision strengths are presented for sixteen-times ionized iron (Fe XVII). The atomic data are calculated with the AUTOSTRUCTURE code, where relativistic corrections are introduced according to the Breit-Pauli distorted wave approach. The calculations of atomic data for 89 fine-structure levels generated from eleven configurations 2s²2p⁶, 2s²2p⁵ (3s, 3p, 3d), 2s²2p⁵ (4s, 4p, 4d, 4f) and 2s¹2p⁶ (3s, 3p, 3d) of the Ne-like Fe ion are presented. Fine structure collision strengths for transitions from the ground and the first four excited levels are presented at four electron energies: 75, 125, 175, and 250 Ry. These atomic structure data are compared with the available experimental and theoretical results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 6; 1109-1117
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterized Microstructure and Electrical Properties of Hydrogenated Nanocrystalline Silicon Films by Raman and Electrical Conductivity Spectra
Autorzy:
Xiao-Yong, Gao
Jian-Tao, Zhao
Yu-Fen, Liu
Qing-Geng, Lin
Yong-Sheng, Chen
Jin-Hua, Gu
Shi-E, Yang
Jing-Xiao, Lu
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808127.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.23.Cq
73.61.-r
Opis:
Microstructure and electrical properties of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) film deposited on glass substrate at low temperature were characterized by average grain size, crystallinity, and dark electrical conductivity data obtained from the Raman and electrical conductivity spectroscopy, respectively. The average grain size, crystallinity and electrical conductivity have a similar change with substrate temperature. A threshold substrate temperature determined by silane concentration appears in their corresponding spectroscopy vs. substrate temperature. The dependence of crystallinity, average grain size and electrical conductivity on substrate temperature were accounted for by surface diffusion model and heterojunction quantum dot model, respectively.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 738-741
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies