Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sealy, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Thermally Induced Intermixing of InGaAs/GaAs Single Quantum Wells
Autorzy:
Kozanecki, A.
Gillin, W.
Sealy, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1861378.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Mk
78.65.Fa
Opis:
In this work interdiffusion and strain relaxation in In$\text{}_{0.2}$Ga$\text{}_{0.8}$As/GaAs single quantum wells subjected to rapid thermal annealing have been studied using photoluminescence and Rutherford backscattering of 1.5 MeV He$\text{}^{+}$ ions. It has been found that the diffusion coefficient of In atoms in GaAs, evaluated from the photoluminescence spectra for the assumed Gaussian well shapes, agrees within 30% with that obtained using Rutherford backscattering. Channeling angular scans, through the ⟨110⟩ axial direction of the heterostructures indicate that strain relaxation in the intermixed wells is exclusively due to compositional shallowing of the wells.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 621-624
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Luminescence in Er and Er+O Implanted 6H SiC
Autorzy:
Kozanecki, A.
Jantsch, W.
Heis, W.
Prechtl, G.
Sealy, B. J.
Jeynes, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968292.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ww
71.55.-i
78.55.-m
Opis:
Photoluminescence in the neighbourhood of 1.54 μm due to the $\text{}^{4}$I$\text{}_{13}\text{}_{/}\text{}_{2}$ -$\text{}^{4}$I$\text{}_{15}\text{}_{/}\text{}_{2}$ intra-4f-shell transitions of Er$\text{}^{3+}$ ions in 6H SiC is studied. Effects of oxygen coimplantation is also investigated. No difference in the photoluminescence spectra of Er only and Er+O implanted SiC was found. It is concluded that the emission around 1.54 μm in SiC:Er originates from erbium-oxygen complexes, which are formed as a result of thermal annealing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 879-882
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Active Centers in Er-Implanted Silicon
Autorzy:
Przybylińska, H.
Jantsch, W.
Hendorfer, G.
Palmetshofer, L.
Wilson, R. J.
Sealy, B. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933961.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Hx
Opis:
We show that of all the optically active Er centers in silicon found after ion implantation and optimum annealing (900°C) the isolated cubic interstitial Er is the dominant PL center above 100 K. At lower anneal temperatures ( ≈ 600°C) with later rapid thermal anneal at 900°C oxygen related centers also emit.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 877-880
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies