Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "memrystor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Investigation of the memristor nonlinear properties
    Badanie nieliniowych właściwości memrystora
    Autorzy:
    Khrapko, S.
    Rusyn, V.
    Politansky, L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408547.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    memristor
    hysteresis
    nonlinear system
    KNOWM
    memrystor
    histereza
    nieliniowość
    Opis:
    The study of nonlinear systems is an important research topic for scientists and researchers. Memristor, for a long time, it remained just as a theoretical element and rarely appeared in the literature because of having no simple and practical realization. In this paper, we reviewed the theoretical substantiation of the memristor and conducted a practical study of its nonlinear properties using the memristor company KNOWM of series BS-AF-W 16DIP. We also investigated the characteristics of the memristor via the LabView environment.
    Badanie systemów nieliniowych jest ważnym tematem dla badaczy i naukowców. Memrystor przez długi czas pozostawał elementem teoretycznym i rzadko pojawiał się w literaturze z powodu braku prostej i praktycznej realizacji. W tym artykule zostały przedstawione teoretyczne uzasadnienie memrystora i badania jego właściwości nieliniowych na przykładzie memrystora firmy KNOWM serii BS-AF-W 16DIP. Zostały przeprowadzone badania charakterystyk memrystora w środowisku LabView.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 1; 12-15
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza dynamiki prostego obwodu elektrycznego niecałkowitego rzędu z memrystorem
    Analysis of dynamics of simple electrical circuit of fractional order with memristor
    Autorzy:
    Busłowicz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376237.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    szeregowy obwód elektryczny niecałkowitego rzędu
    memrystor
    drgania chaotyczne
    Opis:
    W pracy rozpatrzono szeregowy obwód elektryczny niecałkowitego rzędu zawierający cewkę, superkondensator i memrystor. Stosując badania teoretyczne oraz symulacyjne, przeprowadzone w środowisku systemu Matlab/Simulink, dokonano analizy wpływu niecałkowitego rzędu równań opisujących rozpatrywany obwód na możliwość wystąpienia drgań chaotycznych.
    The paper considers electrical circuit of fractional order which has only three elements in series: supercapacitor, coil and memristor. Using theoretical analysis and numerical simulations effects of fractional order on chaotic behavior of the circuit is investigated. Simulations are performed using Ninteger Fractional Control Toolbox for MatLab.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2013, 73; 35-42
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of an anti-parallel memristor circuit
    Analiza przeciwrównoległego obwodu memrystorowego
    Autorzy:
    Mladenov, V.
    Kirilov, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408335.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    memristor
    anti-parallel memristor circuit
    finite differences method
    equivalent resistance
    memrystor
    przeciwrównoległy obwód memrystorowy
    metoda różnic skończonych
    rezystancja równoważna
    Opis:
    The basic purpose of the present paper is to propose an extended investigation and computer analysis of an anti-parallel memristor circuit with two equivalent memristor elements with different initial values of the state variables using a modified Boundary Condition Memristor (BCM) Model and the finite differences method. The memristor circuit is investigated for sinusoidal supply current at different magnitudes – for soft-switching and hardswitching modes, respectively. The influence of the initial values of the state variables on the circuit’s behaviour is presented as well. The equivalent i-v and memristance-flux and the other important relationshipsof the memristor circuit are also analyzed.
    Podstawowym celem niniejszego artykułu jest zaproponowanie rozszerzonego badania i komputerowej analizy przeciwrównoległego układu memrystorowego z dwoma równoważnymi elementami memrystorowymi o różnych wartościach początkowych zmiennych stanu z wykorzystaniem zmodyfikowanego modelu Boundary Condition Memristor (BCM) i metody różnic skończonych. Obwód memrystorowy jest badany dla sinusoidalnego prądu zasilania o różnych wielkościach – odpowiednio dla trybów miękkiego przełączania i twardego przełączania. Przedstawiono również wpływ wartości początkowych zmiennych stanu na zachowanie obwodu. Analizowane są również równoważne charakterystyki prądowo-napięciowe zależność między memrystancją i strumieniem magnetycznym oraz inne ważne cechy obwodu memrystora.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 9-14
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Advanced memristor model with a modified Biolek window and a voltage-dependent variable exponent
    Zaawansowany model memrystora ze modyfikowanym oknem Biolek oraz eksponentą zależną od napięcia
    Autorzy:
    Mladenov, V.
    Kirilov, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408364.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    memristor
    nonlinear ionic dopant drift
    modified Biolek window function
    voltage-dependent exponent
    memrystor
    nieliniowy dryft domieszki jonowej
    zmodyfikowana funkcja okna Biolek
    wykładnik zależny od napięcia
    Opis:
    The main idea of the present research is to propose a new nonlinear ionic drift memristor model suitable for computer simulations of memristor elements for different voltages. For this purpose, a modified Biolek window function with a voltage-dependent exponent is applied. The proposed modified memristor model is based on Biolek model and due to this and to the use of a voltage-dependent positive integer exponent in the modified Biolek window function it has a new improved property - changing the model nonlinearity extent dependent on the integer exponent in accordance with the memristor voltage. Several computer simulations were made for soft-switching and hard-switching modes and also for pseudo-sinusoidal alternating voltage with an exponentially increasing amplitude and the respective basic important time diagrams, state-flux and i-v relationships are established.
    Główną ideą niniejszej pracy jest zaproponowanie nowego modelu nieliniowego dryfu jonowego, odpowiedniego do komputerowych symulacji elementów memrystorowych dla różnych napięć. W tym celu stosowana jest zmodyfikowana funkcja okna Biolek z wykładnikiem zależnym od napięcia. Zaproponowany zmodyfikowany model memrystora oparty jest na modelu Biolek i dzięki temu oraz zastosowaniu zależnego od napięcia dodatniego współczynnika całkowitego w zmodyfikowanej funkcji okna Biolek ma on nową ulepszoną właściwość - zmieniając nieliniową zależność modelu od wykładnika całkowitego zgodnie z napięciem memrystora. Przeprowadzono kilka symulacji komputerowych dla trybów przełączania miękkiego i twardego, a także dla pseudo-sinusoidalnego napięcia przemiennego z wykładniczo rosnącą amplitudą i ustalono odpowiednie podstawowe wykresy czasowe, i zależności stan-strumień oraz prądowo-napięciowe.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 15-20
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies