Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Suski, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 23
Tytuł:
Electron tomography technique – useful tool for plasmodesmata ultrastructure analysis in maize leaves
Autorzy:
Bilska, A.
Suski, S.
Sowinski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/80747.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
conference
plasmodesma
cytoplasmic microchannel
plant cell
protein-lipid membrane
ultrastructure analysis
maize
leaf
electron tomography technique
Źródło:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 3
0860-7796
Pojawia się w:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of lead (Pb2plus) on chloroplast distribution patterns in Lemna trisulca L. mesophyll cells in darkness
Autorzy:
Samardakiewicz, S.
Suski, S.
Gabrys, H.
Wozny, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/79815.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
conference
lead
heavy metal pollution
chloroplast
mesophyll cell
Lemna trisulca
darkness
X-ray microanalysis
Źródło:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology; 2013, 94, 3
0860-7796
Pojawia się w:
BioTechnologia. Journal of Biotechnology Computational Biology and Bionanotechnology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Prevalence of Helicobacter pylori in children dependently on age and living conditions
Autorzy:
Czkwianianc, E
Bak-Romaniszyn, L.
Malecka-Panas, E.
Suski, S.
Woch, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/69875.pdf
Data publikacji:
1996
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
gastric cancer
infection
poorest
environment
living condition
epidemiology
chronic gastritis
Helicobacter pylori
antibody
sanitation
hygiene
prevalence
child
ulcer disease
etiopathogenesis
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1996, 47, 1
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Helicobacter pylori infection in the etiopathogenesis of duodenal ulcer in children
Autorzy:
Bak-Romaniszyn, L
Malecka-Panas, E.
Zeman, K.
Czkwianianc, E.
Kozlowski, W.
Kulig, A.
Kaluzynski, A.
Suski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/70565.pdf
Data publikacji:
1996
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Fizjologiczne
Tematy:
histology
morphological finding
infection
serological test
endoscopical finding
duodenal ulcer
chronic duodenitis
duodenal inflammation
chronic gastritis
Helicobacter pylori
peptic ulcer
lymphocyte
child
urease test
etiopathogenesis
epigastric pain
immune response
gastric inflammation
Źródło:
Journal of Physiology and Pharmacology; 1996, 47, 1
0867-5910
Pojawia się w:
Journal of Physiology and Pharmacology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ochrona sieci lokalnej za pomocą zapory sieciowej
Autorzy:
Suski, Z.
Kołodziejczyk, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/273202.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
sieć lokalna
zapora sieciowa
bezpieczeństwo systemów
Opis:
W dobie wzrastającego zagrożenia systemów sieciowych coraz większe zainteresowanie budzą różne mechanizmy mające na celu zwiększenie stopnia bezpieczeństwa systemów. Jednym z takich mechanizmów jest zapora sieciowa (ang. firewall). W artykule omówiono ogólne zasady budowy zapory sieciowej i podstawowe schematy organizacyjne. Przedstawiono mechanizmy dostępne w systemie operacyjnym Linux, które umożliwiają zbudowanie zapory w oparciu o ten system. Zamieszczono przykłady konfiguracji zapory wykorzystującej system Linux. W końcowej części opracowania przedstawiono opisy kilku oferowanych na rynku rozwiązań komercyjnych.
Źródło:
Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki; 2000, R. 6, nr 14, 14; 3-50
1427-3578
Pojawia się w:
Biuletyn Instytutu Automatyki i Robotyki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Control of the fruit tree red spider mite, Panonychus ulmi Koch with fenpropathrin and flucythrinate in apple orchard
Działanie flucytrynatyny i fenpropatryny na populację przędziorków (Panonychus ulmi Koch) w sadach
Dejjstvie fljucitrinatina i fenpropatrina na populjaciju paytinnykh kleshhejj v plodovykh sadakh
Autorzy:
Smolarz, S.
Suski, Z.W.
Kobiela, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/795796.pdf
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Opis:
W wyniku pięcioletnich badań nad oddziaływaniem flucytrynatyny i fenpropatryny na populację przędziorków stwierdzono wzrost liczebności przędziorków po zastosowaniu flucytrynatyny. W pierwszych dwóch latach badań działanie badanych pyretroidów na przędziorki nie różniło się od działania typowych akarycydów. W trzecim roku badań obserwowano niewielki wzrost populacji po 7 tygodniach od opryskiwania w kombinacji, gdzie stosowano flucytrynatynę. W czwartym roku badań w 8 tygodni po zastosowaniu preparatów liczebność przędziorków przekroczyła próg zagrożenia. W piątym roku badań próg zagrożenia został również przekroczony na wyższym poziomie niż dla Roztoczolu extra pł. 8 i w obydwu kombinacjach przeprowadzono powtórne opryskiwanie. Populacja przędziorków w kombinacjach, gdzie stosowano fenpropatrynę, kształtowała się podobnie jak po stosowaniu typowych akarycydów.
В результате пятилетних опытов по действию флюцитринатина и фен- пропатрина на популяцию паутинных клещей установлено повышение численности клещей после применения флюцитринатина. В течение первых двух лет исследований действие исследуемых пиретроидов на клещи не разнилось от действия типичных акарицидов. На третий год исследований наблюдался небольшое увеличение популяции на 7-ой неделе после опрыска в варианте с применением флюцитринатина. На четвертый год исследований в 8 недель после применения прератов численность клещей превысила порог угрозы. В пятом году исследований порог угорозы был установлен также на высшем уровне, чем для препарата Розточоль Экстра пл. 8 и поэтому в обоих вариантах был проведен вторичный опрыск. Популяция паутинных клещей в варианте с применением фенпропатрина удерживалась на сходном уровне как после применения типичных акарицидов.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1990, 373
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New species of mites (Acarina) in the fauna of Poland
Nowe gatunki roztoczy (Acarina) dla fauny Polski
Novye vidy kleshhejj (Acarina) v faune Polshi
Autorzy:
Labanowski, G.S.
Labanowska, B.H.
Suski, Z.W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/800999.pdf
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Opis:
Na przełomie lat 1983/84 zidentyfikowano dwa gatunki roztoczy dotąd nie notowane w Polsce. Pierwszy z nich: szpeciel jeżynowiec - Acalitus essigi Hassan został wykryty we wrześniu 1983 roku na owocach jeżyny bezkolcowej w Skierniewicach, drugi zaś: roztocz narcyzowiec - Steneotarsonemus laticeps (Halbert) w marcu 1984 roku na hipeastrum uprawianym w szklarniach w Skierniewicach i w Wagańcu k. Torunia. Podano również informację na temat występowania roztocza szklarniowca - Polyphagotarsonemus latus (Banks) na uprawach szklarniowych.
В конце 1983, начале 1984 г. были выявлены два вида клещей не наблюдаемых до сих пор в Польше. Первый из них: ежевичный клещ Acalitus essigi Hassan был выявлен в сентябре 1983 г. на ягодах бесшипной ежевики в Скерневицах, второй: нарцизный клещ - Steneotarsonemus laticeps (Halbert) в марте 1984 г. на Hipeastrum возделываемом в теплицах в Скерневицах и в местности Ваганец около г. Торуня. Приводится также информация относительно появления тепличного клеща - Polyphagotarsonemus latus (Banks ) на тепличных культурах.
Źródło:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych; 1990, 373
0084-5477
Pojawia się w:
Zeszyty Problemowe Postępów Nauk Rolniczych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Application of High Pressure in Physics and Technology of III-V Nitrides
Autorzy:
Grzegory, I.
Leszczyński, M.
Krukowski, S.
Perlin, P.
Suski, T.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030388.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.-h
78.66.Fd
73.61.Ey
82.60.Lf
78.55.Cr
Opis:
Due to high bonding energy of N$\text{}_{2}$ molecule, the III-V semiconducting nitrides, especially GaN and InN require high N$\text{}_{2}$ pressure to be stable at high temperatures necessary for growth of high quality single crystals. Physical properties of GaN-Ga(l)-N$\text{}_{2}$ system are discussed in the paper. On the basis of the experimental equilibrium p-T-x data and the quantum-mechanical modeling of interaction of N$\text{}_{2}$ molecule with liquid Ga surface, the conditions for crystallization of GaN were established. The crystals obtained under high pressure are of the best structural quality, having dislocation density as low as 10-100 cm$\text{}^{-2}$ which is several orders of magnitude better than in any other crystals of GaN. The method allows to grow both n-type substrate crystals for optoelectronics and highly resistive crystals for electronic applications. The physical properties of the pressure grown GaN measured to characterize both point defects and extended defects in the crystal lattice are discussed in the paper. A special attention is paid to the application of high pressure to reveal the nature of the point defects in the crystals and electric fields in GaN-based quantum structures. Due to their very high structural quality, the pressure grown crystals are excellent substrates for epitaxial growth of quantum structures. It opens new possibilities for optoelectronic devices, especially short wavelength high power lasers and efficient UV light emitting diodes. This is due to the strong reduction in dislocation densities in relation to existing structures (10$\text{}^{6}$-10$\text{}^{8}$ cm$\text{}^{-2}$) which are grown on strongly mismatched sapphire and SiC substrates. The experimental results on the epitaxial growth and physical properties of GaN-based device structures supporting above conclusions are discussed in the paper. The current development of blue laser technology in High Pressure Research Center is shortly reviewed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 57-109
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Role of Internal Electric Fields in III-N Quantum Structure
Autorzy:
Perlin, P.
Łepkowski, S. P.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grandjean, N.
Massies, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2027477.pdf
Data publikacji:
2001-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Hp
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
Binary nitrides: of wurtzite GaN, AlN, InN, and their solid solutions represent a family of semiconductors of crucial importance for modern optoelectronics. Strained quantum wells, like GaN/AlGaN and specially InGaN/GaN, form active layers of the light emitters working in green-UV part of the spectrum. The operation of these devices strongly depends on the emission spectra of considered quantum structures which are greatly influenced by the presence of built-in electric fields. The electric field acting via quantum confined Stark effect in the mentioned structures changes the energies and intensity of the emitted light. The effect can lead to the spectral shift of a photo- and electroluminescence by many hundreds of meV. In this review we will briefly cover the influence of internal electric fields on both optical and electrical properties of nitride based heterostructures and quantum wells. We would like to draw reader's attention to the usefulness of high-pressure investigation in the study of electric fields in nitrides and to show how the interpretation of these experiments influences the way we calculate the electric fields in the quantum structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 2; 261-270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Pressure Freeze-out of Electrons in Undoped GaN Crystal. Proof of Existence of Resonant Donor State (Nitrogen Vacancy)
Autorzy:
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Leszczyński, M.
Grzegory, I.
Jun, J.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931916.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
71.55.Eq
Opis:
We investigated free carriers related optical absorption in GaN in hydrostatic pressures up to 30 GPa. The disappearance of this absorption at pressures close to 18 GPa was explained by trapping electrons resulting from the shift of nitrogen vacancy related donor level into the GaN energy gap at high pressure. We estimated the energetic position of this level at atmospheric pressure to be about 0.8 eV above the conduction band minimum.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 141-143
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interplay between Internal and External Electric Field Studied by Photoluminescence in InGaN/GaN Light Emitting Diodes
Autorzy:
Staszczak, G.
Khachapuridze, A.
Grzanka, S.
Czernecki, R.
Piotrzkowski, R.
Perlin, P.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492901.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Fi
78.67.De
85.60.Bt
85.60.Jb
Opis:
We have studied a series of polar InGaN/GaN light emitting diodes, consisting of either a blue (440-450 nm) quantum well, or combination of blue and violet (410 nm) quantum wells (with indium content 18% and 10%, respectively). The blue quantum well was always placed close to p-type region of the particular LED. We found that the electroluminescence induced by low current is characterized by light emission from the blue quantum well only. In comparison, optical excitation of our LEDs leads to light emission with energies characteristic either for blue and/or violet quantum wells. The corresponding microphotoluminescence spectra evolve depending on external polarization and variable light intensity of excitation supplied by He-Cd laser. Interplay between built-in electric field and externally applied polarization/screening decides about the band structure profiles and thus radiative recombination mechanisms.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 891-893
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
Autorzy:
Dyba, P.
Placzek-Popko, E.
Zielony, E.
Gumienny, Z.
Grzanka, S.
Czernecki, R.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
71.55.Eq
73.40.Kp
Opis:
p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Luminescence in Highly Excited InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on GaN and Sapphire Substrates
Autorzy:
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kurilčik, G.
Žukauskas, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038288.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.45.+h
78.47.+p
78.67.De
Opis:
We report on high-excitation luminescence spectroscopy in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N/GaN multiple quantum wells grown by MOCVD over sapphire and bulk GaN substrates. High excitation conditions enabled us to achieve a screening of the built-in field by free carriers. This allowed for the evaluation of the influence of band potential fluctuations due to the variation in In-content on efficiency of spontaneous and stimulated emission. InGaN/GaN multiple quantum wells grown on bulk GaN substrate exhibit a significantly lower stimulated emission threshold and thus enhanced lateral emission. Transient and dynamic properties of luminescence indicate a significant reduction in compositional disorder in homoepitaxially grown structures
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 273-279
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-V Semiconducting Nitrides Energy Gap under Pressure
Autorzy:
Perlin, P.
Gorczyca, I.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Grzegory, I.
Christensen, N. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921585.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
Opis:
In this paper we present overview of our recent experimental and theoretical results concerning electronic band structure of III-V nitrides under pressure. It is shown here that the pressure coefficients of the direct gap for studied nitrides are surprisingly small. To describe tendency in changes of the gap with pressure we use a simple empirical relation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 674-676
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
Autorzy:
Ivanov, V.
Godlewski, M.
Miasojedovas, S.
Juršėnas, S.
Kazlauskas, K.
Žukauskas, A.
Skierbiszewski, C.
Siekacz, M.
Leszczyński, M.
Perlin, P.
Suski, T.
Grzegory, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1179597.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p
Opis:
We report on photoluminescence characterization of InGaN based laser structures grown by homoepitaxial radio frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy. Owing to Si doped barriers, the structures show a negligible impact of the built-in electric field, which was proved by excitation intensity dependent and quantum well width dependent luminescence experiments. Relatively low variation in band potential due to inhomogeneous distribution of In was quantitatively estimated from the photoluminescence temperature behavior using Monte Carlo simulation of in-plane carrier hopping and optically detected cyclotron resonance experiments. Efficient stimulated emission with a low threshold for optically pumped laser structures was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 225-229
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 23

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies