Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Vaganov, Y. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Working parameters of the electron - beam-generated ion source for ISOL facilities
Autorzy:
Yushkevich, Y. V.
Turek, M.
Mączka, D.
Pyszniak, K.
Słowiński, B.
Vaganov, Y. A.
Zubrzycki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146648.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
on-line isotope separation
short-lived nuclides
nuclear spectroscopy
ion sources
Opis:
An electron-beam generated plasma (EBGP) ion source for nuclear spectroscopy purposes at YASNAPP (YAdernaya Spektroskopya NA Putchkah Protonov - nuclear spectroscopy using proton beams) isotope separation on-line facility is presented. Working conditions both in on- and off-line mode are presented and discussed. Formation of a potential trap inside a discharge chamber is an advantage of the presented construction, enabling relatively high ionization efficiencies (2-5%) even for hard-to-ionize elements like Be, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rd, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt. The paper presents estimation of critical values of working parameters that enable formation of the ion trap leading in consequence to high efficiency of ionization. The optimal temperature of the discharge chamber and cathode walls is found to be in the range 2600-2800 K. Calculations of the output rates of ions produced in the on-line mode are also presented as well as the constraints on the half-life time of obtained nuclides imposed by construction details like the target material and its thickness.
Źródło:
Nukleonika; 2012, 57, 3; 351-356
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption of Helium from Defected Silicon
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Wójtowicz, A.
Mączka, D.
Yuschkevich, Y.
Vaganov, Y.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402210.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
The thermal desorption spectroscopy measurements of He implanted silicon samples are reported. The He implantation energy was 90 keV (at 45° tilt) while the fluence was 10¹⁶ cm¯². Additionally, the influence of Si pre-implantation (fluences in the range 10¹⁴-10¹⁶ cm¯², E=260 keV) was under investigation. The He releases from both interstitials/vacancies (β peak) and cavities (α peak or rather band consisting probably of at least two peaks) were observed. The α peak disappears for the pre-implantation fluences larger than 10¹⁵ cm¯², while β peak becomes broader and shifts toward higher temperatures. The thermal desorption spectra were collected using heating ramp rates in the range 0.3-0.7 K/s. Desorption activation energy of the β peak for different pre-implantation fluences was found using the Redhead analysis of the β peak shift. It varies from 0.97 eV for the sample that was not pre-implanted up to 1.3 eV for the sample pre-implanted with the fluence 10¹⁶ cm¯².
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies