Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "readout electronics" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
CMOS Readout Circuit Integrated with Ionizing Radiation Detectors
Autorzy:
Szymański, A.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Tomaszewski, D.
Grodner, M.
Pieczyński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226502.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
readout electronics
ASIC
SOI
ionizing radiation detectors
Opis:
This paper describes the work performed in ITE on integration in one CMOS chip the ionizing radiation detectors with dedicated readout electronics. At the beginning, some realizations of silicon detectors of ionizing radiation are presented together with most important issues related to these devices. Next, two developed test structures for readout electronics are discussed in detail together with main features of non-typical silicon proces deployed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 1; 117-124
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Projekt układu elektroniki odczytu front-end do pomiaru czasu i energii dla półprzewodnikowych detektorów paskowych
The design of readout front-end electronics for time and energy measurement for semiconductor strip detectors
Autorzy:
Kłeczek, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408444.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
detekcja promieniowania X
elektronika niskoszumna
układ CMOS elektroniki odczytu front-end
pomiar czasu i energii
X-ray detection application
low noise electronics
CMOS readout front-end electronics
time and energy measurements
Opis:
W niniejszym artykule został przedstawiony opis elektroniki front-end do pomiaru czasu interakcji i energii fotonu dedykowanej do odczytu dwustronnych detektorów paskowych, zaimplementowanej w technologii submikronowej UMC 180 nm CMOS. Jednoczesny i dokładny pomiar czasu interakcji oraz energii zdeponowanej w detektorze wymaga zastosowania w torze odczytowym dwóch różnych, równoległych ścieżek przetwarzania sygnału: „szybkiej” i „wolnej”. Parametry zaprojektowanego układu: niskim poziom rozpraszanej mocy P=3,2 mW, niski poziom szumów własnych ENC=586 e- rms (dla „wolnej” ścieżki i Cdet=30 pF), a powierzchnia krzemu zajmowana przez pojedynczy kanał wynosi 50 μm × 1100 μm.
This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and accurate measurements of time and energy deposited in the detector by a photon requires the use of two different parallel processing paths in the single channel: fast and slow. The designed front-end electronics is characterized by low power dissipation level P=3.2 mW, low noise performance ENC=586 e- rms (for “slow” path and at Cdet=30 pF). The single channel occupies silicon chip area of 50 μm × 1100 μm.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2013, 4; 18-21
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Projekt układu elektroniki front-end do odczytu detektorów pikselowych oparty na strukturze inwertera
The design of readout front-end electronics for pixel detector based on inverters
Autorzy:
Kleczek, R.
Otfinowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/407992.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
elektronika niskoszumna
układ CMOS elektroniki odczytu front-end
low noise electronics
CMOS front-end readout
Opis:
Minimalizacja zajmowanej powierzchni krzemu przy jednoczesnym zachowaniu funkcjonalności układu oraz minimalizacja poziomu rozpraszanej mocy i szumów własnych to wymagania stawiane nowoczesnym systemom odczytowym elektroniki front-end. Prezentujemy elektronikę front-end dedykowaną do odczytu detektorów pikselowych zaimplementowaną w dwóch technologiach submikronowych (180 nm i 130 nm CMJS). Zaprojektowany układ charakteryzuje się niskim poziomem rozpraszanej mocy P = 13 žW, niskimi szumami własnymi ENC = 59e rms oraz zajmuje niewielką powierzchnię krzemu A = 850 žm2.
Minimization of the silicon occupied area and maintenance both fonctionality and analog parameters of readout front-end electronics at desirable level at same lime are very challenging in the modern pixel applications. We present the design of readout front-end electronics dedicated for pixel detectors based on an inverter amplifier implemented in two submicron technologies (130 nm and 180 nm CMOS). it is characterized by very low power dissipation level P = žW, low noise performance ENC = 59e rms and small occupied chip area A = 850žm2.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2012, 3; 47-50
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies