Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ornoch, L" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Surfaces of Нigh-Tс Superconductors Studied by Means of the Scanning Tunneling Microscope
Autorzy:
Witek, A
Ornoch, L
Dąbkowski, A
Raułuszkiewicz, J
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/896303.pdf
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Opis:
Observations of the natural surface of BiSrCaCu₂Oₓ sintered ceramics applying the scanning tunneling microscope are reported. Measurements were performed in air at room temperature. It can be deduced from the surface images, on which the growth steps are visible with heights corresponding to the dimension of the unit cell along the c-axis or its multiples, that the bulk orthorhombic structure extends to the surface. The surface investigated is rather clean, inert and metallic in nature. It can be identified as the Bi-O layer.
Źródło:
Acta Physicae Superficierum; 1990, 2
0867-2997
Pojawia się w:
Acta Physicae Superficierum
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:
Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:
The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies