Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kukharchyk, N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Nha, Vo
Shpakovski, S.
Filipenya, V.
Skuratov, V.
Kołtunowicz, T.
Kukharchyk, N.
Becker, H.
Wieck, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402222.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3-200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 891-893
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies