Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zn doping" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Podatność modyfikowanych powłok SiO2 na zasiedlenie przez bakterie
The susceptibility of modified SiO2 coatings to bacterial colonization
Autorzy:
Porębska, K.
Jakubowski, W.
Sobczyk-Guzenda, A.
Pietrzyk, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/284750.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
Tematy:
powłoki SiO2
zol-żel
domieszkowanie Zn
powłoki antybakteryjne
powłoki hydrofobowe
SiO2 coating
sol-gel
Zn doping
anti-bacterial coatings
hydrophobic coatings
Opis:
Zasiedlanie przez bakterie powierzchni różnych materiałów może być zarówno źródłem infekcji jak również stanowić przeszkodę dla prawidłowego funkcjonowania niektórych konstrukcji i urządzeń biomedycznych. Wytwarzanie powłok antybakteryjnych może być skuteczną metodą zabezpieczania powierzchni przed ich kolonizacją przez bakterie. W niniejszej pracy modyfikowane powłoki SiO2 wytwarzano metodą zol-żel na podłożach szklanych i stalowych. Zole przygotowano na bazie tetraetoxysilanu (TEOS), modyfikując ich właściwości za pomocą methyltrimethoxysilanu (MTMS) i domieszki azotanu cynku. Właściwości antybakteryjne powłok sprawdzono poprzez zbadanie ich podatności na kolonizację przez bakterie Escherichia coli. Stwierdzono, że dodatek antybakteryjny w postaci azotanu cynku ogranicza podatność na zasiedlanie bakterii a hydrofobowość nie ma zasadniczego wpływu na poziom zasiedlenia bakterii E.coli.
Colonization of surfaces of materials by bacteria can be a source of infection, as well as an obstacle for the proper functioning of some of the biomedical equipment. Preparation of anti-bacterial coating may be an effective method of protecting of the surface prior to colonization by the bacteria. In this paper, modified SiO2 coating have been prepared by the sol-gel method on glass and stainless steel substrates. As the precursor of sols tetraethoxysilan (TEOS) was used. The properties of sols were modified using additives of methyltrimethoxysilan (MTMS) and zinc nitrate. Antibacterial properties of coatings were determined by examining of their susceptibility to colonization by the bacteria Escherichia coli. It was found that the addition of zinc nitrate reduces the risk of bacterial colonization and hydrophobicity is not essential to the level of E. coli colonization.
Źródło:
Engineering of Biomaterials; 2014, 17, no. 128-129; 67-71
1429-7248
Pojawia się w:
Engineering of Biomaterials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Cz
Te
Si
Zn
koncentracja domieszek
GDMS
Cz method
doping
dopant concentration
Opis:
Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies