Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "measurements resistance" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-19 z 19
    Tytuł:
    Cyfrowe pomiary rezystancji mostkami zrównoważonymi
    Digital rezistance measurements by means of charge-balanced bridge
    Autorzy:
    Skubis, T.
    Tync, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/158049.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomiary rezystancji
    mostki zrównoważone
    measurements resistance
    means of charge-balanced bridge
    Opis:
    W artykule przedstawiono nowe możliwości równoważenia mostków prądu stałego, wynikające z kluczowania. Mostki równoważone ładunkowo zachowują wszystkie właściwości mostków zrównoważonych oraz mają wiele interesujących nowych właściwości takich jak: możliwość automatycznego równoważenia przez kluczowanie rezystancji, cyfrowa postać wyniku, cyfrowa zmiana czułości mostka, osiągnięcie stanu zrównoważenia mostków, które w układach dotychczasowych pracują jako niezrównoważone i inne.
    New possibilities of DC bridge balanced by choppering of the bridge arm resistance there are presented in the paper. The charge-balanced resistance bridges are characterized by all features well known from balanced Wheatstone bridge, but they have also a lot of interesting new features (automatic balancing by resistance choppering, digital form of the measurement result, digital bridge sensitivity change, balanced circuit as an alternative usually non-balanced bridge). Different modes DC bridge with choppered arm resistance resulting from general bridge balance equation there are pointed out.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2004, R. 50, nr 12, 12; 5-8
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    System stabilizacji temperatury w komorze pomiarowej
    Temperature stabilization system for controlling temperature in measurement chamber
    Autorzy:
    Kocjan, B.
    Krawczyk, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268309.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    pomiary rezystancji
    stabilizacja temperatury
    resistance measurements
    temperature stabilization system
    Opis:
    Zaprezentowano system do stabilizacji temperatury rezystorów wzorcowych podczas ich wzorcowania z bardzo wysoką dokładnością. Podstawowym elementem tego systemu jest komora pomiarowa z modułami Peltiera. Przedstawiono konstrukcję tej komory i wyniki wstępnych badań stabilności długoterminowej temperatury z uwzględnieniem wpływu warunków otoczenia na dokładność systemu. System zapewnia długoterminową stałość temperatury 23°C wewnątrz komory z niestałościa ±0,02 °C.
    One of the factor that influence accuracy of resistance measurements is temperature change during measurements. This paper describes a system to maintain stable air temperature in a measurement chamber. The aim of the system is to stabilize temperature of resistance standards during measurements. Presented system consist of a measurement chamber and temperature controller. In this paper the construction of the measurement chamber and the temperature controller is discussed. Moreover results of the system stabilization tests are presented. The designed and tested stabilization system maintains settled air temperature with the accuracy ±0.015 °C. This satisfied temperature stability requirements for measurements of resistance standard.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 54; 131-134
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary rezystancji przejścia między dwiema nitkami elektroprzewodzącymi
    Measurements of transition resistance between two electroconductive threads
    Autorzy:
    Gniotek, K.
    Zięba, J.
    Frydrysiak, M.
    Tokarska, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/157806.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomiary rezystancji
    rezystancja przejścia
    rezystancja linii
    resistance measurements
    transition resistance
    contact point resistance
    contact line resistance
    Opis:
    W artykule opisano sposób pomiaru nowej cechy tekstyliów jaką jest rezystancja punktu styku i linii styku dwóch nitek elektroprzewodzących nazwana łącznie rezystancją przejścia. Cecha ta ma kluczowe znaczenie w systemach tekstronicznych łączących technologie włókiennicze z elektronicznymi i informatycznymi. Podano przykładowe wyniki pomiarów przeprowadzonych na unikatowych stanowiskach pomiarowych. Opisano też weryfikację hipotezy o wpływie długości linii styku na wartość rezystancji przejścia.
    The paper describes a method for measuring the new feature of textiles, namely the resistance of a contact point and contact line of two electro conductive threads. It is known as a transition resistance. The feature is of special importance in case of textronic systems combining textile, electronic and informatic technologies. The scheme of electroconductive woven fabric and its electrical model is shown. In the structure the contact point resistance is dominant. The contact line resistance is characteristic for knitted structures. They are presented, too, and their electrical model is described. The analysis of the influence of a lap angle of two electro conductive threads on the contact line length was performed. There are also given some results of measurements taken on unique measuring stands. Verification of the hypothesis concerning the influence of the contact line length on the transition resistance value is described. The hypothesis says that when the contact line length increases the line resistance decreases in the lap angle range from 20° to 120°. For the angle value higher than 120° the phenomenon does not exist. The analysis of this phenomenon will be the subject of next investigations.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 9, 9; 1020-1023
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Contactless method for resistance measurement of ultra-thin printed and conductive lines
    Autorzy:
    Szybiński, Krzysztof
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220707.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    inkjet printing electronics
    resistance measurements
    micrometer conducting lines
    contactless method
    resonance circuits
    Opis:
    In this paper the problem of resistance measurement of ultrathin conductive lines on dielectric substrates dedicated for printing electronic industry is discussed. The measured line is transformed in a non-invasive way into a resonance circuit. By using a magnetic coupling between the source line and the tested line, the resistance measurement can be performed non-invasively, i.e. without a mechanical contact. The proposed contactless resistance measurement method is based on the resonance quality factor estimation and it is an example of the inverse problem in metrology.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2020, 27, 3; 427-439
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Koncepcja dwutorowego systemu przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR do wzorców o wartościach do 100 TΩ
    Idea of double path system for resistance unit transfer from QHR primary standard to 100 TΩ standards
    Autorzy:
    Lisowski, M.
    Krawczyk, K.
    Kocjan, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/157896.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    wzorce rezystancji
    transfery Hamona
    pomiary rezystancji
    system pomiarowy
    niepewność pomiarów
    resistance standards
    Hamon transfers
    resistance measurements
    measurements systems
    measurement uncertainty
    Opis:
    Proponowany system jest uzupełnieniem zrealizowanego, w ramach projektu badawczego rozwojowego, systemu przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR do wzorców wtórnych o dodatkowy drugi tor. Zapewni to weryfikację uzyskanych wyników, co ma bardzo istotne znaczenie dla pomiarów o najwyższych dokładnościach. Wymagać to będzie skonstruowania nowych czterech transferów rezystancji: (0,1-1-10) MΩ, (10-100-1000) MΩ, (1-10-100) GΩ i (0,1-1-10) TΩ.
    Authors describe the resistance unit transfer system, from the primary standard QHR to 100 TΩ standards based on Hamon transfers, which they developed (Fig. 1) [5, 6, 8]. Resistance unit is transferred from the QHR to 100 Ω standard with the Cryogenic Current Comparator (CCC), and then with the same comparator to 10 kΩ standard. Next to standard up to 1 GΩ? Hamon, the transfers with Measuremnt International 6000B bridge are used. Above 1 GΩ up to 100 TΩ Hamon transfers and Guildline 6500 teraommeter are used. Hamon transfers which are used in the system are sealed in metal boxes which protect from humidity and external interferences; they are also thermostated with instability of š0.01 °C [5, 9]. Described system is very accurate if voltage applied to Hamon transfer resistors is constant. In practice this is impossible and corrections due to voltage change are necessary, what is main limitation of this system accuracy. Furthermore measurement equipment does not enable sufficient voltage regulation what causes additional errors. Secondary standards are not thermally stabilized, and for teraommeter it is impossible to set measurement time. Described system enables resistance unit transfer with only one path, this does not allow to verify results of measurements. Therefore authors propose to equip existing system with second path, based on additional four Hamon transfers (Fig. 2.). Authors also propose to develop special thermostats for secondary standards and active-arm bridge (Fig. 3.) [10].
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2012, R. 58, nr 9, 9; 779-781
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Evaluation of a commercial high resistance bridge and methods to improve its precision
    Autorzy:
    Mihai, Iulian
    Capra, Pier Paolo
    Galliana, Flavio
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173898.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    high resistance measurements
    dual source bridge
    DSB
    settle-time
    measurement uncertainty
    compatibility test
    measurement noise
    Opis:
    At the National Institute of Metrological Research (INRIM) an evaluation of a commercial dual source high resistance bridge has been performed. Its two main measurement modes (single measurements and multiple measurements) have been investigated. The best settle time of a 10:1 measurement of high resistance ratio has been estimated to be about three times the time constant of the circuit involving the resistors. This constant, in turn, depends on the highest value resistor. By means of mathematical estimators, suitable numbers of the readings of the detector have been established in order to minimize noises. A compatibility test at 100 TΩ has shown that the best precision of the commercial bridge is achieved utilizing the multiple measurements mode with the auto update function. This mode also allows the characterization of a resistor as a function of the settle time. This characterization can be useful for the owner of the resistor who can request the laboratory to perform the calibration of the resistor with the settle time which is necessary for him.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2022, 29, 4; 701--718
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Minimalizacja prądów powierzchniowych rezystorów teraomowych w transferach wysokich rezystancji
    Minimization of resistors surface currents of the teraohm resistance guarded transfer devices
    Autorzy:
    Lisowski, M.
    Kocjan, B.
    Krawczyk, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/268496.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    pomiary rezystancji teraomowych
    prądy powierzchniowe rezystorów
    transfer wysokich rezystancji
    teraohm resistance measurements
    high resistance transfer devices
    surface currents of resistors
    Opis:
    Jednym z wielu czynników wpływających na dokładność transferów teraomowych są prądy powierzchniowe rezystorów. W referacie przedstawiono metodykę badań wpływu tych prądów na mierzoną wartość rezystancji. Zamieszczono wyniki badań eksperymentalnych wykonanych na modelu fizycznym składającym się z dwóch 10 TΩ rezystorów w gałęzi głównej i dwóch 0,1 TΩ rezystorów w gałęzi pomocniczej.
    One of the factor that influence accuracy of high value resistors measurements is presence of surface currents. In the paper the influence of resistors surface currents on high value resistors resistance is discussed. The results of research over minimization of surface currents by applying conductive protective electrode on high value resistors are presented. Also the way of minimization of surface currents in the guarded resistance transfer devices are presented. Moreover, the way of changing resistance settling times are presented.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2018, 59; 127-130
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dynamic resistance measurements of MV switch-disconnector contacts
    Pomiary dynamicznej rezystancji przejścia dla rozłącznika średniego napięcia
    Autorzy:
    Banaszczyk, J.
    Oramus, P.
    Domurad, Z.
    Piekarski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/266937.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    contact resistance
    diagnostics methods
    MV apparatus
    resistance measurements
    switch-disconnector
    aparat elektryczny
    metody diagnostyczne
    pomiary rezystancji
    rezystancja styku
    rozłącznik
    Opis:
    Dynamic Resistance Measurement (DRM) is an effective technique for diagnosing the condition of high power switch contacts. Moreover, the technique can be used to predict the allowable number of switching operations that can be carried out before maintenance of the apparatus is necessary. Since coating materials are characterized by different mechanical and electrical properties, the DRM method can help predict the performance and improve the design of existing high power switches. In this paper both static and dynamic contact resistance measurements for new and worn contact sets of a standard MV switch-disconnector are presented. The contact resistance was measured both in function of the DC injected current magnitude, as well as the number of executed switching operations. The measurements were performed by means of the 4-wire method, and a high speed acquisition digital oscilloscope was used to register the DRM curves.
    Pomiar dynamicznej rezystancji styków jest skuteczną metodą diagnostyki stanu aparatu zestykowego. Metoda ta może być wykorzystana do przewidywania możliwej liczby operacji łączeniowych, które mogą być przeprowadzone przed wymaganym przeglądem technicznym urządzenia. Z uwagi na fakt, iż różne materiały stykowe charakteryzują się zróżnicowanymi parametrami mechanicznymi i elektrycznymi, metoda pomiarowa zaprezentowana w artykule może zostać użyta do poprawy istniejących konstrukcji łączników elektroenergetycznych. Niniejszy artykuł przedstawia wyniki pomiarów statycznej oraz dynamicznej rezystancji styku przeprowadzonych dla rozłącznika średniego napięcia. Rezystancję styku zmierzono w funkcji prądu przepływającego przez badany zestyk oraz w funkcji liczby przeprowadzonych operacji łączeniowych, odpowiednio dla nowego i eksploatowanego układu stykowego. Pomiary wykonano przy użyciu czteroprzewodowej metody, z wykorzystaniem cyfrowego oscyloskopu zapewniającego wysoką częstotliwość próbkowania.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 46; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    An Implementation of a Compact Smart Resistive Sensor Based on a Microcontroller with an Internal ADC
    Autorzy:
    Czaja, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221453.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    microcontrollers
    resistance measurement
    ADC
    time-domain measurements
    Opis:
    In the paper a new implementation of a compact smart resistive sensor based on a microcontroller with internal ADCs is proposed and analysed. The solution is based only on a (already existing in the system) microcontroller and a simple sensor interface circuit working as a voltage divider consisting of a reference resistor and a resistive sensor connected in parallel with an interference suppression capacitor. The measurement method is based on stimulation of the sensor interface circuit by a single square voltage pulse and on sampling the resulting voltage on the resistive sensor. The proposed solution is illustrated by a complete application of the compact smart resistive sensor used for temperature measurements, based on an 8-bit ATxmega32A4 microcontroller with a 12-bit ADC and a Pt100 resistive sensor. The results of experimental research confirm that the compact smart resistive sensor has 1°C resolution of temperature measurement for the whole range of changes of measured temperatures.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2016, 23, 2; 225-238
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Analysis Of Accuracy Of Selected Methods Of Measuring The Thermal Resistance Of IGBTs
    Autorzy:
    Górecki, K.
    Górecki, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220969.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    IGBT
    thermal resistance
    measurements
    transistor
    semiconductor devices
    Opis:
    In the paper selected methods of measuring the thermal resistance of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) are presented and the accuracy of these methods is analysed. The analysis of the measurement error is performed and operating conditions of the considered device, at which each measurement method assures the least measuring error, are pointed out. Theoretical considerations are illustrated with some results of measurements and calculations.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 3; 455-464
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Infiuence of Hydrogen on the Properties of Nanostructured C-Pd Films for Sensing Applications
    Autorzy:
    Kamińska, A.
    Diduszko, R.
    Krawczyk, S.
    Czerwosz, E.
    Sobczak, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/778287.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    C-Pd films
    hydrogen sensor
    GIXD measurements
    resistance changes
    Opis:
    In this paper we present the results of the investigations of nanostructured C-Pd films for hydrogen sensing applications. These C-Pd films were prepared by physical vapor deposition and then annealed in an argon flow at the temperature of 500°C. The structure and morphology of the prepared C-Pd films were investigated using transmission electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. We studied the infiuence of hydrogen on the electrical properties and crystal structure of C-Pd films. It was shown that film resistance changes depended on hydrogen concentration. At lower hydrogen concentration (up to 2 vol.%), the films response increased proportionally to [H2], while above 2 vol.% H2, it was almost constant. This is connected with the formation of a solid solution of hydrogen in palladium at lower H2 concentration and the creation of palladium hydride at higher H2 concentration. X-ray diffraction was used to confirm the formation of Pd-H solid solution and palladium hydride.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2014, 16, 2; 77-81
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Four-point probe resistivity noise measurements of GaSb layers
    Autorzy:
    Ciura, L.
    Kolek, A.
    Smoczyński, D.
    Jasik, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201503.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    low frequency noise
    GaSb noise
    noise measurements
    resistance noise calculation
    Opis:
    This paper concerns measurements and calculations of low frequency noise for semiconductor layers with four-probe electrodes. The measurements setup for the voltage noise cross-correlation method is described. The gain calculations for local resistance noise are performed to evaluate the contribution to total noise from different areas of the layer. It was shown, through numerical calculations and noise measurements, that in four-point probe specimens, with separated current and voltage terminals, the non-resistance noise of the contact and the resistance noise of the layer can be identified. The four-point probe method is used to find the low frequency resistance noise of the GaSb layer with a different doping type. For n-type and p-type GaSb layers with low carrier concentrations, the measured noise is dominated by the non-resistance noise contributions from contacts. Low frequency resistance noise was identified in high-doped GaSb layers (both types). At room temperature, such resistance noise in an n-type GaSb layer is significantly larger than for p-type GaSb with comparable doping concentration.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 135-140
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New approach to the accuracy description of unbalanced bridge circuits with the example of pt sensor resistance bridges
    Autorzy:
    Warsza, Z. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/385278.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Automatyki i Pomiarów
    Tematy:
    resistance bridge
    sensor
    measures of accuracy
    error
    uncertainty of measurements
    Opis:
    After short introduction transfer coefficients of the unloaded four arms bridge of arbitrary variable arm resistances, supplied by current or voltage source, are given in Table 1. Their error propagation formulas are find and two rationalized forms of accuracy measures, i.e. related to the initial bridge sensitivities and of double component form as sum of zero error and increment error of the bridge transfer coefficients are introduced. Both forms of transfer coefficient measures of commonly used bridge - of similar initial arm resistances in balance and different variants of their jointed increments, are given in Table 3. As the example limited errors of some resistance bridges with platinum Pt100 industrial sensors of class A and B are calculated Table 4 and analyzed. Presented approach is discussed and found as the universal solution for all bridges and also for any other circuits used for parametric sensors.
    Źródło:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems; 2010, 4, 2; 8-15
    1897-8649
    2080-2145
    Pojawia się w:
    Journal of Automation Mobile Robotics and Intelligent Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary rezystancji styku nitek elektroprzewodzących
    Measurements of contact resistance of electro conductive yarns
    Autorzy:
    Gniotek, K.
    Zięba, J.
    Frydrysiak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/151646.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomiary
    rezystancja styku
    przędze elektroprzewodzące
    measurements
    contact resistance
    electro conductive yarns
    Opis:
    W referacie przedstawiono modele struktur włókienniczych przewodzących prąd elektryczny, pojedynczych przędz oraz wytworzonych z nich wyrobów dzianinowych i tkanych. Zdefiniowano pojęcie rezystancji elementarnego styku dwóch przędz. Opisano metodę i układy do pomiaru rezystancji styku i tekstylnej elektrody oraz przedstawiono wybrane wyniki pomiarów. Dla zilustrowania zjawiska przepływu prądu przez elektrodę dzianinową przedstawiono rozkład temperatury na jej powierzchni za pomocą kamery termowizyjnej. Rozkład temperatur pokazano również dla styku dwóch przędz elektroprzewodzących. Opisano też wpływ sposobu doprowadzenia prądu do elektrody na wartość rezystancji i zmiany temperatury na jej powierzchni. Przedstawiono układy pomiarowe dla dwóch wariantów doprowadzeń liniowych i punktowych oraz wybrane wyniki pomiarów.
    The presented paper shows the models of electro conducting textile structure, single yarns, knitting and weaving fabrics. The contact resistance definition of two electro conductive yarns for different contact area is determined. It is a result of different placement of the yarns. The paper shows the method and measurement system to contact resistance measurement of single yarns and textile electrode. The selected test results are also presented as well as the temperature surface distribution on textile, knitting electrodes. The temperature surface distribution was also presented for two electro conductive yarns. The authors describe the influence of the electrical leads to resistance value and temperature value. This paper includes measurement schemes for two versions of lead connection: linear and punctual, and received results.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2008, R. 54, nr 9, 9; 653-654
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    System przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR do wzorców 100 TΩ oparty na transferach Hamona
    Autorzy:
    Lisowski, M.
    Krawczyk, K.
    Dudek, E.
    Mosiądz, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/153025.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    spójność pomiarowa
    wzorce rezystancji
    transfery Hamona
    duże rezystancje
    wysoka dokładność
    traceability
    resistance standards
    Hamon transfers
    high resistance
    precision measurements
    Opis:
    Przedstawiono ideę systemu przekazywania jednostki rezystancji od wzorca pierwotnego QHR (Quantum Hall Resistance) do wzorców o dużych wartościach rezystancji, aż do 100 TΩ. W zakresie do 100 kΩ system ten bazuje na komparatorze kriogenicznym, a od 100 kΩ na transferach Hamona. Transfery te umożliwiają bardzo dokładne porównanie wartości rezystancji wzorców w stosunku 1:10 i 1:100. Opisano specjalnie wykonane dla tego systemu prototypowe transfery Hamona i ich zastosowanie w systemie.
    An idea of a system for resistance unit transfer from QHR (Quantum Hall Resistance) to high value resistance standards up to 100 TΩ is presented in the paper. Below 100 kΩ this system is based on a cryogenic current comparator, and above 100 kΩ on Hamon transfers. Hamon transfers allow very accurate comparison of standards resistance values in ratios 1:10 and 1:100. Prototypes of Hamon transfers specially made for this system are described. The factors influencing accuracy of the Hamon transfers are presented. The most important of them are: insulation leakage, temperature variation of resistor surroundings, voltage variation, humidity of surrounding air, charge building in the insulation and highest value resistors. The methods for minimisation of influence of those factors are described. The construction solutions to minimise the leakage current and temperature variation are discussed in details. To minimise the leakage current, double insulation and shield potential rising have been used, while to minimise the temperature variation, internal termostatisation with Peltier elements placed on the boxes of Hamon transfers has been used.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2010, R. 56, nr 11, 11; 1290-1293
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Noise spectroscopy of resistive components at elevated temperature
    Autorzy:
    Stadler, A.W.
    Zawiślak, Z.
    Dziedzic, A.
    Nowak, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221348.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    noise spectroscopy
    low-frequency noise
    resistance noise
    low-frequency noise measurements
    thick-film resistors
    Opis:
    Studies of electrical properties, including noise properties, of thick-film resistors prepared from various resistive and conductive materials on LTCC substrates have been described. Experiments have been carried out in the temperature range from 300 K up to 650 K using two methods, i.e. measuring (i) spectra of voltage fluctuations observed on the studied samples and (ii) the current noise index by a standard meter, both at constant temperature and during a temperature sweep with a slow rate. The 1/f noise component caused by resistance fluctuations occurred to be dominant in the entire range of temperature. The dependence of the noise intensity on temperature revealed that a temperature change from 300 K to 650 K causes a rise in magnitude of the noise intensity approximately one order of magnitude. Using the experimental data, the parameters describing noise properties of the used materials have been calculated and compared to the properties of other previously studied thick-film materials.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 1; 15-26
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych
    Application of the pirometric methods for the thermal resistance of power transistors measurements
    Autorzy:
    Górecki, K.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/157592.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomiary rezystancji termicznej tranzystorów
    metody pirometryczne
    application of pirometric methods
    thermal resistance
    power transmitors measurements
    Opis:
    Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.
    In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2003, R. 49, nr 1, 1; 41-44
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Prace profesora Włodzimierza Krukowskiego (1887 - 1941) w dziedzinie układów pomiarowych i ich rola w rozwoju metrologii elektrycznej
    The work of Professor Wlodzimierz Krukowski (1887 - 1941) in the field of measurement circuits and their role in the development of electrical metrology
    Autorzy:
    Warsza, Z. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/156445.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    pomocnicze układy laboratoryjne
    pomiary rezystancji wewnętrznej akumulatorów
    rezystory wzorcowe
    kompensator prądu przemiennego
    pomiary 3- fazowe mocy
    pomiary energii
    pomiary strat
    auxiliary laboratory systems
    battery internal resistance measurement
    standard resistors
    AC potentiometer
    3-phase power measurements
    energy losses
    power losses
    Opis:
    Przedstawiono studium o pracach Profesora Politechniki Lwowskiej Włodzimierza Krukowskiego twórcy wielu elektrycznych układów pomiarowych i ich historycznym znaczeniu dla rozwoju metrologii elektrycznej. We wprowadzeniu scharakteryzowano krótko karierę zawodową i dorobek Profesora oraz Jego uczniów i następców. Następnie omówiono Jego prace dotyczące pomocniczych układów laboratoryjnych, w tym: do regulacji napięcia przy sprawdzaniu przyrządów, do eliminacji wpływu prądów upływu izolacji i do pomiaru ogniw wzorcowych i rezystancji wewnętrznej akumulatorów. Przedstawiono Jego podstawowe prace w dziedzinie układów do dokładnych pomiarów rezystancji wzorcowych, kompensatorów prądu stałego i przemiennego oraz przykład patentu do pomiarów mocy w obwodach trójfazowych. Podkreślono ponadczasową rolę prac Profesora w metrologii.
    The study about works of Professor Vladimir Krukowski of Lvov Polytechnic, author of many electrical measurement systems and his historical significance for the development of the electrical metrology is presented. The introduction briefly characterizes career and achievements of the Professor, his collaborators and successors. He put an enormous personal and organizational contributions to the development of the electrical measurement techniques in three European countries: Germany, Poland and Ukraine. There are discussed his works concerned with laboratory circuits supporting measurements, including ones for voltage regulation at instrument calibration, for elimination of isolation leakage current impact on measurements, and circuit for the measurement of standard cells and internal resistances of batteries. The main work of prof. Krukowski in the field of high accuracy measuring systems, both the DC and AC, is also discussed. Fundamental work of prof. Krukowski in the field of systems for accurate measurement of standard resistances, DC and AC potentiometers, and an example of a patent for power measurements in three phase circuits are described. Fundamental input to the metrology of prof. Krukowski's works is underlined.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2012, R. 58, nr 1, 1; 144-153
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania właściwości przeciwpoślizgowych nawierzchni urządzeniami do testów w trybie ciągłym
    Testing the anti-skid properties of pavements using the continuous measurements devices
    Autorzy:
    Pożarycki, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1857605.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Komunikacji Rzeczpospolitej Polskiej
    Tematy:
    badania porównawcze urządzeń
    pomiary tarcia w ruchu
    współczynnik przyczepności koła do nawierzchni
    korelacja
    właściwości przeciwpoślizgowe
    pomiar szorstkości w trybie ciągłym
    comparative testing of devices
    measurements of friction in motion
    coefficient of grip of the wheel to the pavement surface
    correlation
    anti-skid resistance properties
    continuous friction measurement
    Opis:
    W artykule opisano relatywnie nowy model urządzenia mechanicznego wybudowanego w Polsce do określania właściwości przeciwpoślizgowych nawierzchni. Pomimo że urządzenie powstało na potrzeby badania nawierzchni lotniskowych, sposób podejścia do kształtowania układu mechanicznego wywołującego docisk pionowy koła pomiarowego do nawierzchni predysponuje takie rozwiązanie również do wykorzystania go do badań nawierzchni drogowych. Chcąc przedstawić szerokie spektrum reakcji urządzenia na różne warunki poślizgu panujące na drogach, analizę poparto zarówno zbiorem wyników badań nawierzchni, na której warunki poślizgu zostały wymuszone w sposób sztuczny, jak i wynikami z badań nawierzchni lotniskowych in situ. W następstwie przedstawiono statystyczne aspekty uzyskiwanych wartości pomierzonych w zmiennych warunkach charakterystycznych dla zmian właściwości przeciwpoślizgowych rejestrowanych na nawierzchniach w ciągu roku.
    The article describes a relatively new model of a mechanical device built in Poland to determine the anti-slip properties of pavement surfaces. Despite the fact that the device was created to test airport pavements, the approach to shaping the mechanical system that causes the vertical force of the measuring wheel on the surface of the pavement predisposes this solution also to use it to test the surface of the pavement. To present the wide spectrum of the device’s response to various conditions of slip on roads, the analysis was supported by both a set of pavement test results, on which slip conditions were artificially enforced, as well as in-situ test results. Next, statistical aspects of the obtained values measured in variable conditions characteristic for changes of anti-skid resistance properties registered on pavements during the year are presented.
    Źródło:
    Drogownictwo; 2019, 9; 250-257
    0012-6357
    Pojawia się w:
    Drogownictwo
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-19 z 19

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies