Autor: Lenkiewicz, M. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Porównanie metody radiowęglowej i selektywnego roztwarzania w oznaczaniu frakcji organicznej w paliwach alternatywnych
Comparison of radiocarbon and selective dissolution methods in the determination of organic fraction in alternative fuels
Autorzy:: Lenkiewicz, M.
Paprotny, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/392154.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Tematy:: paliwo alternatywne
biomasa
SRF
frakcja organiczna
metoda oznaczania
metoda radiowęglowa
metoda selektywnego roztwarzania
LSC
SDM
alternative fuel
biomass
organic fraction
determination method
radiocarbon method
selective dissolution method
Opis:: Kwestię monitorowania i raportowania w zakresie emisji gazów cieplarnianych reguluje Rozporządzenie Komisji (UE) nr 601/2012 z 21 czerwca 2012 r., toteż niezbędne jest, aby przemysł cementowy określał w sposób rzetelny całkowitą wartość emisji CO2. Głównymi źródłami emisji CO2 z przemysłu cementowego jest spalanie paliw alternatywnych oraz dekarbonizacja surowca. Określenie frakcji organicznej w paliwach alternatywnych pozwala zredukować część całkowitej emisji CO2 jako tzw. biogenny dwutlenek węgla. Referencyjna norma określająca zawartość składników odnawialnych PN-EN 15440:2011 dopuszcza wykorzystanie metody radiowęglowej lub selektywnego roztwarzania. W artykule przedstawiono wyniki oznaczenia zawartości surowców odnawialnych w paliwach alternatywnych, takich jak: PASi, PASr, oraz zużyte opony samochodowe wykorzystywane w piecach cementowych. Przeprowadzono również dyskusję porównawczą wykorzystania metod selektywnego roztwarzania i radiowęglowej do określenia zawartości frakcji organicznej.
The issue of monitoring and reporting on greenhouse gas emissions is regulated by the Commission Regulation (EU) No. 601/2012 of June 21, 2012, so it was necessary for the cement industry to accurately determine the total CO2 emission value. The main sources of CO2 emissions from the cement industry are the combustion of alternative fuels and the decarbonisation of the raw material. Determination of the organic fraction in alternative fuels reduces the proportion of total CO2 emissions as so-called biogenic carbon dioxide. The reference standard defining the content of renewable components PN-EN 15440:2011 allows the use of radiocarbon or selective dissolution method. The article presents the results of the determination of the content of renewable raw materials in alternative fuels, such as: PASi, PASr, and used car tires used in cement kilns. A comparative discussion was also conducted on the use of the selective dissolution method and the radiocarbon method to determine the content of biogenic fraction.
Źródło:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2018, R. 11, nr 32, 32; 44-51
1899-3230
Pojawia się w:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Możliwości zastosowania metody ciekłoscyntylacyjnej oraz ICP-MS w kontroli jakości opakowań ekologicznych
The applicability of the method of liquid scintillation and ICP-MS in the quality control of ecological packaging
Autorzy:: Lenkiewicz, M.
Paprotny, W.
Ślęzak, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/392137.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Tematy:: opakowanie ekologiczne
biopolimer
węgiel pochodzenia biologicznego
zawartość metali ciężkich
kontrola jakości
spektrometria ciekłoscyntylacyjna
spektrometria mas ze wzbudzeniem w plazmie indukcyjnie sprzężonej
ICP-MS
ecological packaging
biopolymer
biobased carbon
heavy metals content
quality control
liquid scintillation spectrometry
inductively coupled plasma mass spectrometry
Opis:: Coraz więcej produktów na rynku jest znakowanych określeniami, takimi jak: „biodegradowalne”, „nadające się do kompostowania” lub „pochodzenia naturalnego”. Wiele z nich jest przeznaczonych do przechowywania żywności, występując w postaci tzw. opakowań ekologicznych. W ostatniej dekadzie nastąpił gwałtowny wzrost zainteresowania tymi produktami na rynku. Niektóre z przyczyn leżą po stronie konsumenckiej świadomości i przeświadczeniu o pochodzeniu produktów. Toteż niezbędna jest kontrola jakości takich opakowań. W pracy przedstawiono wyniki badań półproduktów i produktów pod kątem zawartości surowców odnawialnych oraz metali ciężkich. Dokonano również porównania uzyskanych wyników z danymi deklarowanymi przez producentów oraz określono zgodność z obowiązującymi danymi normatywnymi.
More and more products in the market is labeled terms such as „biodegradable”, „compostable”, or „natural”. Many of them intended to hold the food appearing in the form of the ecological packaging. In the last decades there has been a sharp rise in interest in the products on the market. Some of the causes lie with the consumer awareness and belief about the origin of the products, in relation to the depletion of fossil resources and climate change. Therefore, it is necessary to control the quality of packaging. This paper presents the results of research semi-finished products and product, in terms of the content of biobased carbon and heavy metals. Also a comparison with the data declared by the manufacturers and determined compliance with the normative data was made.
Źródło:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych; 2016, R. 9, nr 25, 25; 27-34
1899-3230
Pojawia się w:: Prace Instytutu Ceramiki i Materiałów Budowlanych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Pierwsze obserwacje ''gęsi grenlandzkiej'' Anser albifrons flavirostris w Polsce i problematyka terenowej identyfikacji tego podgatunku gęsi białoczelnej Anser albifrons
The first records of Greenland White-fronted Goose Anser albifrons flavirostris in Poland and the field identification of the subspecies of the White-fronted Goose Anser albifrons
Autorzy:: Polakowski, M.
Lenkiewicz, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/33179.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Mazowiecko-Świętokrzyskie Towarzystwo Ornitologiczne
Tematy:: ptaki
gesi
ges bialoczelna
Anser albifrons
podgatunki
ges grenlandzka
Anser albifrons flavirostris
obserwacje ptakow
Polska
identyfikacja zwierzat
cechy morfologiczne
gatunki rzadkie
Źródło:: Kulon; 2012, 17
1427-3098
Pojawia się w:: Kulon
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
Autorzy:: Wesołowski, M.
Strupiński, W.
Zynek, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Lenkiewicz, D.
Kościewicz, K.
Czołak, D.
Nizel, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: epitaksja związków półprzewodnikowych
technologia MOCVD
struktura półprzewodnikowa
struktura fotoniczna
zastosowanie komputerów
studnia kwantowa
metody numeryczne
Opis:: Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
Autorzy:: Lenkiewicz, D.
Strupiński, W.
Zdunek, K.
Ratajczak, R.
Stonert, A.
Borysiuk, J.
Caban, P.
Dumiszewska, E.
Kościewicz, K.
Wesołowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Opis:: Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki