Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "magnetoresistive effect" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Thermo-, magneto- and photo- dependent electrical properties of hierarchical InSe<β-CD> supramolecular compound
Autorzy:
Popławski, T.
Bordun, I.
Pidluzhna, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201151.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
impedance analysis
InSe
β-cyclodextrin
photoresistive effect
magnetoresistive effect
Opis:
The hierarchical structure of InSe<β-CD> composition with 4-fold grade expansion was synthesized with the intercalation-deintercalation technique. Electrical properties of the structure obtained were examined using impedance and thermostimulated current spectroscopy methods. Influence of temperature, static magnetic field and illumination on electrical properties of the synthesized compound was investigated. Changes in the impurity spectrum of the expanded hierarchical structure were analyzed and extraordinary magneto- and photoimpedance behavior of InSe<β-CD> at room temperature was explained.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 2; 361-366
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Temperature error of Hall-effect and magnetoresistive commercial magnetometers
Autorzy:
Nowicki, M.
Kachniarz, M.
Szewczyk, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141287.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
magnetic field measurement
magnetometers
Hall-effect
magnetoresistive
temperature error
Opis:
The paper presents a special measurement system for investigation of temperature influence on the indication of commercially available sensors of the magnetic field. Utilizing the developed system, several magnetoresistive and Hall-effect sensors were investigated within the temperature range from –30°C to 70°C. The obtained results indicate that sensitivity of most of the investigated sensors is unaffected, except the basic magnetoresistive device. However, Hall-effect sensors exhibit considerable temperature drift, regardless of the manufacturer.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2017, 66, 3; 625-630
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies