Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sichkovskyi, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Studies of Diluted Magnetic Semiconductor $Sn_{1-x-y-z}Ge_{x}Mn_{y}Gd_{z}Te$
Autorzy:
Sichkovskyi, V.
Radchenko, M.
Lashkarev, G.
Slyn'ko, V.
Slyn'ko, E.
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dziawa, P.
Story, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791346.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.My
75.50.Pp
72.80.Ga
Opis:
Magnetization, anomalous Hall effect, thermoelectric power, magnetoresistance, and resistivity of $Sn_{1-x-y-z}Ge_{x}Mn_{y}Gd_{z}Te$ (x = 0.039÷0.597, y = 0.077÷0.125, z = 0.0014÷0.028) mixed crystals were studied over the temperature range 4.2-300 K. The ferromagnetic order with Curie temperature 18-24 K was revealed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 911-912
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultraviolet Detectors Based on ZnO:N Thin Films with Different Contact Structures
Autorzy:
Ievtushenko, A.
Lashkarev, G.
Lazorenko, V.
Karpyna, V.
Sichkovskyi, V.
Kosyachenko, L.
Sklyarchuk, V.
Sklyarchuk, O.
Bosy, V.
Korzhinski, F.
Ulyashin, A.
Khranovskyy, V.
Yakimova, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811930.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.15.Cd
85.60.Dw
72.40.+w
Opis:
Al/ZnO:N/Al and Ni/ZnO:N/Al diode photodetectors fabricated by dc magnetron sputtering of ZnO:N films on p-Si substrates are studied. The photocurrent-to-dark current ratio equal to 250 at λ= 390 nm and the time constant of photoresponse about 10 μs for Al/ZnO:N/Al structures with 4 μm interdigital spacing was achieved. The Ni/ZnO:N/Al diode structure has the rectification ratio ≈10² at bias 1 V, the maximal responsivity about 0.1 A/W is observed at 365 nm, and the measured time constant of photoresponse is about 100 ns.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1123-1129
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ferromagnetism of Narrow-Gap $Ge_{1-x-y}Sn_xMn_yTe$ and Layered $In_{1-x}Mn_xSe$ Semiconductors
Autorzy:
Lashkarev, G.
Sichkovskyi, V.
Radchenko, M.
Dmitriev, A.
Slyn'ko, V.
Slyn'ko, E.
Kovalyuk, Z.
Butorin, P.
Knoff, W.
Story, T.
Szymczak, R.
Jakieła, R.
Aleshkevych, P.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811955.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.My
75.50.Pp
75.30.Et
77.80.Bh
Opis:
Magnetic susceptibility, Hall effect and resistivity of narrow-gap $Ge_{1-x-y}Sn_xMn_yTe$ single crystals (x = 0.083÷0.115; y = 0.025÷0.124) were investigated in the temperature range 4.2-300 K revealing a ferromagnetic ordering at $T_C$ ≈ 50 K. Temperature dependence of magnetization indicates a superparamagnetic phase with magnetic clusters arranging in a spin glass state below the freezing temperature $T_f$. Magnetic structure of InSe ⟨Mn⟩ 2D-ferromagnetic single crystals was studied by SQUID magnetometry, neutron diffraction, secondary ion mass spectroscopy, and wave dispersive spectra. Hysteresis loops of magnetization were observed at least up to 350 K. The cluster model of ferromagnetism is considered. The formation of self-assembled superlattice ferromagnetic InSe:Mn/antiferromagnetic MnSe during growth process and further annealing was established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1219-1227
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies