Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "31.20.Ej" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    On Symmetry-Concerted Organometallic Analogues of the Ethylene Dimerization
    Autorzy:
    Roszak, S.
    Chojnacki, H.
    Balasubramanian, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933446.pdf
    Data publikacji:
    1995-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    31.20.Ej
    Opis:
    A theoretical study of the C$\text{}_{2v}$ symmetry-concerted reaction is presented for the addition of ethylene and molybdenum dimer. The potential curves corresponding to different self-consistent field closed shell configurations are studied. A comparison of ethylene dimerization and ethylene-Mo$\text{}_{2}$ formation reactions indicates close similarities and applicability of the Woodward-Hoffmann model, developed originally for olefins, to organometallics.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 6; 965-969
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonant Spin Splitting in III-V Semiconductors
    Autorzy:
    Skierkowski, A.
    Majewski, J. A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2044536.pdf
    Data publikacji:
    2005-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    31.15.Ar
    71.70.Ej
    71.20.-b
    71.20.Nr
    Opis:
    We present first-principles studies of the zero field spin splitting of energy bands in typical III-V semiconductors. Our calculations reveal that the strain induces linear-k spin splitting of the conduction band in theΓ point, which is linear in strain, and determine the magnitude of the so-called acoustic phonon constant that characterizes the magnitude of the spin splitting. In addition, we show that optical phonons lead to spin-flip processes and we present quantitative results for the spin-phonon deformation potentials in GaAs. Most importantly, the calculations show that the linear-k spin splitting can be resonantly enhanced when bands cross in a particular point of the Brillouin zone. This resonant enhancement of the bulk inversion asymmetry coupling constant by more than one order of magnitude was observed in both valence and conduction bands and can be steered by the application of the external stress. This allows tailoring of the spin relaxation and spin precession of conduction electrons in nanostructures to a much larger extent than was hitherto assumed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 867-872
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies