Temat: plasma etching - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Properties of Al contacts to Si surface exposed in the course of plasma etching of previously grown nanocrystalline c-BN film
Autorzy:: Firek, P.
Werbowy, A.
Szmidt, J.
Olszyna, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308834.pdf
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: cubic boron nitride
plasma etching
electric contacts
Opis:: Properties of Al electric contacts to Si(p) surface exposed to fluorine-based plasma etching of nanocrystalline cubic boron nitride (c-BN) film grown previously were studied and compared to the properties of Al contacts fabricated on pristine or dry etched surface of Si(p) wafers. In addition, a part of the investigated samples was annealed in nitrogen atmosphere at the temperature of 673 K. Analysis of contract properties is based on current-voltage (I-V) measurements of the produced Al-Si structures. The presented investigations were performed in order to evaluate the efficiency of the applied plasma etching method of nanocrystalline c-BN from the viewpoint of its influence on the properties of metal contacts formed subsequently and thus on the performance of electronic devices involving the use of boron nitride.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 76-80
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
Autorzy:: Malinowski, A.
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Sekine, M.
Hori, M.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308253.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: FinFET
line edge roughness
parameter variability
plasma etching
technology computer aided design (TCAD)
Opis:: Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 45-50
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu
Bosch process for silicon plasma etching
Autorzy:: Góra, K.
Kozłowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192230.pdf
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: proces Boscha
ICP
trawienie plazmowe krzemu
współczynnik kształtu
Bosch process
plasma etching
high aspect ratio
silicon etched profile
Opis:: W pracy opisano wielostopniowy proces plazmowy powszechnie znany jako proces Boscha. Składa się on z wielokrotnie powtarzanych sekwencji kroków trawienia i pasywacji. Dzięki temu można otrzymać w krzemie bardzo głębokie struktury o wysokim współczynniku kształtu. Proces zaimplementowano na urządzeniu Alcatel 601E. Końcowym efektem opracowanej procedury jest wytrawiony profil o wysokim współczynniku kształtu, pionowych ścianach i gładkiej powierzchni.
This paper reports on two step time multiplexed plasma etch process, widely known as a Bosch process. The Bosch process was implemented on Alcatel 601E plasma reactor. On the basis of this patented process we created the procedure to achieve high aspect ratio submicron trenches in silicon. A deep silicon etching Bosch process in ICP reactive ion plasma reactor was based on SF6/C4F8 chemistry. Process consists of two alternating etching and deposition cycles. In thirst step, SF6 a very effective source of F* radicals is responsible for etching. In second step C4F8 gas creates polymers layer that protect side wall from lateral etching. This technique consisting of series alternating etch and deposition cycles(each lasts only a few seconds) produces high aspect ratio features. The etch rate and thickness of deposition layer are controlled by gas flow and cycle time, respectively. Created recipe can be used to etch silicon high aspect ratio features with smooth vertical walls.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 31-34
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308657.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma
Opis:: We have investigated the influence of silicon dioxide reactive ion etching (RIE) parameters on the composition of the polymer layer that is formed during this process on top of the etched layer, and finally, the role of this layer in high-temperature thermal diffusion of boron into silicon. The polymeric layer formed on the etched surface appeared to consist of fluorine and silicon fluoride (SiOF and SiF). Concentration of these components changes depending on the parameters of RIE process, i.e., rf power, gas pressure and etching time. The composition of this polymeric layer affects, in turn, boron thermal diffusion into silicon. With increasing rf power, the depth of boron junction is increased, while increasing time of etching process reduces boron diffusion into silicon.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 25-29
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308057.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Opis:: This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The Zno Nano Material Interaction With Nd:YAG Laser Under Vacuum
Autorzy:: Hussam, N. Mohammed Ali
Yahya, Abdulkreem Salman
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1179694.pdf
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: Langmuir probe
Nd:YAG laser etching
Plasma generation
ZnO nanomaterial
electron density
electron temperature
Opis:: The goal of this paper is to study the Nd:YAG laser interaction with the ZnO nanomaterial by etching the ZnO nanodisc surface. The preparation of ZnO nanodisc is studied also and the setup which we use in previous experiment published in the (IJRRR, Vol. X, Issue 1, March 2017) is used also. The interaction is done under vacuum conditions with high pressure in the range of (10-3) Tor. The main target of the paper is to study the plasma generated from the etching of the ZnO nanodisc by Nd:YAG laser.
Źródło:: World Scientific News; 2017, 72; 248-255
2392-2192
Pojawia się w:: World Scientific News
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Opis:: This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 25-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "plasma etching" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język