Autor: Paszkiewicz, R - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Podjęliśmy odważne decyzje i konsekwentnie realizujemy nasz plan
We have made some bold decisions and are consistently implementing our plan
Autorzy:: Paszkiewicz, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/363956.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
Tematy:: wywiad
PKP
Polskie Linie Kolejowe
inwestycje
finansowanie
Pendolino
modernizacja
kolej
interview
investments
financing
modernization
rail
Opis:: Rozmowa z Remigiuszem Paszkiewiczem, prezesem zarządu PKP Polskie Linie Kolejowe SA.
PLK are currently managing an investment portfolio worth over PLN 30 billion. With those investments, the passengers will finally notice the changes on the railway. If there are no acts of God (such as floods), we will complete all projects and utilise nearly 100% of allocated subsidies.
Źródło:: Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne; 2013, 6; 12-15
1734-6681
Pojawia się w:: Nowoczesne Budownictwo Inżynieryjne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Proba oceny stopnia degeneracji populacji jelenia szlachetnego
Autorzy:: Paszkiewicz, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/825115.pdf
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:: przegeszczenie populacji
degeneracja
Nadlesnictwo Baligrod
zwierzeta lowne
lowiectwo
poroze
gospodarka lowiecka
populacje zwierzat
jelen europejski
Cervus elaphus
Źródło:: Sylwan; 1993, 137, 10; 57-62
0039-7660
Pojawia się w:: Sylwan
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wykorzystanie naturalnego odnowienia jaworu w przebudowie olszowych i sosnowych drzewostanow w Bieszczadach i Beskidzie Niskim
Autorzy:: Paszkiewicz, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/824114.pdf
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:: Bieszczady
drzewostany sosnowe
Acer pseudoplatanus
Beskid Niski
przebudowa drzewostanow
lesnictwo
odnowienia naturalne
klon jawor
drzewa lesne
drzewostany olszowe
Źródło:: Sylwan; 1995, 139, 08; 119-125
0039-7660
Pojawia się w:: Sylwan
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Postrzeganie żubra w Bieszczadach - lokalna społeczność a edukacja przyrodniczo-leśna
The perception of wisents in the Bieszczady Mountains - ecological education and the local community
Autorzy:: Karas, K.
Paszkiewicz, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/881667.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
Tematy:: ochrona przyrody
gatunki chronione
zubr
Bison bonasus
Bieszczady
spolecznosc lokalna
edukacja przyrodniczo-lesna
Źródło:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2017, 19, 1[50]
1509-1414
Pojawia się w:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Improvement of the electron beam lithography contact pads fabrication process
Autorzy:: Indykiewicz, K.
Paszkiewicz, R.
Paszkiewicz, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/173623.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: electron beam lithography
EBL
exposition of big areas
exposition time optimization
Opis:: In the paper, the verification of using the electron beam lithography technique as a main lithography tool for device fabrication is presented. The results of conducted experiments allow us to minimize the exposition time of big areas and retain acceptable metallic structures resolution and designed distances for structures in the neighborhood of a few micrometers. Conducted statistical analysis allows us to define the significance of the selected factors influence on the objectives of this study.
Źródło:: Optica Applicata; 2016, 46, 2; 249-254
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:: Optica Applicata
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:: Wosko, M
Paszkiewicz, B
Paszkiewicz, R
Tlaczala, M
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/174100.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE
Opis:: AlGaN/GaN heterostructures attract attention of many research groups over the last decade because of their superior properties (high mobility and saturation velocity of 2DEG) and strong capability in high frequency/power electronics and sensors applications. One of the factors which reduces the mobility of two-dimensional electron gas (2DEG) is the alloy and interface roughness scattering mechanism occurring at the heterointerface. Mathematical calculations of a wave-function of 2DEG in the channel show that theses two phenomena play an important role, due to the fact that some electrons in 2DEG can migrate into AlGaN barrier and be strongly dissipated. One of the proposed solutions against alloy scattering in the buffer layer is the use of thin AlN spacer at the heterointerface between AlGaN and GaN layers. AlN layer enhances the conduction band offset due to a polarization-induced dipole in the AlN layer, and therefore increases carrier confinement. Several Al0.18GaN0.82/AlN/GaN heterostructures with different AlN spacer layer thickness were grown by MOVPE method for studies of the Hall mobility and sheet carrier concentration of 2DEG. Hall measurements performed using Van der Pauw shown mobility maximum at nominally 1.3 nm AlN spacer thickness and almost linear dependence of sheet carrier concentration with AlN spacer thickness in the range from 0.7 to 2 nm.
Źródło:: Optica Applicata; 2013, 43, 1; 61-66
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:: Optica Applicata
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: AlGaN/GaN Heterostructure FET - Processing and Parameters Evaluation
Autorzy:: Boratyński, B.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1585274.pdf
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Hd
85.30.De
85.30.Tv
Opis:: AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors were investigated in terms of microwave and sensor applications. Heterostructure layers grown on sapphire substrates were evaluated using impedance spectroscopy measurements. The 2DEG sheet concentration of 8× $10^{12} cm^{-2}$ and mobility of 1600 $cm^{2}$/(Vs) were obtained. The measured I-V characteristics of the heterostructure field effect transistors devices revealed the saturated drain current 180 mA/mm and the gate pinch-off voltage -2.0 V with the transconductance 200 mS/mm. The structures have been characterized in microwave frequency range with the measured cut-off frequency of 6 GHz for 1 μm gate device. Studies of an AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode with a catalytic Pt electrode as a hydrogen gas sensor confirmed high sensitivity of the Schottky barrier on hydrogen adsorption. Differential conductance of the Schottky diode was found to be a convenient parameter to estimate changes of the Schottky barrier height.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 800-805
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: "Szlakiem Podkowca" - liczenie nietoperzy przez turystów, w sposób niezagrażający ich ochronie
"On the Trail of the Horseshoe Bat" – tourists counting the bats without threat to their protection
Autorzy:: Wegiel, J.
Szkudlarek, R.
Wegiel, A.
Paszkiewicz, R.
Bator, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/881398.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
Tematy:: turystyka przyrodnicza
obszary chronione
ochrona przyrody
nietoperze
podkowiec maly
liczenie
kampania turystyczno-promocyjna Szlakiem podkowca
Źródło:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2011, 13, 3[28]
1509-1414
Pojawia się w:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Automatyzacja procesu skanowania na podstawie danych pozyskanych z pomiarów fotogrametrycznych
Automation of the three-dimensional scanning process based on data obtained from the photogrammetric measurement
Autorzy:: Kowalski, M.
Paszkiewicz, R.
Kuczko, W.
Wichniarek, R.
Zawadzki, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/395587.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: skanowanie 3D
automatyzacja
fotogrametria
programowanie robotów
inżynieria odwrotna
3D scanning
automation
photogrammetry
robot programming
reverse engineering
Opis:: W pracy przedstawiona jest ogólna koncepcja automatyzacji procesu skanowania 3d wykorzystującego technologię projekcji światła strukturalnego. Danymi wejściowymi jest reprezentująca badany obiekt chmura punktów, pozyskana w wyniku pomiarów fotogrametrycznych. Uzyskany w ten sposób model jest analizowany przez specjalnie przygotowaną aplikację, w wyniku czego automatycznie wyznaczone zostają poszczególne pozycje robota przemysłowego z zamontowanym skanerem. Praca zawiera wyniki pomiarów fragmentu karoserii samochodu osobowego z wykorzystaniem skanera Atos, systemu fotogrametrycznego Tritop oraz robota przemysłowego Kuka.
Paper presents the general concept of automation of the 3D scanning process based on structured light projection. The input data is a cloud of points representing the test object acquired through photogrammetry measurements. On the basis of these activities basic CAD model is developed and then analyzed by author application. This allows to automatic determination of different positions of the robot with a mounted scanner. The work contains results of measurements of automobile body portion using Atos scanner, Tritop photogrammetric system and Kuka KR30 industrial robot.
Źródło:: Postępy Nauki i Techniki; 2011, 7; 109-119
2080-4075
Pojawia się w:: Postępy Nauki i Techniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Struktura populacji jelenia szlachetnego [Cervus elaphus L.] w Bieszczadach
Autorzy:: Pych, U.
Lukacijewski, G.
Paszkiewicz, R.
Wierzbowska, I.
Wisniowska, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/824468.pdf
Data publikacji:: 1999
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:: Bieszczady
zwierzeta lowne
lowiectwo
struktura populacji
populacje zwierzat
lesnictwo
jelen europejski
Cervus elaphus
Źródło:: Sylwan; 1999, 143, 02; 69-75
0039-7660
Pojawia się w:: Sylwan
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: SbSI Single Nanowires as Humidity Sensors
Autorzy:: Mistewicz, K.
Nowak, M.
Szperlich, P.
Jesionek, M.
Paszkiewicz, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1376060.pdf
Data publikacji:: 2014-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 07.07.Df
92.60.Jq
73.50.Pz
81.07.Gf
Opis:: For the first time influence of humidity on photoconductivity transient characteristics are studied for antimony sulfoiodide (SbSI) single nanowires. While negative photoconductivity is observed for SbSI gel, made up of large quantity of nanowires, only the positive effect occurs for SbSI single nanowires. Photoconductivity current response on switching on and off illumination in moist $N_{2}$ represents so-called hook anomaly.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1113-1114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
Autorzy:: Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1807541.pdf
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk
Opis:: Gallium nitride layers were deposited on AlN and double layer (AlN/AlGaN) buffers grown at various temperatures on $Al_{2}O_{3}$. Stress in layers was evaluated based on the Raman scattering and photoluminescence measurements. The obtained values were less than 1 GPa.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-123-S-125
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Quantum Effects in Electrical Conductivity and Photoconductivity of Single SbSI Nanowire
Autorzy:: Mistewicz, K.
Nowak, M.
Wrzalik, R.
Jesionek, M.
Szperlich, P.
Paszkiewicz, R.
Guiseppi-Elie, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1399097.pdf
Data publikacji:: 2013-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.07.Vb
81.07.Bc
73.63.Bd
Opis:: For the first time current quantization is reported for antimony sulfoiodide (SbSI) nanowires. It has been registered in current responses on electric field switching as well as on illumination on and off. Current steps determined in all experiments have been equal to each other within the experimental error. It has been explained by the quantized change of free carrier concentration in nanowire. Lateral dimensions of SbSI nanowires estimated from quantum steps are comparable with geometrical data reported for the same technology of material preparation.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 827-829
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Projekt ochrony podkowca małego realizowany w ramach V Osi Priorytetowej Programu Operacyjnego Infrastruktura i Środowisko
Protection project of lesser horseshoe bat made under Axis V of the Operational Programme Infrastructure and Environment
Autorzy:: Szkudlarek, R.
Wegiel, J.
Wegiel, A.
Bator, A.
Iwaniuk, L.
Paszkiewicz, R.
Ploskon, L.
Pytel, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/880821.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
Źródło:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2010, 12, 2[25]
1509-1414
Pojawia się w:: Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:: Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Vv
65.70.+y
Opis:: Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Paszkiewicz, R" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Podbaza

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język