Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "71.55.At" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Residual Resistivity Due to Vacancies in Alkali Metals
Autorzy:
Gajjar, P. N.
Thakore, B. Y.
Luhar, J. S.
Jani, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931622.pdf
Data publikacji:
1994-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.At
72.15.-v
71.25.Pi
Opis:
We have used a pseudopotential technique to examine the contribution of monovacancy, which is one of the point defects, to the resistivity of alkali metals. Two different forms of the bare-ion local pseudopotential, to describe the electron-ion interaction in metals, have been employed in the present work. Various forms of the dielectric function lave been used to incorporate the exchange and correlation effects among the conduction electrons. Varying effect of dielectric functions on the computed results is concluded while comparing our findings with other theoretical data.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 3; 369-374
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Passivation of a Bulk Defect E$\text{}_{c}$-0.22 eV in GaAs by Contact with Phosphoric Acid
Autorzy:
Babiński, A.
Gołdys, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886500.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.70.At
81.60.Cp
71.55.Eq
Opis:
The E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap in Horizontal Bridgman undoped n-type GaAs may be passivated by contact with phosphoric acid for 8 hours at room temperature. Isochronal annealing, at around 250°C for 1 hour resulted in the partial recovery of this defect. The possible mechanisms of E$\text{}_{c}$-0.22 eV trap passivation are proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 277-280
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Amorphous Carbon Thin Films Deposited on Si and PET: Study of Interface States
Autorzy:
Mariazzi, S.
Macchi, C.
Karwasz, G. P.
Brusa, R. S.
Laidani, N.
Bartali, R.
Gottardi, G.
Anderle, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043339.pdf
Data publikacji:
2005-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ac
71.60.+z
73.20.At
78.70.Bj
Opis:
Thin carbon films with various thicknesses, deposited on different substrates (Si and poly-ethylene-terephthalate) at the same operating conditions in a radio frequency plasma enhanced chemical vapour deposition system were characterized by Doppler broadening spectroscopy. The films and the substrates were depth profiled by a slow positron beam. The aim of these measurements was to study the open volume structure and the interface of the films. It was found that, independently from the substrate, the films were homogeneous and exhibited the same open volume distribution. On the contrary, the effective positron diffusion length in the Si substrate was found to change with the thickness of the carbon films. This behaviour was interpreted as a change in the electric field at the carbon/silicon interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 5; 842-847
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies