Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "transistors" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 15
Tytuł:
The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Autorzy:
Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors
Opis:
In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Sub-Terahertz Emission from Field-Effect Transistors
Autorzy:
Yavorskiy, D.
Karpierz, K.
Kopyt, P.
Grynberg, M.
Łusakowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033125.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
Field-effect transistors
THz emission
Opis:
Several commercially available field-effect GaInAs-based transistors were studied as emitters of electromagnetic radiation. The emitters were tested either at room or at liquid helium temperature. To spectrally analyse emitted radiation, we applied three different experimental techniques: a spectrum analyser with antennas and mixers, a Michelson interferometer and a magnetic-field-tunable InSb detector. We show that the emission consists of a fundamental frequency of 11.5 GHz and its multiple harmonics spanning the emission band up to about 400 GHz. Analysis of the results allows us to suggest that the emission is caused by a Gunn effect and a high harmonics content is related to a pulse-like time dependence of the current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 335-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reliability of deep submicron MOSFETs
Autorzy:
Balestra, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/307658.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
bulk MOSFETs
SOI devices
deep submicron
transistors
reliability
Opis:
In this work, a review of the reliability of n- and p-channel Si and SOI MOSFETs as a function of gate length and temperature is given. The main hot carrier effects and degradation are compared for bulk and SOI devices in a wide range of gate length, down to deep submicron. The worst case aging, defice lifetime and maximum drain bias that can be applied are addressed. The physical mechanisms and the emergence of new phenomena at the origin of the degradation are studied for advanced MOS transistors. The impact of the substrate bias is also outlined.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 12-17
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors
Autorzy:
Rąbkowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141047.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
silicon carbide transistors
gate drivers
current-source
switching process
Opis:
The paper discusses the application of the current-source concept in the gate drivers for silicon carbide transistors. There is a common expectation that all SiC devices will be switched very fast in order to reach very low values of switching energies. This may be achieved with the use of suitable gate drivers and one of possibilities is a solution with the current source. The basic idea is to store energy in magnetic field of a small inductor and then release it to generate the current peak of the gate current. The paper describes principles of the current-source driver as well as various aspects of practical implementation. Then, the switching performance of the driven SiC transistors is illustrated by double-pulse test results of the normally-ON and normally-OFF JFETs. Other issues such as problem of the drain-gate capacitance and power consumption are also discussed on the base of experimental results. All presented results show that the currentsource concept is an interesting option to fast and efficient driving of SiC transistors.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 2; 333-343
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Implementation of Bulk-Driven current differencing transconductance amplifier (BD-CDTA)
Autorzy:
Shaktour, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/376266.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
Bulk-Driven transistors
Low-voltage
Low-power CDTA
PSpice simulation
Opis:
This paper presents a new high performance Bulk-Driven current differencing transconductance amplifier (BD-CDTA), a recently reported active element, especially suitable for analog signal processing applications. The proposed BD-CDTA provides high output impedances at port Z and X, excellent input/output current tracking. The proposed BD-CDTA circuit operates at supply voltages of ± 0.6V. PSPICE simulation results using TSMC 0.18 μm CMOS process model are included to verify the expected values.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 145-151
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of Low Power Low Voltage Bulk Driven Operational Transconductance Amplifier (BD-OTA)
Autorzy:
Shaktour, M. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377604.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
Bulk-driven transistors
low-voltage
low-power OTA
PSpice simulation
Opis:
Operational Transconductance Amplifier (OTA) is one of the most significant building-blocks in integrated continuous-time filters. Here we design Low Power Low Voltage Bulk Driven OTA with a new concept of high-linearity OTA with controllable Transconductance is proposed. The OTA is simulated in a standard TSMC 0.18 mm CMOS process with a 0.6 V supply voltage.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 80; 63-69
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
Autorzy:
Miskiewicz, S.
Komarov, A.
Komarov, F.
Zayats, G.
Soroka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
radiation
numerical simulation
bipolar transistors
lifetime
minority charge carriers
recombination
current gain
Opis:
Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transistor Effect in the Cochlear Amplifier
Autorzy:
Kiełczyński, P.
Szalewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/178149.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cochlear amplifier
acoustoelectric transducers
electromechanical transistor
equivalent circuits
field effect transistors
ion current
Opis:
The paper presents a new electromechanical amplifying device i.e., an electromechanical biological transistor. This device is located in the outer hair cell (OHC), and constitutes a part of the Cochlear amplifier. The physical principle of operation of this new amplifying device is based on the phenomenon of forward mechanoelectrical transduction that occurs in the OHC’s stereocilia. Operation of this device is similar to that of classical electronic Field Effect Transistor (FET). In the considered electromechanical transistor the input signal is a mechanical (acoustic) signal. Whereas the output signal is an electric signal. It has been shown that the proposed electromechanical transistor can play a role of the active electromechanical controlled element that has the ability to amplify the power of input AC signals. The power required to amplify the input signals is extracted from a battery of DC voltage. In the considered electromechanical transistor, that operates in the amplifier circuit, mechanical input signal controls the flow of electric energy in the output circuit, from a battery of DC voltage to the load resistance. Small signal equivalent electrical circuit of the electromechanical transistor is developed. Numerical values of the electrical parameters of the equivalent circuit were evaluated. The range, which covers the levels of input signals (force and velocity) and output signals (voltage, current) was determined. The obtained data are consistent with physiological data. Exemplary numerical values of currents, voltages, forces, vibrational velocities and power gain (for the assumed input power levels below 1 picowatt (〖10〗^(-12) W), were given. This new electromechanical active device (transistor) can be responsible for power amplification in the cochlear amplifier in the inner ear.
Źródło:
Archives of Acoustics; 2014, 39, 1; 117-124
0137-5075
Pojawia się w:
Archives of Acoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FET input voltage amplifier for low frequency noise measurements
Autorzy:
Achtenberg, Krzysztof
Mikołajczyk, Janusz
Bielecki, Zbigniew
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221854.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low noise amplifier
low frequency noise measurements
field effect transistors
FET voltage noise
FET input amplifier
Opis:
The paper presents a low noise voltage FET amplifier for low frequency noise measurements. It was built using two stages of an op amp trans impedance amplifier. To reduce voltage noise, eight-paralleled low noise discrete JFETs were used in the first stage. The designed amplifier was then compared to commercial ones. Its measured value of voltage noise spectral density is around 24 nV/√Hz, 3 nV/√Hz, 0.95 nV/√Hz and 0.6 nV/√Hz at the frequency of 0.1, 1, 10 and 100 Hz, respectively. A -3dB frequency response is from ~20 mHz to ~600 kHz.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 3; 531-540
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:
Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 15

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies