Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "doping" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 31-45 z 65
Tytuł:
Rola argininy w organizmie człowieka
The role of the arginine in the human body
Autorzy:
Zdrojewicz, Zygmunt
Winiarski, Jacek
Popowicz, Ewa
Szyca, Marta
Śmieszniak, Bartłomiej
Michalik, Tomasz
Buczko, Klaudia
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1114561.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Collegium Witelona Uczelnia Państwowa
Tematy:
arginina
wątroba
tlenek azotu
doping
arginine
liver
nitric oxide
Opis:
Celem niniejszego opracowania jest przedstawienie roli argininy w organizmie człowieka. Arginina jest aminokwasem względnie egzogennym, co oznacza, że pomimo tego, iż jest produkowana w ludzkim ciele, to dostarczanie jej wraz z pożywieniem jest równie ważne dla zachowania homeostazy organizmu. Główne źródło argininy w diecie stanowią mięso i owoce morza. Aminokwas ten jest syntezowany w czasie cyklu mocznikowego w wątrobie, a także w nerkach. Bierze udział między innymi w wytwarzaniu tlenku azotu, który jest czynnikiem rozszerzającym naczynia. Liczne prace wskazują również na skuteczność suplementacji argininą w zaburzeniach erekcji. Udział argininy w tej reakcji przyczynił się do zainteresowania wielu badaczy. Dowiedziono, że oprócz powszechnie znanego zastosowania argininy jako leku wspomagającego wątrobę w usuwaniu z organizmu amoniaku, odpowiednia suplementacja tego aminokwasu ma pozytywny wpływ na poprawę wartości ciśnienia tętniczego indukowanego ciążą, nadciśnienia płucnego oraz wyrównanie niewydolności nerek, cukrzycy, jaskry, gojenia się ran i profilaktykę udarów mózgu. Uważa się, że stężenie argininy wpływa na rozwój chorób neurodegeneracyjnych postępujących z wiekiem. Aminokwas ten jest też środkiem chętnie stosowanym przez sportowców w celu poprawienia wydolności organizmu. Jednak przeprowadzone do tej pory badania nie potwierdzają jego pozytywnego wpływu w tym zakresie.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej im. Witelona w Legnicy; 2019, 1, 30; 163-171
1896-8333
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Państwowej Wyższej Szkoły Zawodowej im. Witelona w Legnicy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The negative implications of Russia’s doping scandal on the country’s international image
Autorzy:
Kobierecka, Anna
Kobierecki, Michał Marcin
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1041593.pdf
Data publikacji:
2019-12-30
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Tematy:
Russia
doping
sports diplomacy
nation branding
image of a country
Opis:
In December 2014, Russia was accused of developing a state-organized doping system in the second decade of the twenty-first century. The scandal resulted in many Russian athletes being banned from competing in the Olympics in Rio in 2016 and the IOC’s suspension of the Russian National Olympic Committee prior to the 2018 Winter Olympics in PyeongChang. The research presented in this article aims to answer the research question of whether the doping scandal actually affected the international image of Russia. The research was conducted with the use of frame analysis of public discourse. The hypothesis to be tested states that the Russian doping scandal contributed to the intensification of a negative external image of this state.
Źródło:
Eastern Review; 2019, 8; 161-182
1427-9657
2451-2567
Pojawia się w:
Eastern Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Bańkowska, A.
Hruban, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
monokrystalizacja
domieszkowanie
własności elektryczne
crystal growth
doping electrical properties
Opis:
Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
Autorzy:
Jarzyńska, D.
Staryga, E.
Znamirowski, Z.
Fabisiak, K.
Gotszalk, T.
Woszczyna, M.
Strzelecki, W.
Dłużniewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
warstwa diamentowa
domieszkowanie
emisja elektronowa
diamond film
doping
electron emission
Opis:
Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Heat Treatment on the Optical Properties of Cobalt Doped Stannic Oxide
Autorzy:
Hasan, J. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/411548.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
thin films
chemical spray pyrolysis
dilute magnetic semiconductor
stannic oxide
doping
Opis:
This study investigates The effect of annealing on The optical properties of (SnO2:Co) films prepared by spray pyrolysis (SP) technique at a glass substrate temperature (Ts = 773 K). The absorbance and transmittance spectra have been recorded in order to calculate the optical constant and the optical band gap energy of the films. It was found that the annealing affects all the parameters under investigations.
Źródło:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy; 2014, 9; 59-70
2299-3843
Pojawia się w:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multi-technique characterisation of InAs-on-GaAs wafers with circular defect pattern
Autorzy:
Boguski, Jacek
Wróbel, Jarosław
Złotnik, Sebastian
Budner, Bogusław
Liszewska, Malwina
Kubiszyn, Łukasz
Michałowski, Paweł P.
Ciura, Łukasz
Moszczyński, Paweł
Odrzywolski, Sebastian
Jankiewicz, Bartłomiej
Wróbel, Jerzy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204219.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
wafer homogeneity
wafer defect pattern
surface roughness
indium arsenide
beryllium doping
Opis:
The article presents the results of diameter mapping for circular-symmetric disturbance of homogeneity of epitaxially grown InAs (100) layers on GaAs substrates. The set of acceptors (beryllium) doped InAs epilayers was studied in order to evaluate the impact of Be doping on the 2-inch InAs-on-GaAs wafers quality. During the initial identification of size and shape of the circular pattern, non-destructive optical techniques were used, showing a 100% difference in average roughness between the wafer centre and its outer part. On the other hand, no volumetric (bulk) differences are detectable using Raman spectroscopy and highresolution X-ray diffraction. The correlation between Be doping level and circular defect pattern surface area has been found.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144564
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synthesis of Conductive Cocoon Silk Composites
Synteza kompozytów z przewodzącymi kokonami jedwabnymi
Autorzy:
Kaitsuka, Y.
Goto, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/233610.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
Tematy:
electron spin resonance
polyaniline
secondary doping
silk
elektronowy rezonans spinowy
polianilina
jedwab
Opis:
Herein we report on the preparation of polyaniline (PANI) composite using a cocoon by in situ chemical oxidative polymerisation. The composites thus prepared were characterised by scanning electron microscopy (SEM), thermogravimetric analysis (TGA), infrared (IR), and electron spin resonance (ESR) spectroscopy. We confirmed the PANI/cocoon composite and subsequent carbonisation allowed the formation of micro-sized wafer-shaped carbon. The polymerisation reaction occurs in a chiral reaction field of the silk surface, which can be referred to as bio-interface polymerisation.
W artykule opisano przygotowanie polianilinowych (PANI) kompozytów przy zastosowaniu kokonów i przeprowadzeniu in situ chemicznej utleniającej polimeryzacji. Wytworzone kompozyty zostały scharakteryzowane za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM), analizy termograwimetrycznej (TGA), spektrofotometrii w podczerwieni (IR) oraz elektronowego rezonansu spinowego (ESR). Potwierdzono, że otrzymane kompozyty, a następnie ich karbonizacja umożliwiły powstawanie mikroskopijnej wielkości płytek węglowych.
Źródło:
Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2017, 1 (121); 17-23
1230-3666
2300-7354
Pojawia się w:
Fibres & Textiles in Eastern Europe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synthesis, structure and dielectric properties of Bi1-xNdxFeO3
Synteza, struktura i właściwości dieletryczne Bi1-xNdxFeO3
Autorzy:
Dzik, J.
Bernard, H.
Osińska, K.
Lisińska-Czekaj, A.
Czekaj, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352880.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
BiFeO3
ceramika
impedancja
spektroskopia impedancyjna
Nd3+ doping
ceramics
impedance
spectroscopy
Opis:
In the present study Bi1-xNdxFeO3 (x=0.1-0.4) ceramic powders were synthesized by the conventional mixed oxide method. Stoichiometric mixture of the powders was thermally analysed with Netzsch STA-409 system so parameters of the thermal treatment were determined. Morphology of the ceramic material was observed by scanning electron microscopy, whereas the crystalline structure was studied by X-ray diffraction method. It was found that chemical composition of the ceramic samples corresponds well to the initial stoichiometry of the ceramic powders. An increase in neodymium content caused a decrease in the average size of the ceramic grains. Crystalline structure of Bi1-xNdxFeO3 ceramics for x <0.2 was decribed by rhombohedral symmetry whereas for x >0.3 by orthorhombic symmetry. Dielectric properties were studied within a range of frequency v=20Hz - 1MHz at room temperature by impedance spectroscopy. The Kramers-Kronig data validation test was employed in the present impedance data analysis. Impedance data were fitted to the corresponding equivalent circuit using the CNLS fitting method.
W niniejszej pracy przedstawiono rezultaty badań poświęconych wytwarzaniu i charakterystyce właściwości ceramiki Bi1-xNdxFeO3(x=0.1-0.4). W oparciu o analizę termiczną (DTA) i termograwimetryczną (TG/DTG) dobrano warunki obróbki cieplnej stechiometrycznej mieszaniny tlenków wyjściowych (Bi2O3, Fe2O3 i Nd2O3). Morfologie przełamu wytworzonej ceramiki Bi1-xNdxFeO3 obserwowano przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM). Obrazy SEM ceramiki Bi1-xNdxFeO3wykazały, że stężenie neodymu ma znaczący wpływ na rozrost ziarna. Wraz ze wzrostem zawartości neodymu, zmniejsza się wielkość ziarna. Analiza RTG otrzymanej ceramiki Bi1-xNdxFeO3 pozwoliła stwierdzić, że dla x 60,2 układ przyjmuje strukture romboedryczną, natomiast dla x >0,3 strukturę wytworzonego materiału ceramicznego należy opisywać symetrią rombową. Do badania zależności impedancji |Z| i kaąa przesunięcia fazowego w funkcji częstotliwości w zakresie od f = 10 Hz do f = 1 MHz zastosowano sterowany komputerowo miernik impedancji typu QuadTech-1920. Analizę danych eksperymentalnych przeprowadzono metodą CNLS. Dane eksperymentalne otrzymane w wyniku badania ceramiki poddano analizie zgodności danych z wykorzystaniem równan Kramersa-Kroninga.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2011, 56, 4; 1119-1125
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Co Doping on Structural and Optical Properties of NiO Thin Films Prepared By Chemical Spray Pyrolysis Method
Autorzy:
Bakr, N. A.
Salman, S. A.
Shano, A. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/412102.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
NiO thin films
Co Doping
Chemical Spray Pyrolysis
Optical Properties
Structural Properties
Opis:
In this work, nickel-cobalt oxide (Ni(1-x)CoxO) thin films, where x = 0, 4, 6 and 8 % have been successfully deposited on glass substrates by chemical spray pyrolysis (CSP) technique at substrate temperature of (400 °C) and thickness of about 300 nm. The structural and optical properties of these films have been studied using XRD, AFM, and UV-Visible spectroscopy. The XRD results showed that all films are polycrystalline in nature with cubic structure and preferred orientation along (111) plane. The crystallite size was calculated using Scherrer formula and it is found that the undoped NiO sample has maximum crystallite size (51.16 nm). AFM results showed homogenous and smooth thin films. The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the wavelength range of (300-900) nm in order to study the optical properties. The optical energy gap for allowed direct electronic transition was calculated using Tauc equation. It is found that the band gap decreases as the Co-concentration increases and the band gap values were in the range of 3.58-3.66 eV and 3.58 eV for the prepared Nickel-Cobalt Oxide thin films. The Urbach energy increases as the Co-concentration increases and the Urbach. The optical constants including (absorption coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant) were also calculated as a function of photon energy. Refractive index and extinction coefficient for Nickel- Cobalt Oxide thin films were estimated as a function of wavelength.
Źródło:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy; 2015, 41; 15-30
2299-3843
Pojawia się w:
International Letters of Chemistry, Physics and Astronomy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ domieszkowania halogenkami metali alkalicznych na właściwości warstw perowskitowych w ogniwach słonecznych
The impact of alkali metal halide doping on the properties of perovskite layers in solar cells
Autorzy:
Szwanda, Agata
Starowicz, Zbigniew
Janicki, Jarosław
Fryczkowski, Ryszard
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24964490.pdf
Data publikacji:
2023-12
Wydawca:
Uniwersytet Bielsko-Bialski
Tematy:
perowskity
ogniwa słoneczne
halogenki metali
domieszkowanie
perovskite
solar cells
metal halides
doping
Opis:
Perovskite cells are a new generation of solar cells that have gained significant attention in the field of photovoltaics due to their unique properties and potential benefits. Perovskites are a class of materials that have a characteristic crystal structure known as the perovskite structure. The typical chemical formula of perovskite is ABX3, where 'A' and 'B' are cations that differ in size, and 'X' is an anion, most often halogen. Doping with alkali metals in perovskite materials has shown a significant improvement in the efficiency of the solar cell, which is confirmed by numerous scientific studies. The addition of rubidium bromide and other alkali metals, such as lithium, sodium and potassium, affects the microstructure, electronic and optical properties of perovskites, which is crucial for the efficiency and stability of solar cells. The paper presents research results on doping with alkali metals for inorganic perovskite cells based on CsPbBr3. The process of doping with alkali metals was carried out in various stages of creating a Perovskite cell. The work presents the influence of the dopant on the structure of the perovskite and the obtained cell, as well as its optical and electrical properties. The conducted research indicates a positive effect of the addition of rubidium bromide, both in the phase of creating the lead bromide layer and during the application of cesium bromide. The most promising is the admixture of 9% rubidium bromide in the cesium bromide layer. In this way, the applied dopant is located in the perovskite structure, changing its optical and electrical properties.
Źródło:
Polish Journal of Materials and Environmental Engineering; 2023, 6(26); 66-78
2720-1252
Pojawia się w:
Polish Journal of Materials and Environmental Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermoelectric properties of bismuth-doped magnesium silicide obtained by the self-propagating high-temperature synthesis
Autorzy:
Bucholc, Bartosz
Kaszyca, Kamil
Śpiewak, Piotr
Mars, Krzysztof
Kruszewski, Mirosław J.
Ciupiński, Łukasz
Kowiorski, Krystian
Zybała, Rafał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173670.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
thermoelectric materials
magnesium silicide
bismuth doping
SHS
self-propagating high-temperature synthesis
spark plasma sintering
materiały termoelektryczne
krzemek magnezu
doping bizmutem
samorozwijająca się wysokotemperaturowa synteza
iskrowe spiekanie plazmowe
Opis:
Doping is one of the possible ways to significantly increase the thermoelectric properties of many different materials. It has been confirmed that by introducing bismuth atoms into Mg sites in the Mg2Si compound, it is possible to increase career concentration and intensify the effect of phonon scattering, which results in remarkable enhancement in the figure of merit (ZT) value. Magnesium silicide has gained scientists’ attention due to its nontoxicity, low density, and inexpensiveness. This paper reports on our latest attempt to employ ultrafast self-propagating high-temperature synthesis (SHS) followed by the spark plasma sintering (SPS) as a synthesis process of doped Mg2Si. Materials with varied bismuth doping were fabricated and then thoroughly analyzed with the laser flash method (LFA), X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) with an integrated energy-dispersive spectrometer (EDS). For density measurement, the Archimedes method was used. The electrical conductivity was measured using a standard four-probe method. The Seebeck coefficient was calculated from measured Seebeck voltage in the sample subjected to a temperature gradient. The structural analyses showed the Mg2Si phase as dominant and Bi2Mg3 located at grain boundaries. Bismuth doping enhanced ZT for every dopant concentration. ZT = 0.44 and ZT=0.38 were obtained for 3wt% and 2wt% at 770 K, respectively.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2022, 70, 3; art. no. e141007
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ zanieczyszczeń na punkt potrójny rtęci
Autorzy:
Wełna, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1426210.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Główny Urząd Miar
Tematy:
potrójny punkt rtęci
domieszkowanie
projekty badawcze
triple point of mercury
doping
research projects
Opis:
Artykuł jest podsumowaniem czterech miesięcy pracy badawczej w Hiszpańskim Centrum Metrologicznym (CEM). Badania były wykonane w ramach indywidualnego grantu (Researcher Mobility Grant), realizowanego w Europejskim Programie Badań Naukowych w Metrologii, współfinansowanym przez Unię Europejską. Celem tych badań było dostarczenie dodatkowych wyników do wspólnego projektu badawczego JRP SIB10 NOTED (Novel Techniques for Traceable Temperature Dissemination), poprzez wykonanie eksperymentów z domieszkowaniem komórek. Głównym zadaniem było badanie wpływu zanieczyszczeń metalicznych o znanych stężeniach na realizację punktu potrójnego rtęci i potwierdzenie poprawności wyników uzyskanych wcześniej przez CEM. W artykule omówiono przebieg prac, od wykonania komórek punktu potrójnego rtęci, poprzez domieszkowanie znanymi wartościami zanieczyszczeń, do wykonania pomiarów.
The article is a summary of four months of scientific work in Centro Español de Metrología (CEM). Research were realised under an individual grant (Researcher Mobility Grant) performed within European Metrology Research Programme, co-funded by the European Union. The aim of this study was to provide additional results to the joint research project JRP SIB10 NOTED (Novel Techniques for Traceable Temperature Dissemination), by performing experiments with doped cells. The main task was to study the influence of metal impurities with known concentrations on the realization of the triple point of mercury and validation measurements previously performed by CEM. The article discusses the progress of work from the performance of the triple point of mercury cells, doping by impurities with known values and the measurements.
Źródło:
Metrologia i Probiernictwo : biuletyn Głównego Urzędu Miar; 2014, 3 (6); 31-34
2300-8806
Pojawia się w:
Metrologia i Probiernictwo : biuletyn Głównego Urzędu Miar
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot
Electrical properties of nitrogen-enriched silicon single crystals
Autorzy:
Kamiński, P.
Kwestarz, M.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192044.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
wysokorezystywne monokryształy krzemu
FZ
domieszkowanie azotem
high-resistivity silicon single crystals
nitrogen doping
Opis:
W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.
This paper presents the electrical properties of silicon single crystals doped with nitrogen. The incorporation of nitrogen atoms into the Si lattice is described. The mechanism showing the effect of the nitrogen atoms on the annihilation of void type microdefects associated with vacancy aggregates is given. For a high resistivity, nitrogen-enriched silicon single crystal, obtained by the Floating Zone (FZ) method, the radial distributions of both resistivity and nitrogen concentration are shown. The possible effect of nitrogen-oxygen (N - O) complexes on the electrical properties of nitrogen-enriched FZ Si single crystals is discussed.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 4, 4; 31-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The influence of fabrication conditions on the physical properties of PLZT:Nd3+ ceramics
Wpływ warunków otrzymywania na fizyczne właściwości ceramiki PLZT:Nd3+
Autorzy:
Płońska, M.
Pisarski, W.A.
Wodecka-Duś, B.
Czekaj, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/353194.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PLZT
ferroelectric ceramics
luminescence
Nd3+co-doping
ceramika PLZT
ceramika ferroelektryczna
luminescencja
Opis:
The aim of this work was to study the effect of fabrication conditions and neodymium co-doping on the physical properties of (Pb0.98La0.02)(Zr0.65Ti0.35)0.98O3, known as PLZT:Nd3+ ceramics. All ceramic powders of these materials were synthesized by the conventional mixed oxide method, from the high purity raw materials (>99.9%). The bulk ceramic samples were sintered by the pressure less sintering and the hot-uniaxial pressing techniques. The study gives a detailed account of the relationships between doping and preparing conditions on the dielectric and optical properties of obtained ceramic materials. Optimal conditions of PLZT:Nd3+ preparation as well as Nd3+ activator concentration were determined in relation to the potential opto-electronic applications.
Celem niniejszej pracy było zbadanie wpływu warunków wytwarzania i zastosowanej domieszki neodymu na właściwości fizyczne ceramiki (Pb0.98La0.02)(Zr0.65Ti0.35)0.98O3, określanej mianem PLZT:Nd3+. Wszystkie proszki przygotowanych składów syntetyzowano metodą konwencjonalną, z tlenków o wysokiej czystości (>99.9%). Próbki ceramiczne zagęszczano techniką swobodnego spiekania i jednoosiowego prasowania na gorąco. Wykonane badania dały szczegółowy opis zależności między stosowaną domieszką oraz przyjętymi warunkami wytwarzania oraz wpływu na dielektryczne i optyczne właściwości otrzyma- nych materiałów ceramicznych. Optymalne warunki przygotowania PLZT:Nd3+, jak również zastosowane stężenia aktywatora Nd3+ zostały określone w odniesieniu do potencjalnych zastosowań optoelektronicznych.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 4; 1365-1369
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Doping in E-Sports. an Empirical Exploration and Search for Sociological Interpretations
Doping w e-sporcie. Próba eksploracji empirycznej i poszukiwanie interpretacji socjologicznych
Autorzy:
Jasny, Michał
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1041118.pdf
Data publikacji:
2020-12-30
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Tematy:
socjologia sportu
doping
e-sport
gry wideo
sociology of sport
e-sports
video games
Opis:
Electronic sports is a new phenomenon in scientific research. Many issues within it have not been systematically analyzed. The use of artificial substances to improve human physical abilities is most often addressed in the context of deviation in sports. E-sports partially reflects sporting functionality, but in the area of doping and anti-doping control in video game competitions, it is difficult to delineate the boundary between what is allowed and what is forbidden. The aim of this work is to reconstruct the social assessment of doping in e-sports based on the attitudes and experience of fans and players. Most players accept the use of stimulants, such as energy drinks. Some of them also observe the use of prohibited substances during games. E-sports enthusiasts usually support anti-doping controls modeled on traditional sports and emphasize the importance of structural determinants of the issue, such as allowing the use of prohibited means.
Na horyzoncie badań naukowych pojawiło się nowe zjawisko – sport elektroniczny. Wiele zagadnień w jego obrębie wciąż nie doczekało się usystematyzowanej analizy. Problem stosowania sztucznych substancji lub metod w celu poprawy fizycznych możliwości człowieka najczęściej podejmuje się w kontekście dewiacji w sporcie. E-sport częściowo odzwierciedla sportową funkcjonalność, ale w zakresie dopingu i kontroli antydopingowych we współzawodnictwie w grach wideo trudno postawić granicę między tym, co dozwolone, a tym, czego nie wolno robić. Celem prezentowanej pracy jest próba rekonstrukcji społecznej oceny zjawiska dopingu w e-sporcie na podstawie postaw oraz doświadczeń sympatyków i użytkowników gier. Graczy najczęściej charakteryzuje pozytywne nastawienie do stosowania substancji stymulujących, takich jak napoje energetyzujące. Niektórzy z nich w swoim otoczeniu obserwują przypadki stosowania niedozwolonych substancji podczas rozgrywek. Sympatycy e-sportu przeważnie popierają kontrole antydopingowe wzorowane na sporcie tradycyjnym i podkreślają znaczenie strukturalnych determinantów omawianego problemu, takich jak przyzwolenie otoczenia na stosowanie zabronionych środków.
Źródło:
Acta Universitatis Lodziensis. Folia Sociologica; 2020, 75; 85-99
0208-600X
2353-4850
Pojawia się w:
Acta Universitatis Lodziensis. Folia Sociologica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 31-45 z 65

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies