Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wieteska, M." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Increasing the signal to noise ratio in low-field MR scanner at department of nuclear and medical electronics
Techniki wzmocnienia stosunku sygnał-szum w niskopolowym skanerze MR w zakładzie elektroniki jądrowej i medycznej
Autorzy:
Wieteska, M.
Obrębski, W.
Piątkowska-Janko, E.
Sawionek, B.
Bogorodzki, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408155.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
magnetic resonance imaging
tomografia rezonansu magnetycznego
Opis:
This article presents studies carried by laboratory of Biomedical and Nucleonic Computer Systems. Our research concerns improvement of quality of imaging in low-field MRI scanner with field strength of 0.23 T as well as development of techniques of proton-electron dual resonance imaging and hyperpolarization of noble gases. Achieved results may contribute to improvement of multiple techniques of medical diagnostics, in particular functional study of lungs and heart as well as brain perfusion.
Niniejszy artykuł przedstawia przegląd prac prowadzonych przez zespół pracowni Biomedycznych i Nukleonicznych Systemów Komputerowych. Zaprezentowane badania dotyczą poprawy jakości obrazowania w niskopolowym skanerze rezonansu magnetycznego o indukcji pola głównego 0,23 T oraz rozwoju technik podwójnego rezonansu protonowo-elektronowego i hiperpolaryzacji gazów szlachetnych. Rezultaty naszych prac mogą przyczynić się do poprawy technik diagnostyki medycznej, w szczególności takich jak funkcjonalne badanie płuc i serca jak i perfuzja mózgu.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 1; 133-136
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The effect of micronutrient deficiencies on the health status of transition cows
Autorzy:
Żarczyńska, K.
Żarczyński, P.
Sobiech, P.
Snarska, A.
Stopyra, A.
Wieteska, M.
Płaczek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/962683.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Uniwersytet Warmińsko-Mazurski w Olsztynie / Polskie Towarzystwo Magnezologiczne im. Prof. Juliana Aleksandrowicza
Opis:
Minerals, in particular micronutrients such as copper, manganese, zinc, selenium and chromium, deliver health benefits for high-yielding dairy cows. The availability of nutrients is particularly important during the transition period (between 3 weeks prepartum to 3-4 weeks postpartum), which is a highly vulnerable time in the production cycle that determines the health status of lactating cows, their milk yield and reproductive performance. In cows, prolonged mineral deficiency can produce subclinical symptoms of nutrient deficiency and, if untreated, can lead to a clinical presentation of the disorder. Less severe deficiencies, in particular micronutrient deficiencies, are more difficult to identify because they induce only minor functional and structural changes in the body, but together with energy metabolism disorders, they can lead to oxidative stress and immunosuppression, in particular in the transition period. Micronutrient supplements reduce the harmful effects of free radicals because the majority of micronutrients form the active centers of antioxidant enzymes. Dietary supplementation promotes reproductive performance, healthy fetal development and immunity. Micronutrients alleviate bacterial infections associated with mastitis, lower somatic cell counts in milk and minimize the risk of metabolic diseases caused by a negative energy balance. This study discusses the role of the major micronutrients in cattle nutrition and their effect on the health status of transition cows.
Źródło:
Journal of Elementology; 2017, 22, 4
1644-2296
Pojawia się w:
Journal of Elementology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zołzy - problem wciąż aktualny
Strangles, still important equine disease
Autorzy:
Witkowska-Pilaszewicz, O.
Wieteska, M.
Dlugolecka, E.
Strypikowska, L.
Koziol, S.
Mickiewicz, M.
Witkowski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/858607.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Krajowa Izba Lekarsko-Weterynaryjna
Źródło:
Życie Weterynaryjne; 2017, 92, 01
0137-6810
Pojawia się w:
Życie Weterynaryjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interference Fringes in the Plane Wave Topographic Images of Growth Bands in Si:Ge
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Lefeld-Sosnowska, M.
Regulska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030662.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
An Si:Ge crystal with approximately 3% of germanium was studied with strongly collimated short-wavelength monochromatic synchrotron beam (beamline E2 at HASYLAB). The topographs obtained in the asymmetric 224 reflection revealed the presence of interference fringes related to growth bands caused by segregation of germanium. The fringes, observed for the first time, were strongly dependent on the angular setting and it was possible to distinguish at least three systems of fringes. A number of features of the existing strain field, which may be important for the formation of the fringes, was determined using other topographic methods, especially the Bragg-case section topography.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 729-734
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
White Beam Synchrotron Topographic Characterisation of Silicon Wafers Directly Bonded by Oxide Layer
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Graeff, W.
Gawlik, G.
Pawłowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011029.pdf
Data publikacji:
1999-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.Yh
68.35.-p
Opis:
Various types of layer structures obtained by direct bonding of oxidised silicon wafers were studied by means of different X-ray topographic methods using white synchrotron beam and the observation of selective etching pattern using scanning electron microscopy and optical microscopy with Nomarski contrast. In the present investigation the particularly important results were obtained with synchrotron section topography, which revealed different defects caused by bonding of thick wafers, in particular the dislocations and microcracks. The different situation was observed in the case of bonding with a very thin layer separated from a silicon substrate by high dose proton implantation. In this case a thin layer accommodated practically all induced strain and the bonded oxidised thick substrate remained defect-free in its inner volume.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 283-288
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi
Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray techniques
Autorzy:
Sakowska, H.
Mazur, K.
Teklińska, D.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Gała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192399.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
utlenianie katalityczne
polerowanie
catalytic oxidation
polishing
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu utleniania chemicznego i wygrzewania na poprawę jakości polerowanej, krzemowej, powierzchni płytek SiC. Do chemicznego utleniania zastosowano reakcję Fentona. Czynnikiem utleniającym były rodniki hydroksylowe (OH*) powstające z rozkładu nadtlenku wodoru (H2O2) w obecności jonów żelaza Fe(II). Uzyskano poprawę parametrów chropowatości przy określonych warunkach utleniania. Wygrzewanie płytek polerowanych standardowo, w odpowiednio dobranych warunkach, pozwoliło na uzyskanie chropowatości na poziomie atomowym Ra ∼ 0,1 nm oraz znaczną redukcję warstwy uszkodzonej. Jakość krystaliczną płytek badano przy użyciu metod rentgenograficznych: dyfraktometrii, topografii i reflektometrii. Pomiary gładkości powierzchni, przed i po obróbce badano przy pomocy mikroskopu optycznego z kontrastem Nomarskiego i mikroskopu sił atomowych AFM.
Experimental results of chemical oxidation and thermal annealing and their influence on the improvement of the quality of the polished surface of silicon carbide (SiC) wafers have been presented. The Fenton process was used in the process of chemical oxidation. Hydroxyl radicals (OH*) generated during the decomposition of a hydrogen peroxide (H2O2) solution were the oxidizing agents. The quality of the roughness parametres was improved. After thermal annealing in vacuum at T 900°C a very smooth surface was obtained, subsurface damaged layers were reduced, with Ra ∼ 0,1 nm. Both the crystallographic quality and roughness of the layers were investigated using X-ray methods. The surface smoothness before and after processing was measured using an atomic force microscope (AFM) and an optical microscope.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 3-10
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conventional and Synchrotron X-Ray Topography of Defects in the Core Region of $SrLaGaO_4$
Autorzy:
Malinowska, A.
Lefeld-Sosnowska, M.
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Pajączkowska, A.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812255.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Nn
61.72.Lk
61.72.Qq
Opis:
$SrLaGaO_4$ single crystals are perspective substrate materials for high temperature superconductors thin films, elements of thermal radiation receivers and other electronic devices. The defect structure of the Czochralski grown $SrLaGaO_4$ crystal was investigated by means of X-ray topography exploring both conventional and synchrotron sources. The crystal lattice defects in the core region of the crystal were investigated. The regular network of defects arranged in rows only in ⟨100⟩ direction was observed. Owing to high resolution of synchrotron radiation white beam back reflection topographs one can distinguish individual spots forming the lines of the rows. It can be supposed that these elongated rod-like volume defects are located in 100 lattice planes forming a kind of walls. They are built approximately of the same phase as crystal but crystallize at a different moment than a rest of the crystal due to the constitutional supercooling.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 433-438
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of oxide crystals by means of synchrotron and conventional X-ray diffraction topography
Badanie monokryształów tlenkowych za pomocą synchrotronowej i konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Wieteska, K.
Wierzbicka, E.
Mazur, K.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192397.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
X-ray diffraction topography
crystal lattice defects
Czochralski method
dyfrakcyjna topografia rentgenowska
defekty sieci krystalicznej
metoda Czochralskiego
Opis:
X-ray diffraction topography, exploring both conventional and synchrotron sources of X-rays, has been widely used for the investigation of the structural defects in crystals of oxides. The majority of bulk oxide crystals have been grown by the Czochralski method from a melted mixture of high purity oxides. Some important oxide crystals like quartz and ZnO have been obtained by the hydrothermal method. In the case of crystals grown by the first method, synchrotron diffraction topography can be and was used for studying individual dislocations and their complexes (e.g. glide bands, sub-grain boundaries), individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. What is more, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of the defects, which becomes useful for improving the growth technology. In the present paper the possibilities of the diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the oxide crystals, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates. the majority of the results refer to oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology (ITME). The synchrotron investigations included in the paper were performed by the authors at the HASYLAB Synchrotron Laboratory in Hamburg.
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna, wykorzystująca zarówno konwencjonalne, jak i synchrotronowe źródła promieniowania rentgenowskiego, jest od wielu lat z powodzeniem stosowana do badania defektów strukturalnych w różnego rodzaju monokryształach. Szeroką grupę tych materiałów stanowią kryształy tlenkowe, które w większości są otrzymywane metodą Czochralskiego ze stopionej mieszaniny tlenków o wysokiej czystości. Do otrzymywania kryształów tlenków, takich jak kwarc i ZnO, stosuje się metodę hydrotermalną. rentgenowska topografia dyfrakcyjna może być wykorzystana do badania indywidualnych dyslokacji i ich kompleksów (np. pasma poślizgowe, granice niskokątowe), pojedynczych bloków, zbliźniaczeń, struktury domenowej i różnych efektów segregacyjnych. Wszystkie te defekty mogą wpływać negatywnie na jednorodność i właściwości kryształów. Badania topograficzne mogą również dostarczyć informacji dotyczących przyczyn powstawania defektów, co przydatne jest w doskonaleniu technologii. W niniejszej pracy omówiono możliwości topografii dyfrakcyjnej na podstawie przeprowadzonych badań szeregu kryształów tlenkowych, w szczególności granatów, ortowanadianów, mieszanych niobianów wapnia, baru i strontu oraz glinianów prazeodymu i lantanu. Większość wyników dotyczy monokryształów tlenków otrzymywanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych (ITME). uwzględnione badania synchrotronowe zostały przeprowadzone przez autorów w Laboratoriom Synchrotronowym HASYLAB w Hamburgu.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 4, 4; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Structure Formed at Different Stages οf Growth Process in Erbium, Calcium and Holmium Doped $YVO_{4}$ Crystals
Autorzy:
Malinowska, A.
Wierzbicka, E.
Lefeld-Sosnowska, M.
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Łukasiewicz, T.
Świrkowicz, M.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538950.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The defect structure of $YVO_{4}$ single crystals doped with $Er^{3+},$ $Ho^{3+}$ and $Ca^{2+}$ were studied by X-ray diffraction topographic methods, using laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure was the dominating imperfection of the investigated crystals observed both in conventional Lang and synchrotron topographs. The evaluation of block misorientation was realised by means of superimposed projection and section white beam synchrotron radiation topographs. More possibilities of following the mutual rotation of blocks were provided by means of white beam synchrotron radiation WBSR projection topographs exposed through the fine mesh.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 328-331
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterisation of the Defect Structure in Gadolinum Orthovanadate Single Crystals Grown by the Czochralski Method
Autorzy:
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Paulmann, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431600.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The $GdVO_4$ single crystals, both undoped and doped with erbium or thulium, were studied by means of X-ray diffraction topographic methods exploring laboratory and synchrotron radiation sources. Variously developed block structure, caused probably by thermal stresses, was revealed. The highest crystallographic perfection was observed in the crystal doped with 4 at.% of thulium, which was free of the grain boundaries in the end part. Contrary to that, the differences in structural perfection between samples cut out from various regions of the crystal and for different kinds of doping, were less distinct in other crystals. The diffraction topographic methods enabled the statement that the misorientation between various blocks is in the range of several arc minutes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 906-909
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Composition and Structure of Czochralski Silicon Implanted with $H_{2}^{+}$ and Annealed under Enhanced Hydrostatic Pressure
Autorzy:
Kulik, M.
Kobzev, A.
Misiuk, A.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Bak-Misiuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538976.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.U-
61.72.uf
66.10.C-
61.80.Jh
81.20.-n
82.80.Yc
85.40.-e
Opis:
Depth distribution of implanted species and microstructure of oxygen-containing Czochralski grown silicon (Cz-Si) implanted with light ions (such as $H^{+}$) are strongly influenced by hydrostatic pressure applied during the post-implantation treatment. Composition and structure of Si:H prepared by implantation of Cz-Si with $H_{2}^{+}$; fluence D = 1.7 × $10^{17} cm^{-2}$, energy E = 50 keV (projected range of $H_{2}^{+}$, $R_{p}(H)$ = 275 nm), processed at up to 923 K under Ar pressure up to 1.2 GPa for up to 10 h, were investigated by elastic recoil detection Rutherford backscattering methods and the depths distributions of implanted hydrogen and also carbon, oxygen and silicon in the near surface were determined for all samples. The defect structure of Si:H was also investigated by synchrotron diffraction topography at HASYLAB (Germany). High sensitivity to strain associated with small inclusions and dislocation loops was provided by monochromatic (λ = 0.1115 nm) beam topography. High resolution X-ray diffraction was also used.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 332-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-Ray Topographic Studies of Defect Structure in $YVO_4$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Łukasiewicz, T.
Wierzbicka, E.
Malinowska, A.
Lefeld-Sosnowska, M.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812259.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The perfection of $YVO_4$ crystals, which are predicted to replace formerly used YAG garnets due to higher quantum efficiency and lower excitation level, was studied. The investigations of Czochralski grown undoped $YVO_4$ single crystals were performed mainly by means of X-ray topographic methods. Both synchrotron and conventional X-ray sources were used. The study revealed relatively high density of weak point-like contrasts which can be most probably interpreted as dislocation outcrops. In regions of the crystal close to its boundary we observed glide bands. It was also found that in some regions the dislocations form local subgrain boundaries. The white beam back reflection and monochromatic beam topography allowed to evaluate a local misorientation which not exceeded several angular minutes. No segregation fringes were observed proving a good homogeneity of chemical composition.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 455-461
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synchrotron Diffraction topography in Studying of the Defect Structure in Crystals Grown by the Czochralski Method
Autorzy:
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Malinowska, A.
Wierzbicka, E.
Lefeld-Sosnowska, M.
Świrkowicz, M.
Łukasiewicz, T.
Pajączkowska, A.
Paulmann, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399483.pdf
Data publikacji:
2013-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
Opis:
The synchrotron diffraction topography had been widely used for investigation of the structural defects in crystals grown by the Czochralski method. Similarly as conventional diffraction topography, the synchrotron topography consists in recording with high spatial resolution of the beam formed by the Bragg reflection from the crystal. The advantages of synchrotron sources come from the possibilities of using the wavelength from a wide spectral range, improved high spatial resolution and collimation of the beam as well as from shortening the time necessary for the investigation. The synchrotron diffraction topography includes experimentally simpler white beam topography and more complicated monochromatic beam (multicrystal) topography, where the beam is formed by monochromators. In the case of Czochralski-grown crystals the synchrotron diffraction topography can be used for studying of the individual dislocations and their complexes such as glide bands or sub-grain boundaries, individual blocks, twinning, the domain structure and various segregation effects negatively affecting crystal properties. In addition, the topographical investigation can provide information concerning the reasons for the generation of defects, useful in the improving of the technology. In the present paper the possibilities of the synchrotron diffraction topography are discussed on the basis of several investigations of the Czochralski-grown oxide and semiconductor crystals, performed by the authors at HASYLAB. The majority of the results concern the oxide crystals grown at the Institute of Electronic Materials Technology, in particular garnets, orthovanadates, mixed calcium barium and strontium niobates as well as praseodymium lanthanum aluminates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 2; 350-359
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Topographic Investigations of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Turczyński, S.
Lefeld-Sosnowska, M.
Pawlak, D.
Łukasiewicz, T.
Graeff, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1538809.pdf
Data publikacji:
2010-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.-t
81.10.Dn
61.72.Ff
Opis:
In the present paper X-ray diffraction topographic techniques were applied to a number of samples cut from Czochralski grown $Pr_{x}La_{1-x}AlO_{3}$ crystals with different ratio of praseodymium and lanthanum. Conventional and synchrotron X-ray topographic investigations revealed differently developed domain structures dependent on the composition of mixed praseodymium lanthanum aluminium perovskites. Some large mosaic blocks were observed together with the domains. In the best crystals, X-ray topographs revealed striation fringes and individual dislocations inside large domains. Synchrotron topographs allowed us to indicate that the domains correspond to three different crystallographic planes, and to evaluate the lattice misorientation between domains in the range of 20-50 arc min.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 2; 268-271
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synchrotron Topographic Studies of Domain Structure in Czochralski Grown $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ Crystals
Autorzy:
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Malinowska, A.
Turczyński, S.
Lefeld-Sosnowska, M.
Pawlak, D.
Łukasiewicz, T.
Paulmann, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1431651.pdf
Data publikacji:
2012-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.-t
81.10.Dn
61.72.Ff
Opis:
A domain structure and crystallographic defects in Czochralski grown single crystals of $Pr_xLa_{1-x}AlO_3$ and $Pr_xLa_{1-x-y}Mg_yAlO_3$ were characterised with a number of methods including conventional and synchrotron X-ray diffraction topography, and polariscopic micrography. The observed twin domain systems were located perpendicularly to 〈100〉$\text{}_\text{pcub}$ and 〈110〉$\text{}_\text{pcub} (pseudocubic) directions. It has been confirmed that the domains are of the same orientation and a twin character as those described in literature for $LaAlO_3$ and $LaGaO_3$ crystals. The use of section transmission topography enabled to indicate that the domains are perpendicular to the $(100)_\text{pcub}$ surface of the samples. The misorientation of lattice in the domains was evaluated from the white beam topographs and a tendency of its increase with increasing concentration of praseodymium was revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 910-914
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies