Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "półprzewodnik" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Nowe materiały półprzewodnikowe do produkcji przyrządów energoelektronicznych
    New semiconductor materials for manufacture of power electronics devices
    Autorzy:
    Januszewski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159886.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    przyrządy energoelektroniczne
    energoelektronika
    materiały półprzewodnikowe
    półprzewodnik
    Opis:
    Dokonano przeglądu osiągnięć, opublikowanych w materiałach konferencyjnych oraz czasopismach technicznych dotyczących przyrządów energoelektronicznych wytworzonych z nowych materiałów takich, jak arsenek galu (GaAs), węglik krzemu (SiC) oraz syntetyczny diament (C). Materiały te zaczynają stopniowo wchodzić do techniki energoelektronicznej jako uzupełnienie dominujących rozwiązań opartych na krzemie. Omówiono właściwości i możliwości stosowania różnych materiałów do produkcji przyrządów energoelektronicznych. Zaprezentowano również parametry techniczne i właściwości eksploatacyjne eksperymentalnych przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z wymienionych wyżej materiałów, a zwłaszcza węglika krzemu, który obecnie rokuje największe nadzieje w zakresie produkcji przyrządów energoelektronicznych. Przedstawiono powstające możliwości zastosowań układów energoelektronicznych zbudowanych w oparciu o przyrządy wykonane z materiałów technologicznych nowej generacji.
    The paper presents a review of achievements, published in conference proceedings and technical journals, concerning power electronics devices produced of new materials such as gallium arsenide (Ga As), silicon carbide (Si C) and synthetic diamond (C). These materials begin gradually to be used in power electronics technology as a supplement to the solutions based on silicone, dominating so far. Properties and application possibilities of various materials for manufacture of power electronics devices are discussed. Technical parameters and operation properties of experimental semiconductor devices made of the materials mentioned above are discussed, in particular of those made of silicon carbide which at present presages best in the range of power electronics devices. Application possibilities of power electronics systems, emerging at present, basing on devices made of new generation technological materials are presented.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 214; 59-98
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Chemiczne i elektrochemiczne wytwarzanie warstw tlenku cynku
    Chemical and electrochemical preparation of zinc oxide coatings
    Autorzy:
    Wiliński, Z.
    Lipińska, L.
    Batijewski, R.
    Marcjaniuk, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192160.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    tlenek cynku
    elektrokrystalizacja
    półprzewodnik
    zinc oxide
    electrocrystalization
    semiconductors
    Opis:
    W artykule przedstawiono wyniki badań przeprowadzonych w celu wytworzenia warstw tlenku cynku o różnych strukturach, z wodnych roztworów metodą chemicznego osadzania i elektrosyntezy. Do osadzania ZnO wykorzystano następujące podłoża: szkiełka mikroskopowe i płytki szklane pokryte warstwą ITO. Wykonane warstwy poddano badaniom: mikroskopii skaningowej SEM, dyfrakcji rentgenowskiej XRD oraz fotoluminescencji.
    Coatings of ZnO with chemical (SILAR) and electrochemical methods were prepared. As substrate microscope glass plates and glass plates ITO layer coated were used. Surface morphology (SEM), photoluminescence (PL) and crystal structure (XRD) were examined.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 3, 3; 13-20
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
    Autorzy:
    White, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/304640.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Wydawnictwo Druk-Art
    Tematy:
    tranzystory
    półprzewodnik
    urządzenie energoelektroniczne
    semiconductor
    transistor
    power electronics
    Opis:
    HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
    Źródło:
    Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 1; 32-35
    1507-7764
    Pojawia się w:
    Napędy i Sterowanie
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical investigations of ZnO layers affected by some selected gases in the aspect of their application in optical gas sensors
    Autorzy:
    Struk, P.
    Pustelny, T.
    Gołaszewska, K.
    Borysiewicz, M. A.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200967.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ZnO
    semiconductor
    gas sensors
    Zno
    czujniki gazu
    półprzewodnik
    Opis:
    The paper presents the results of investigations of zinc oxide (ZnO) layers as a potential sensing material, being affected by certain selected gaseous environments. The investigations concerned the optical transmission through thin ZnO layers in wide spectral ranges from ultraviolet to the near infrared. The effect of the gaseous environment on the optical properties of zinc oxide layers with a thickness of ~ 400 nm was analyzed applying various technologies of ZnO manufacturing. Three kinds of ZnO layers were exposed to the effect of the gaseous environment, viz.: layers with relatively slight roughness (RMS several nm), layers with a considerable surface roughness (RMS some score of nm) and layers characterized by porous ZnO structures. The investigations concerned spectral changes in the transmission properties of the ZnO layers due to the effect of such gases as: ammonia (NH3), hydrogen (H2), and nitrogen dioxide (NO2) in the atmosphere of synthetic air. The obtained results indicated the possibility of applying porous ZnO layered structures in optical gas sensors.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 4; 829-836
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mikroprocesorowy miernik parametrów czasowych przekaźników
    Microprocessor measurement device of relays time parameters
    Autorzy:
    Bartczak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253963.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    miernik mikroprocesorowy
    półprzewodnik
    przekaźnik
    układ elektryczny
    urządzenie sterownicze
    Opis:
    Przekaźniki - mimo dynamicznego rozwoju technologii półprzewodnikowych - są wciąż jednym z elementów składowych układów elektrycznych wielu nowo opracowanych urządzeń sterowania. Spełniają one funkcję elementu pośredniczącego między elektrycznym obwodem sterującym a jednym lub kilkoma obwodami sterowanymi. Ich podstawowymi parametrami pracy są m. in. czasy zadziałania. Czasy wzbudzenia i odwzbudzenia przekaźnika wynikają z wymaganego czasu przekazania sygnału z obwodu sterującego do obwodu sterowanego. Przy dobieraniu przekaźników do konkretnych obwodów istotne są również czasy: zamknięcia, otwarcia i przełączania zestyków oraz czasy występowania drgań zestyków przy przełączaniu. Różnica w wymienionych czasach takich samych przekaźników może powodować błędną pracę obwodów sterowanych. Ponadto, drgania zestyków przekaźnika przyczyniają się do zmniejszenia trwałości samych zestyków oraz mogą być żródłem zakłóceń w urządzeniach i układach elektronicznych współpracujących z zestykami. Z tych względów czasy zadziałania przekaźników nie powinny przekraczać maksymalnych dopuszczalnych wartości. Zatem miernictwo parametrów czasowych przekaźników, podobnie jak pomiary parametrów elektrycznych i mechanicznych, ma decydujący wpływ na ich jakość i niezawodność.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2003, 10, 12; 57-63
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The electrical-generating structure based on NiPc in ammonia medium
    Struktura z wewnętrzną barierą potencjału oparta na warstwie NiPc w środowisku amoniaku
    Autorzy:
    Hotra, Z.
    Volynyuk, D.
    Bakhmatyuk, B.
    Kostiv, N.
    Voznyak, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159357.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    półprzewodnik organiczny
    amoniak
    konduktywność
    organic semiconductor
    ammonia vapors
    conductivity
    Opis:
    In this work we presented a result of structural and electrophisical investigation of electrical-generating barrier structure based on organic semiconductor NiPc. It was studied the current-voltage and impedance characteristics of structure ITO/NiPc/Al under the influence of ammonia vapors and was revealed the current and conductivity increase of structure in ammonia medium. Also we modeled impedance characteristics using the Constant Phase Element CPE what shows that the change in resistance occurs as a result of a chemical interaction.
    W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczących strukturalnych elektrofizycznych własności bariery generującej napięcie elektryczne opartej na półprzewodniku organicznym NiPc. Przebadane zostały charakterystyki prądowo-napięciowa i impedancyjna struktur ITO/NiPc/Al umieszczonych w amoniaku. Wykazano, że dzięki zastosowaniu amoniaku, wzrasta natężenie prądu i konduktywność całej struktury. W dalszej części zamodelowano charakterystykę impedancyjną używając elementów o stałej fazie (ang. CPE), co udowodniło, że zmiany rezystancji pojawiają się w wyniku reakcji chemicznej.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 247; 5-11
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calculations of transport parameters in semiconductor superlattices based on the Greens’ functions method in different Hamiltonian representations
    Autorzy:
    Mączka, M.
    Hałdaś, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/202060.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    semiconductor superlattices
    NEGF formalism
    Wannier functions
    nadprzewodnik
    półprzewodnik
    Formalizm
    funkcja Wanniera
    Opis:
    Two methods for calculating transport parameters in semiconductor superlattices by applying Green’s functions are compared in the paper. For one of the methods, the Wannier functions method, where computations in the complex space and Wannier functions base are required, the Hamiltonian matrix is small in size and its elements depend solely on the energy. For the real space method, as it operates in the floating point domain and uses the Hamiltonian containing the elements dependent both on energy and position, the Hamiltonian matrix is larger in size. The size makes the method computationally challenging. To find the consequences of choosing one of the methods, a?direct comparison between the computations, obtained for both methods with the same input parameters, was undertaken. The differences between the results are shown and explained. Selected simulations allowed us to discuss advantages and disadvantages of both methods. The calculations include transport parameters such as the density of states and the occupation functions, with regard to scattering processes where the self-consistent Born approximation was used, as well as the spatial distribution of electron concentration for two superlattices structures. The numerical results are obtained within the non-equilibrium Green’s functions formalism by solving the Dyson and the Keldysh equations.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2019, 67, 3; 631-641
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krótkie wprowadzenie do tematyki ogniw fotoelektrochemicznych
    Short introduction to photo-electrolysis cells
    Autorzy:
    Bieńkowski, K.
    Gdula, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192310.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ogniwo fotoelektrochemiczne
    fotoanoda
    półprzewodnik
    elektrochemia
    photo electrolysis cells
    photoanodes
    semiconductor
    electrochemistry
    Opis:
    Jednym z wyzwań stojących obecnie przed ludzkością jest produkcja czystej energii ze źródeł odnawialnych. Jedną z alternatyw jest wodór produkowany z rozkładu wody za pomocą energii słonecznej w ogniwach fotoelektrochemicznych (PEC). W artykule autorzy wprowadzają czytelnika pokrótce w tematykę PEC. Przedstawiony zostaje obecny stan wiedzy i stosowane rozwiązania. Obecnie wymagania wobec PEC są łatwe do sformułowania, ale spełnienie ich wszystkich jest jednym z wyzwań które stoją przed badaczami. W artykule zostały przedstawione również dziedziny w których poszukiwania wydają się niezbędne aby osiągnąć sukces w rozkładzie wody.
    A significant issue currently faced by humanity is the production of clean renewable energy. The decomposition of hydrogen produced from water using solar energy in photo electrolysis cells (PEC) is one of the possible methods of tackling the problem. In this article, the authors briefly introduce the reader to the theme of the PEC, ath the same time presenting the contemporary state of knowledge and rpviding exemplary solutions. A present, the requirements of photo electrolysis cells are easy to formulate, but their fulfillment is still a substanial challenge awaiting researchers. The article discusses the areas in which the search enquiry appears to be indispensable for achieving success in the distribution of water.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 3-4, 3-4; 9-17
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Kondensatory energoelektroniczne nowej generacji. Podwyższone parametry użytkowe dzięki zastosowaniu nowoczesnych materiałów oraz technologii
    Autorzy:
    Sobieski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/304997.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Wydawnictwo Druk-Art
    Tematy:
    kondensator energoelektroniczny
    półprzewodnik mocy
    układ energoelektroniczny
    power electronics layout
    power semiconductor
    power capacitor
    Opis:
    Jeden z największych producentów kondensatorów – firma Ducati Energia – wprowadza systematycznie na rynek nowe serie produktów o podwyższonych parametrach użytkowych dla spełnienia wymagań odbiorców z branży energoelektronicznej.
    Źródło:
    Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 9; 22-24
    1507-7764
    Pojawia się w:
    Napędy i Sterowanie
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
    Error analysis of the parameters of the defekt centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
    Autorzy:
    Pawłowski, M.
    Suproniuk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192391.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    PITS
    centrum defektowe
    półprzewodnik wysokorezystywny
    adekwatność modelu
    defect center
    semi-insulating material
    model adequacy
    Opis:
    Celem pracy jest analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych w wysokorezystywnych materiałach półprzewodnikowych badanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej (PITS). Otrzymane wyniki wskazują, że występuje przesunięcie przebiegu linii grzbietowych fałd na korelacyjnej powierzchni widmowej w porównaniu z przebiegiem linii grzbietowych fałd na powierzchni widmowej otrzymanej metodą odwrotnego przekształcenia Laplace'a związanych z termiczną emisję nośników ładunku z tych samych centrów defektowych. Stwierdzono, że przesunięcie to jest wynikiem przyjęcia uproszczonego modelu opisującego relaksację fotoprądu w metodzie korelacyjnej i powoduje obliczenie błędnych wartości parametrów centrów defektowych tą metodą. Zaproponowano metodę zmniejszenia tego błędu polegającą na korekcji temperaturowej zależności amplitudy eksperymentalnych przebiegów fotoprądu do postaci zgodnej z przyjętym uproszczonym modelem. Metodę zilustrowano korekcją relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zarejestrowanych dla centrum A (kompleksu luka-tlen), występującego w próbkach FZ Si napromieniowanych neutronami.
    The error in the parameters of the defect centers calculated with a correlation method using the photoinduced transient spectroscopy (PITS) is discussed. The obtained results indicate that an inadequate photocurrent relaxation model causes a shift of the fold ridgeline on the spectral surface obtained using the correlation method towards lower temperatures when compared with the shift obtained using the inverse Laplace transformation. This shift introduces errors in the calculation of the parameters of the defect centers. The method for minimizing the error in the parameters of the defect center, consisting in correcting temperature dependence of the photocurrent transient amplitude so that it is consistent with the simple model, is proposed. The analysis is supplemented with the calculation of the parameters of the defect centers with the new correction method for the centre A (a vacancy-oxygen complex) in neutron- irradiated silicon.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 17-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Novel, microwave assisted route of synthesis of binary oxide semiconducting phases - PbMoO4 and PbWo4
    Nowa metoda syntezy binarnych faz tlenkowych o charakterze półprzewodnikowym w polu mikrofalowym - PbMoO4 i PbWo4
    Autorzy:
    Kwolek, P.
    Tokarski, T.
    Łokcik, T.
    Szaciłowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350836.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    molibdenian ołowiu
    wolframian ołowiu
    półprzewodnik
    pasmo wzbronione
    pole mikrofalowe
    lead molybdate
    lead tungstate
    semiconductor
    band gap
    microwave assisted synthesis
    Opis:
    Highly crystalline powders of lead molybdate and tungstate were synthesized by a microwave assisted hydrothermal process in a microwave heated high pressure autoclave. Application of this novel and environmentally friendly technique in the synthesis of these compounds has never been reported before. The influence of a time of synthesis on a crystal structure, morphology and a value of a band gap for both PbMoO4 and PbWO4 was examined. The value of the band gap was determined using diffuse reflectance spectroscopy. For lead molybdate the medium value of the band gap equals to ca. 3.2 eV whereas for lead tungstate it oscillates around 4 eV and does not depend on the duration time of the synthesis.
    Krystaliczne proszki molibdenianu ołowiu i wolframianu ołowiu otrzymano metodą hydrotermalną w polu mikrofalowym za pomocą wysokociśnieniowego autoklawu mikrofalowego. Metodę ta można uznać za przyjazną dla środowiska, jak dotad nie odnotowano jej zastosowania do syntezy wymienionych związków ołowiu. Zbadano wpływ czasu trwania procesu na strukturę krystaliczną, morfologię i szerokość przerwy energetycznej proszków PbWO4 i PbMoO4. Szerokość pasma wzbronionego wyznaczono za pomocą spektroskopii refleksyjnej. Dla molibdenianu ołowiu otrzymane wartości oscylują wokół 3.2 eV, natomiast dla wolframianu ołowiu przerwa energetyczna jest szersza i wynosi ok. 4 eV. Szerokość pasma wzbronionego w obu przypadkach nie zależy od czasu syntezy.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 1; 217-222
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Increasing radiation resistance of memory devices based on amorphous semiconductors
    Zwiększenie odporności na promieniowanie urządzeń pamięciowych w oparciu opółprzewodniki amorficzne
    Autorzy:
    Kychak, Vasyl
    Slobodian, Ivan
    Vovk, Victor
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1841310.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    amorphous semiconductor
    chalcogenide glassy semiconductors
    radiation resistance
    memory cell
    półprzewodnik amorficzny
    półprzewodniki szkliste chalkogenowe
    odporność na promieniowanie
    komórka pamięci
    Opis:
    A memory cell structure is proposed that uses a Schottky barrier thin film transistor based on an amorphous semiconductor as a junction element, and a chalcogenide glassy semiconductor film as a switching element. A physical storage cell model has been developed. The dependenceof the transistor and memory cell parameters on the dose of neutron flux and γ-quanta was investigated. It is shown that when the dose of neutron irradiation is changed, the steepness of the drain-gate characteristic (DGC) decreases by 10% at a dose of the order of 1015n/s, and at the same time,the transfer coefficient of the bipolar n-p-n transistor decreases by 20% at doses of 1013n/s, indicating a significant increase in the radiation resistanceof the proposed memory cell. In the case of irradiation with γ-quanta in the range up to 2.6 MRad, the steepness of the DGC of the proposed structure changes by only 10%. When used as an isolation element, a field-effect transistor with an insulated gate, the slope of the DGC is reduced by 50%.It is shown that the current of recording information of the proposed structure when changing the dose of γ -quantum flux to 2.6 MRad changes by about 10%, and at the same time, in the case of using a field-effect transistor with an isolated cover, the information recording current changes by 50%.The study of the dependence of the gate current on the dose of the γ-quanta is shown. When the radiation dose changes from 0 to 2.6 MRad, the gate current changes only by 10%, which indicates the high resistance of the proposed structure to the action of permeable radiation. Also, studiesof the dependence of the conductivityof single-crystal semiconductors on aradiation dose ɣ by quanta and neutron flux show that a significant increasein the specific resistivity of amorphous semiconductors occurs at doses 2–3 orders of magnitude larger than in the case of single-crystal n-type conductivity semiconductors.
    Zaproponowano strukturę komórki magazynującej, która wykorzystuje barierowy cienki tranzystor Schottky'ego oparty na półprzewodniku amorficznym jako element łączący, a także chalkogenową szklistą błonę półprzewodnikową jako element przełączający. Opracowano fizyczny model komórki pamięci. Zbadano zależność parametrów tranzystora i komórki pamięci od dawki strumienia neutronów i promieni gamma. Pokazano, że przy zmianie dawki napromieniowania neutronowego stromość charakterystyki odpowiedzi drenu zmniejsza się o 10% przy dawkach rzędu 1015n/s, a jednocześnie współczynnik przenoszenia bipolarnego tranzystora npn spada o 20% już przy dawkach 1013n/s, wskazując znaczny wzrost odporności na promieniowanie proponowanej komórki pamięci. Po napromieniowaniu kwantami gamma w zakresie do 2,6 MRad stromość charakterystyki dren-przepustnica proponowanej konstrukcji zmienia się tylko o 10%. W przypadku połączenia jako cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną kurtyną charakterystyka stromego spadku zmniejsza się o 50%. Wykazano, że prąd zapisu informacji o proponowanej strukturze przy zmianie dawki strumienia kwantowego gamma na 2,6 MRad zmienia się o około 10%, przy jednoczesnym zastosowaniu cienkowarstwowego tranzystora polowego z izolowaną osłoną, prąd zapisu informacji zmienia się o 50%. Badanie zależności prądu kurtynowego od dawki promieniowania gamma–kwanty. Gdy dawka promieniowania zmienia się od 0 do 2,6 MRad, prąd kurtyny zmienia się tylko o 10%, co wskazuje na wysoką odporność proponowanej struktury na działanie promieniowania przepuszczalnego. Badania zależności przewodności półprzewodników monokrystalicznych od dawki promieniowania γ przez kwanty i strumień neutronów pokazują, że znaczny wzrost rezystywności właściwej półprzewodników amorficznych występuje przy dawkach2–3 rzędów wielkości większych niż w przypadku półprzewodników przewodnictwa monokrystalicznego typu n.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2020, 10, 3; 78-81
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies