Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "transistors" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-15 z 15
    Tytuł:
    The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
    Autorzy:
    Wojtasiak, W.
    Gryglewski, D.
    Sędek, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    modelling
    MESFETs
    finite difference time domain method
    power transistors
    microwave transistors
    Opis:
    In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Sub-Terahertz Emission from Field-Effect Transistors
    Autorzy:
    Yavorskiy, D.
    Karpierz, K.
    Kopyt, P.
    Grynberg, M.
    Łusakowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033125.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    Field-effect transistors
    THz emission
    Opis:
    Several commercially available field-effect GaInAs-based transistors were studied as emitters of electromagnetic radiation. The emitters were tested either at room or at liquid helium temperature. To spectrally analyse emitted radiation, we applied three different experimental techniques: a spectrum analyser with antennas and mixers, a Michelson interferometer and a magnetic-field-tunable InSb detector. We show that the emission consists of a fundamental frequency of 11.5 GHz and its multiple harmonics spanning the emission band up to about 400 GHz. Analysis of the results allows us to suggest that the emission is caused by a Gunn effect and a high harmonics content is related to a pulse-like time dependence of the current.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 335-337
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reliability of deep submicron MOSFETs
    Autorzy:
    Balestra, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/307658.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    bulk MOSFETs
    SOI devices
    deep submicron
    transistors
    reliability
    Opis:
    In this work, a review of the reliability of n- and p-channel Si and SOI MOSFETs as a function of gate length and temperature is given. The main hot carrier effects and degradation are compared for bulk and SOI devices in a wide range of gate length, down to deep submicron. The worst case aging, defice lifetime and maximum drain bias that can be applied are addressed. The physical mechanisms and the emergence of new phenomena at the origin of the degradation are studied for advanced MOS transistors. The impact of the substrate bias is also outlined.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 12-17
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors
    Autorzy:
    Rąbkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/141047.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    silicon carbide transistors
    gate drivers
    current-source
    switching process
    Opis:
    The paper discusses the application of the current-source concept in the gate drivers for silicon carbide transistors. There is a common expectation that all SiC devices will be switched very fast in order to reach very low values of switching energies. This may be achieved with the use of suitable gate drivers and one of possibilities is a solution with the current source. The basic idea is to store energy in magnetic field of a small inductor and then release it to generate the current peak of the gate current. The paper describes principles of the current-source driver as well as various aspects of practical implementation. Then, the switching performance of the driven SiC transistors is illustrated by double-pulse test results of the normally-ON and normally-OFF JFETs. Other issues such as problem of the drain-gate capacitance and power consumption are also discussed on the base of experimental results. All presented results show that the currentsource concept is an interesting option to fast and efficient driving of SiC transistors.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 2; 333-343
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Implementation of Bulk-Driven current differencing transconductance amplifier (BD-CDTA)
    Autorzy:
    Shaktour, M. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376266.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    Bulk-Driven transistors
    Low-voltage
    Low-power CDTA
    PSpice simulation
    Opis:
    This paper presents a new high performance Bulk-Driven current differencing transconductance amplifier (BD-CDTA), a recently reported active element, especially suitable for analog signal processing applications. The proposed BD-CDTA provides high output impedances at port Z and X, excellent input/output current tracking. The proposed BD-CDTA circuit operates at supply voltages of ± 0.6V. PSPICE simulation results using TSMC 0.18 μm CMOS process model are included to verify the expected values.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 145-151
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Design of Low Power Low Voltage Bulk Driven Operational Transconductance Amplifier (BD-OTA)
    Autorzy:
    Shaktour, M. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377604.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    Bulk-driven transistors
    low-voltage
    low-power OTA
    PSpice simulation
    Opis:
    Operational Transconductance Amplifier (OTA) is one of the most significant building-blocks in integrated continuous-time filters. Here we design Low Power Low Voltage Bulk Driven OTA with a new concept of high-linearity OTA with controllable Transconductance is proposed. The OTA is simulated in a standard TSMC 0.18 mm CMOS process with a 0.6 V supply voltage.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2014, 80; 63-69
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Radiation Degradation of Bipolar Transistor Current Gain
    Autorzy:
    Miskiewicz, S.
    Komarov, A.
    Komarov, F.
    Zayats, G.
    Soroka, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1033766.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    radiation
    numerical simulation
    bipolar transistors
    lifetime
    minority charge carriers
    recombination
    current gain
    Opis:
    Spatial distribution of nonequilibrium minority charge carriers in bipolar transistors before and during the radiation exposure is described. Radiation-induced changes in the input and output characteristics and the current gain under the ⁶⁰Co 1.2 MeV γ -rays were calculated. It was shown that the collector current and current gain steadily fall due to irradiation in the considered range in the dose range 0-7×10⁵ rad. The simulation results correlate well with the experimental data obtained at the Research and Production Corporation "Integral".
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 288-290
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transistor Effect in the Cochlear Amplifier
    Autorzy:
    Kiełczyński, P.
    Szalewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/178149.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    cochlear amplifier
    acoustoelectric transducers
    electromechanical transistor
    equivalent circuits
    field effect transistors
    ion current
    Opis:
    The paper presents a new electromechanical amplifying device i.e., an electromechanical biological transistor. This device is located in the outer hair cell (OHC), and constitutes a part of the Cochlear amplifier. The physical principle of operation of this new amplifying device is based on the phenomenon of forward mechanoelectrical transduction that occurs in the OHC’s stereocilia. Operation of this device is similar to that of classical electronic Field Effect Transistor (FET). In the considered electromechanical transistor the input signal is a mechanical (acoustic) signal. Whereas the output signal is an electric signal. It has been shown that the proposed electromechanical transistor can play a role of the active electromechanical controlled element that has the ability to amplify the power of input AC signals. The power required to amplify the input signals is extracted from a battery of DC voltage. In the considered electromechanical transistor, that operates in the amplifier circuit, mechanical input signal controls the flow of electric energy in the output circuit, from a battery of DC voltage to the load resistance. Small signal equivalent electrical circuit of the electromechanical transistor is developed. Numerical values of the electrical parameters of the equivalent circuit were evaluated. The range, which covers the levels of input signals (force and velocity) and output signals (voltage, current) was determined. The obtained data are consistent with physiological data. Exemplary numerical values of currents, voltages, forces, vibrational velocities and power gain (for the assumed input power levels below 1 picowatt (〖10〗^(-12) W), were given. This new electromechanical active device (transistor) can be responsible for power amplification in the cochlear amplifier in the inner ear.
    Źródło:
    Archives of Acoustics; 2014, 39, 1; 117-124
    0137-5075
    Pojawia się w:
    Archives of Acoustics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    FET input voltage amplifier for low frequency noise measurements
    Autorzy:
    Achtenberg, Krzysztof
    Mikołajczyk, Janusz
    Bielecki, Zbigniew
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221854.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    low noise amplifier
    low frequency noise measurements
    field effect transistors
    FET voltage noise
    FET input amplifier
    Opis:
    The paper presents a low noise voltage FET amplifier for low frequency noise measurements. It was built using two stages of an op amp trans impedance amplifier. To reduce voltage noise, eight-paralleled low noise discrete JFETs were used in the first stage. The designed amplifier was then compared to commercial ones. Its measured value of voltage noise spectral density is around 24 nV/√Hz, 3 nV/√Hz, 0.95 nV/√Hz and 0.6 nV/√Hz at the frequency of 0.1, 1, 10 and 100 Hz, respectively. A -3dB frequency response is from ~20 mHz to ~600 kHz.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 3; 531-540
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
    Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
    Autorzy:
    Aksamit, W.
    Rzeszutko, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    gallium nitride
    GaN transistors
    power conversion
    efficiency
    azotek galu
    tranzystory GaN
    straty mocy w tranzystorach GaN
    Opis:
    During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
    W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High voltage pulse generation using magnetic pulse compression
    Autorzy:
    Balcerak, M.
    Hołub, M.
    Pałka, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/141756.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    kicker power supply
    power source for pulse corona discharge
    magnetic pulse compression
    parallel connection of IGBT and MOSFET transistors
    Opis:
    The paper presents an overview of a method of nanosecond-scale high voltage pulse generation using magnetic compression circuits. High voltage (up to 18 kV) short pulses (up to 1.4 μs) were used for Pulsed Corona Discharge generation. In addition, the control signal of parallel connection of IGBT and MOSFET power transistor influence on system losses is discussed. For a given system topology, an influence of core losses on overall pulse generator efficiency is analysed.
    Źródło:
    Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 3; 463-472
    1427-4221
    2300-2506
    Pojawia się w:
    Archives of Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Relationship between crystalline structure of poly(3-hexylthiophene) blends and properties of organic thin-film transistors – a brief review
    Wpływ struktury poli(3-heksylotiofenu) i jego mieszanin na właściwości organicznych tranzystorów polowych – krótki przegląd
    Autorzy:
    Chlebosz, D.
    Janasz, Ł.
    Pisula, W.
    Kiersnowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/947465.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
    Tematy:
    poly(3-hexylthiophene) (P3HT)
    polymer blends
    organic thin-film transistors
    poli(3-heksylotiofen) (P3HT)
    mieszaniny polimerowe
    organiczne tranzystory cienkowarstwowe
    Opis:
    Poly(3-hexythiophene) (P3HT) is one of the most extensively studied polymers for applications in organic thin-film transistors. Semicrystalline P3HT is a p-type semiconductor enabling applications in the unipolar organic field-effect transistors (OFETs). Blending P3HT with small molecular compounds can enhance the mobility of charge carriers in the OFET active layer. When small molecules reveal electron conductivity and their phase separation upon crystallization in the presence of P3HT results in formation of heterojunctions, the blends can be considered candidates for active layers in the ambipolar OFETs. Regardless of unipolar or ambipolar, the charge carrier transport always depends on the inherent properties of the polymer and small molecules as well as the crystalline structure and morphology (nanostructure) of the blends. This paper is a brief review of the recent findings regarding relationships between structure and properties of the active layers of P3HT and P3HT blends-based OFETs. Herein we discuss examples of blends of P3HT with, amongst others, perylene diimide derivatives, and discuss their OFET-related properties, like charge-carrier mobility, in relation to both crystalline structure of the blend components and blend morphology. Some key issues related to morphology control by changing layer formation conditions are also indicated in this paper.
    Poli(3-heksylotiofen) (P3HT) to semikrystaliczny polimer, charakteryzujący się przewodnictwem dziurowym (typu p), dzięki czemu jest stosowany w aktywnych warstwach organicznych tranzystorów polowych (ang. Organic Field-Effect Transistor, OFET). Badania prowadzone w ciągu ostatnich lat wykazały, że mieszanie P3HT z poliaromatycznymi substancjami małocząsteczkowymi może powodować zwiększenie ruchliwości nośników ładunku (dziur) w warstwie aktywnej OFET. Zastosowanie dwufazowych mieszanin P3HT z małocząsteczkowymi substancjami o przewodnictwie typu n (np. pochodnymi perylenodiimidów) umożliwia otrzymanie tranzystorów ambipolarnych, które można wykorzystać m.in. do wytworzenia układów komplementarnych. Niezależnie od rodzaju urządzenia – unipolarnego lub ambipolarnego – transport nośników ładunku zależy od właściwości użytych substancji oraz struktury krystalicznej i morfologii (nanostruktury) mieszanin. W niniejszej pracy, na podstawie przeglądu literatury, omówiono strukturę krystaliczną i morfologię przykładowych mieszanin P3HT. Ponadto, przedyskutowano relacje pomiędzy cechami strukturalnymi cienkich filmów otrzymanych z P3HT i jego mieszanin a właściwościami OFET.
    Źródło:
    Polimery; 2016, 61, 6; 433-441
    0032-2725
    Pojawia się w:
    Polimery
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Materiały organiczne w elektronice
    Organic materials for electronics
    Autorzy:
    Żmija, J.
    Małachowski, M. J.
    Zieliński, J.
    Wacławek, M.
    Ścieżka, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/106376.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    ciekłe kryształy
    displeje
    półprzewodniki organiczne
    OLED
    ogniwa słoneczne
    lasery
    cienkowarstwowe tranzystory
    liquid crystals
    displays
    organic semiconductors
    solar cells
    lasers
    thin film transistors
    Opis:
    Przedstawiono przegląd wykorzystania materiałów organicznych w optoelektronice. W ostatnich latach widoczne są znaczne postępy w tym względzie zarówno naukowe, jak i aplikacyjne. Stwarza to realne podstawy, aby sądzić, że powstaje nowa licząca się gałąź nauki powiązana z interesującymi zastosowaniami, które w zakresie ciekłych kryształów (CK) są realizowane od dawna. Najnowsze publikacje pokazują niewątpliwe perspektywy inżynierii materiałowej w badaniach oraz zastosowaniu stałych półprzewodników organicznych. Omówiono ostatnie osiągnięcia w konstrukcji displejów CK, fotoogniw, ogniw słonecznych, emiterów LED, laserów oraz elementów mikroelektronicznych, zwłaszcza cienkowarstwowych tranzystorów.
    Review of papers connected with wide aspects of organic material engineering and its application in optoelectronics is presented. It creates an actual basis for new important branch of science and technology, which in LC case has been realized for decades already. Last achievements in fabrication of LC displays, photoelements, solar cells, OLEDs, lasers and microelectronic devices especially thin film transistors are presented. It is evident that a significant progress in science, technology and application of organic materials has been achieved.
    Źródło:
    Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology; 2006, 11, 1-2; 69-80
    2084-4506
    Pojawia się w:
    Chemistry-Didactics-Ecology-Metrology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Signal flow graph block approach to the design of the universal mixed-mode multi-loop filter and study of non-ideal properties
    Autorzy:
    Sotner, R.
    Slezak, J.
    Dostal, T.
    Frydrych, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397881.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    tryb prądowy
    tryb napięciowy
    uniwersalny filtr
    tranzystor diamentowy
    regulacje
    pasożytnicze wpływy
    current-mode
    voltage mode
    universal filter
    diamond transistors
    adjustabilities
    parasitic influences
    Opis:
    The paper deals with the universal active filter design in current mode based on diamond transistors is presented. Circuit has abilities to work in high frequency range and adjustable features. All types of second order transfer functions are available. Theoretical assumptions are supported by simulation results in PSpice and by laboratory measurements. Impact of real substantial non-idealities caused by real active elements is discussed.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 316-325
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
    Single-phase inverter with active power decoupling
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    falownik jednofazowy
    odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
    sterowanie przekształtnikiem
    tranzystor z węglika krzemu
    SiC
    single-phase inverter
    decoupling of the alternating component of the instantaneous power
    converter control
    silicon carbide transistors
    Opis:
    Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
    In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-15 z 15

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies