Temat: elipsometria - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Application of a biosensor based on SPR using spectroscopic ellipsometer
Zastosowanie czujnika biologicznego bazującego na powierzchniowym rezonansie plazmonu (SPR) używającego elipsometrii spektroskopowej
Autorzy:: Bombarová, K.
Chlpík, J.
Cirák, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/408090.pdf
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:: SPR
ellipsometry
TIRE
biosensor
elipsometria
Opis:: The work is focused on the possibility to use spectroscopic ellipsometer in biosensor application. Operation of the ellipsometer is enhanced by the feature of TIRE (Total Internal Reflection Ellipsometry). The principal goal is to detect analytes in aqueous solutions at low concentrations below 0.1 nmol/l.
Praca koncentruje się na możliwości wykorzystania elipsometrii spektroskopowej w aplikacjach czujnika biologicznego. Działanie elipsometru potęguje cechy TIRE (ang. Total Internal Reflection Ellipsometry). Głównym celem jest wykrywanie składników czy substancji chemicznych w roztworze wodnym przy niskich stężeniach poniżej 0,1 nmol / l.
Źródło:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2014, 3; 65-67
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Pomiary naprężeń w strukturach MOS metod interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej
Stress determination of MOS structures by interference and spectroscopic ellipsometry method
Autorzy:: Borowicz, L. K.
Borowicz, P.
Rzodkiewicz, W.
Piskorski, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/157406.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: struktury MOS
naprężenie
interferometria
elipsometria
parametry elektryczne
Metal Oxide Semiconductor
MOS structures
stress
interferometry
ellipsometry
electrical parameters
Opis:: Zmierzone parametry elektryczne struktur MOS wskazują na obecność naprężeń mechanicznych panujących w tlenku pod powierzchnią bramki metalowej. Przyjęto do badań dwie metody optyczne: elipsometrii i mikro-interferometrii. Do oceny ugięcia prążków interferencyjnych spowodowanego zmianami drogi optycznej w warstwie dielektryka pod wpływem naprężeń stworzono oprogramowanie komputerowe oparte na regresji nieliniowej. Inny sposób oceny tej wielkości wykorzystuje ekwidensytometrię. Pomiary optyczne pozwoliły wyznaczyć niektóre składowe tensora naprężeń w warstwie dielektryka sąsiadującej z krawędzią bramki.
Observed changes in some electrical parameters of MOS structures indicate existence of stresses in SiO2 layer under aluminum gate. In order to find out why these parameters were changed, we have studied optical properties of the dielectric in the vicinity of metal and poly-silicon gate.
Źródło:: Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 325-328
0032-4140
Pojawia się w:: Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Elipsometria spektroskopowa kryształów ferroelektrycznych w nadfiolecie próżniowym
Spectroscopic ellipsometry of the ferroelectric crystals in the vacuum ultraviolet
Autorzy:: Andriyevsky, B.
Patryn, A.
Ciepluch-Trojanek, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/118574.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:: kryształy ferroelektryczne
funkcja dielektryczna
elipsometria
nadfiolet próżniowy
promieniowanie synchrotronowe
ferroelectric crystals
dielectric function
ellipsometry
vacuum ultraviolet
synchrotron radiation
Opis:: Badania kryształów ferroelektrycznych pozostają jednym z głównych kierunków współczesnej nauki o ciele stałym głównie dzięki zainteresowaniom mechanizmami mikroskopowymi przemian fazowych. Z tego względu ważne jest badanie struktury elektronowej pasmowej i osobliwości wiązań chemicznych międzyatomowych w kryształach ferroelektryków. Takie dane są niezbędne do wyjaśnienia osobliwości oddziaływania elektron-fononowego i ewentualnych mechanizmów strukturalnych przemian fazowych. Widma optyczne współczynnika odbicia R kryształów TGS w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych były badane w zakresie energii fotonów E od 4 do 22 eV, głównie w pracach [1, 2]. Jednak metodyka pomiarów współczynników odbicia R(E) w tych pracach nie gwarantowała obliczenie przy pomocy relacji KramersaKroniga widm części rzeczywistej i urojonej przenikalności elektrycznej e1(E) i e2(E) kryształów TGS o wystarczająco wysokiej dokładności. W niniejszej pracy są przedstawione wyniki badań właściwości optycznych w zakresie wzbudzenia elektronów walencyjnych ferroelektrycznych kryształów siarczanu trójglicyny (TriGlycine Sulfate, TGS), (CH2NH2COOH)3×H2SO4, otrzymane metodą elipsometrii spektroskopowej z wykorzystaniem promieniowania synchrotronu BESSY-II w Berlinie. Ta metodyka, w porównaniu do stosowanej w pracach [1, 2], jest generalnie o wiele dokładniejsza.
Źródło:: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2009, 1; 75-86
1897-7421
Pojawia się w:: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Ellipsometry based spectroscopic complex for rapid assessment of the Bi2Te3-xSexthin films composition
Elipsometryczny system spektroskopowy do szybkiej oceny składu cienkich warstw Bi2Te3-xSex
Autorzy:: Kovalev, Vladimir
Uvaysov, Saygid
Bogucki, Marcin
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2070267.pdf
Data publikacji:: 2021
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:: thin films
optical properties
spectroscopy
Fourier transform
ellipsometry and polarimetry
optics on surfaces
instrumentation
measurement and metrology
cienka warstwa
właściwości optyczne
spektroskopia
transformata Fouriera
elipsometria i polarymetria
optyka cienkowarstwowa
oprzyrządowanie
pomiary i metrologia
Opis:: A comparative analysis of the current state and development of spectral ellipsometry (SE) is carried out, the main limitations typical of popular configurations of measuring devices are determined. An original technical solution is proposed that allows one to create a two-source SE that implements the ellipsometry method with switching orthogonal polarization states. The measuring setup provides high precision of measurements of ellipsometric parameters Ψand Δin the spectral range of 270–2200 nm and the speed determined by the characteristics of pulsed sources with a simple ellipsometer design.As objects for experimental researches, confirming the efficiency and high precision qualities of the fabricated SE, we used a GaAs/ZnS-quarter-wave device for a CO2laser and SiO2on Si calibration plates. The optical properties of Bi2Te3-xSexfilms were investigated in the range of 270–1000 nm using a multi-angle SE. It was shown that the optical properties of Bi2Te3-xSexfilms monotonically change depending on the ratio of selenium and tellurium.
W artykule najpierw dokonano analizy porównawczej obecnego stanu rozwoju elipsometriispektroskopowej oraz określono główne ograniczenia typowe dla popularnych konfiguracji urządzeń pomiarowych. Zaproponowano oryginalne rozwiązanie techniczne pozwalające na stworzenie dwuźródłowego elipsometu spektroskopowego z przełączaniem ortogonalnych stanów polaryzacji. Układ pomiarowy zapewnia wysoką precyzję pomiarów parametrów elipsometrycznych Ψ i Δ w zakresie spektralnym 270–2200 nm i prędkości wyznaczonej przez charakterystyki źródeł impulsowych przy prostej konstrukcji elipsometru. Jako obiekty do badań eksperymentalnych potwierdzających wydajność i wysoką precyzję proponowanego elipsometu spektroskopowego, wykorzystano ćwierćfalowy przyrząd GaAs/ZnS dla lasera CO2oraz płytki kalibracyjne SiO2na krzemie. Właściwości optyczne warstw Bi2Te3-xSexzbadano w zakresie 270–1000 nm przy użyciu wielokątowego elipsometu spektroskopowego. Wykazano, że właściwości optyczne cienkich warstw Bi2Te3-xSexzmieniają się monotonicznie w zależności od stosunku zawartości selenu i telluru.
Źródło:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2021, 11, 4; 67--74
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:: Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "elipsometria" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język