Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Meziani, Y." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Terahertz Generation and Detection by Plasma Waves in Nanometer Gate High Electron Mobility Transistors
Autorzy:
Knap, W.
Łusakowski, J.
Teppe, F.
Dyakonova, N.
Meziani, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041635.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.-b
73.23.-b
Opis:
The high electron mobility transistors can act as a resonator cavity for the plasma waves that can reach THz frequencies for a nanometer size devices. As was predicted by Dyakonov and Shur in 1993, the steady state of the current flow in a gated 2D electron gas can become unstable leading to the emission of an electromagnetic radiation at the plasma wave frequencies. The theory predicted also that the plasma waves can be used for resonant detection of THz electromagnetic radiation. In the present paper we review our recent experiments on THz emission and detection performed on high electron mobility transistors based on different semiconductor structures: InGaAs/GaAlAs, GaAs/GaAlAs, and Si.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 82-91
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
THz Emission Related to Hot Plasmons and Plasma Wave Instability in Field Effect Transistors
Autorzy:
Dyakonova, N.
El Fatimy, A.
Meziani, Y.
Coquillat, D.
Knap, W.
Teppe, F.
Buzatu, P.
Diforte-Poisson, M.
Dua, C.
Piotrowicz, S.
Morvan, E.
Delage, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492956.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
Opis:
The current flowing in two-dimensional channel of field effect transistors can generate different types of charge density perturbations. They can have a form of uncorrelated hot plasmons or plasma waves. The mechanism of plasma wave generation depends on the parameter ωt and on boundary conditions of the channel. At ωt ≪ 1 only hot plasmons can be generated. The THz emission due to radiative decay of hot plasmons has a broad spectrum and can be only poorly controlled by the transistor gate. The tunability of THz emission can be obtained in the case of the Dyakonov-Shur plasma wave instability. In this work we present experimental studies of THz emission in InGaP/InGaAs/GaAs and GaN/AlGaN based field effect transistors. We report on two types of emission onset: (i) a smooth one typical for hot plasmons generation and (ii) threshold-like one characteristic for plasma waves instabilities. The tunability and spectra of emission change depending on the transistor configuration. We discuss the results suggesting several possible mechanisms of plasma wave excitation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 924-926
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies