Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Sobańska, Marta" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Liczący umysł. O mechanizmach poznawczych warunkujących wykonywanie prostych obliczeń
    Autorzy:
    Sobańska, Marta
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/637816.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Uniwersytet Jagielloński. Wydawnictwo Uniwersytetu Jagiellońskiego
    Opis:
    Wykonywanie prostych obliczeń, jak „3 x 8” czy „7 + 4”, jest podstawową zdolnością matematyczną, wykorzystywaną każdego dnia. Jakie mechanizmy poznawcze kryją się za tą umiejętnością? W literaturze przedmiotu najczęściej opisywaną metodą wykonywania takich prostych obliczeń jest wydobywanie faktów arytmetycznych. Są nimi zapisane w pamięci długotrwałej wyniki działań matematycznych. Sprawne posługiwanie się faktami arytmetycznymi oznacza, że w sytuacji, gdy musimy pomnożyć dwie liczby, na przykład cztery przez siedem, tak naprawdę nie wykonujemy żadnych obliczeń, tylko korzystamy z naszej wiedzy.
    Źródło:
    Rocznik Kognitywistyczny; 2008, 2
    1689-927X
    Pojawia się w:
    Rocznik Kognitywistyczny
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ powłok HfO2 i Al2O3 na dynamikę sieci nanodrutów GaN. Analiza statystyczna wyników spektroskopii Ramana
    Influence of HfO2 and Al2O3 Shells on Lattice Dynamics of GaN Nanowires. Statistical Analysis of the Results of Raman Spectroscopy
    Autorzy:
    Szymon, Radosław
    Zielony, Eunika
    Sobańska, Marta
    Żytkiewicz, Zbigniew
    Lipiński, Tomasz
    Nowacki, Krzysztof
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/chapters/28328178.pdf
    Data publikacji:
    2023-12-14
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska. Wydawnictwo Politechniki Częstochowskiej
    Tematy:
    analiza statystyczna
    azotek galu
    nanodruty
    rdzeń-powłoka
    skaningowa mikroskopia elektronowa
    spektroskopia Ramana
    core-shell
    gallium nitride
    nanowires
    Ramana spectroscopy
    scanning electron microscopy
    statistical analysis
    Opis:
    Rozwój nanotechnologii w przypadku związków półprzewodnikowych z grupy III-V oferuje nowe możliwości wytwarzania wydajniejszych urządzeń optoelektronicznych pracujących w zakresie światła UV. Ich przykładem są nanodruty rdzeń-powłoka na bazie azotku galu (GaN). Cechą nanodrutów jest duży stosunek powierzchni do objętości oraz wysoka jakość struktury krystalicznej. Badania nanostruktur wymagają odpowiedniego przystosowania metod charakteryzacji, których wykorzystanie napotyka ograniczenia technologiczne. Rozwiązaniem jest analiza danych uzyskiwanych podczas pomiarów i zastosowanie metod, które pozwolą potwierdzić występowanie istotnych statystycznie różnic, a także zapewnić odtwarzalność wyników. W niniejszym rozdziale zaproponowano wykorzystanie metod wnioskowania statystycznego w celu zweryfikowania występowania istotnych statystycznie różnic w częstościach wzbudzeń fononowych wyznaczanych na podstawie pomiarów widm Ramana. Pomiary ramanowskie i analizę danych przeprowadzono dla serii próbek nanodrutów typu rdzeń GaN – powłoka Al2O3 lub HfO2, otrzymanych na podłożu krzemowym. Zmierzone częstości wzbudzeń fononowych, w szczególności modu GaN E2high, poddano analizie, wykazując istotne statystycznie różnice pomiędzy próbkami o różnych grubościach powłok. Potwierdzono ich wpływ na właściwości strukturalne i dynamikę sieci krystalicznej nanodrutów. Pokazano również, że wykorzystanie podejścia statystycznego w analizie wyników ramanowskich istotnie zwiększa ich wiarygodność.
    The development of nanotechnology of the III-V compounds semicon- ductors provides new opportunities for producing highly-efficient optoelectronic devices that operate in the UV light range. One example is the core-shell nanowires based on gallium nitride (GaN), which have high surface-to-volume ratio and high- quality crystalline structure. However, characterization of nanostructures requires the adaptation of appropriate techniques, which are limited by external factors. To overcome these limitations, data obtained from measurements must be analysed with methods which confirm statistically significant differences, as well as ensure the reproducibility of results. This chapter proposes using statistical inference methods to verify statistically significant differences in the frequencies of phonon excitations, determined with Raman spectra measurements. Raman measurements and data analysis were carried out for a series of GaN nanowires of GaN coated with Al2O3 or HfO2 shells, obtained on a silicon substrate. The analysis of phonon excitation frequencies, especially the GaN E2high mode, confirmed statistically sig- nificant differences between samples. The influence of the shells on the structural properties and crystal lattice dynamics of nanowires was also confirmed. Moreover, the study shows that using a statistical approach in the analysis of Raman results significantly improves their reliability.
    Źródło:
    Potencjał innowacyjny w inżynierii materiałowej i zarządzaniu produkcją; 69-80
    9788371939457
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies