Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "obwód odczytujący" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Development of the NMOS-based THz detectors and the readout systems for THz spectroscopy and imaging
Autorzy:
Kołaciński, C.
Obrębski, D.
Marczewski, J.
Zbieć, M.
Kucharski, K.
Zagrajek, P.
Kopyt, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397805.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
NMOS-based terahertz detector
readout system
detektor terahercowy
obwód odczytujący
Opis:
This paper summarizes the work performed within the Polish applied research project THzOnLine aiming at multipixel THz detectors based on selective NMOS transistors and its application in biology, medicine and security systems, completed in 2016. It starts with presentation of techniques applied for increasing the efficiency of THz detectors, i.e. used to maximize the output voltage yielded from NMOS-based detecting devices when exposed to a THz radiation. In the second part of this work the authors focuse on issues related to development of the readout electronics for these devices, as well as present the collection of integrated circuits and two complete measurement systems constructed by them.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 3; 101-109
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of multichannel readout system for spectral identification of materials
Autorzy:
Kołaciński, C.
Obrębski, D.
Zbieć, M.
Zagrajek, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397795.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
terahertz spectroscopy
terahertz FET-based detector
chopper amplifier
integrated readout circuit
readout system
AVR ATMega
spektroskopia terahercowa
wzmacniacz przerywacz
obwód scalony
obwód odczytujący
Opis:
This paper addresses the work performed on development of the readout circuits for FET-based THz detectors. Ultimately, designed readout system is intended to work within the material identification equipment, which targeted to perform the spectral recognition of samples. At the beginning, the short introduction of the THz detection basics and main applications of the THz spectroscopy are presented. Next, the preceding work on single-channel readout circuit is shortly recalled, with a special emphasis on the last design version featuring selective chopper amplifier. This IC became the basis of the complete readout system addressed in next few sections of this paper. Finally, design of novel integrated circuit is presented, incorporating the multichannel readout circuit dedicated for pixel line.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 2; 35-42
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Design of integrated readout circuit for NMOS THZ detectors based on chopper amplifier concept
Autorzy:
Kołaciński, C
Obrębski, D.
Zagrajek, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397722.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
NMOS-based terahertz detector
chopper amplifier
instrumentation amplifier
voltage controlled amplifier
programmable gain amplifier
readout circuit
detektor terahercowy
chopper
wzmacniacz instrumentacyjny
wzmacniacz sterowany napięciem
wzmacniacz PGA
obwód odczytujący
Opis:
This paper deals with design of readout circuit dedicated for NMOS-based terahertz detectors. The proposed architecture bases on chopper amplifier and instrumentation amplifier concepts. The main objectives were high gain (max. 100 dB) and proper operation with NMOS-based THz detectors. Three different architectures of measurement amplifier designed for the research project are discussed in this paper. The designed chip was manufactured in AMS C35B4 process (350 nm feature size). Another issue described in this paper is dedicated, non-typical testing environment. At the end a few measurement results are shown.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 1; 14-24
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies