Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kladko, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Effect of Stress on Defect Transformation in $B^{+}$ and $Ag^{+}$ Implanted HgCdTe/CdZnTe Structures
Autorzy:
Savkina, R.
Smirnov, A.
Gudymenko, A.
Kladko, V.
Sizov, F.
Frigeri, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1363515.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uj
81.16.Rf
Opis:
The results of X-ray, scanning electron microscopy and atomic force microscopy studies of near-surface regions of (111) $Hg_{1-x}Cd_{x}Te$ (x = 0.223) structures are presented. These structures were obtained by low-energy implantation with boron and silver ions. TRIM calculation of the depth dependences of impurity concentration and implantation-induced mechanical stresses in the layer near-surface regions has revealed that the low-energy implantation of HgCdTe solid solution with elements of different ionic radiuses $(B^{+}$ and $Ag^{+})$ leads to the formation of layers with significant difference in thickness (400 nm and 100 nm, respectively), as well as with maximum mechanical stresses differing by two orders of magnitude (1.4 × $10^3$ Pa and 2.2 × $10^5$ Pa, respectively). The structural properties of the $Hg_{1-x}Cd_{x}Te$ epilayers were investigated using X-ray high-resolution reciprocal space mapping.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1003-1005
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure Changes in Cz-Si Single Crystals Irradiated with Fast Oxygen and Neon Ions
Autorzy:
Datsenko, L.
Żymierska, D.
Auleytner, J.
Klinger, D.
Machulin, V.
Klad'ko, V.
Melnik, V.
Prokopenko, I.
Czosnyka, T.
Choiński, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011007.pdf
Data publikacji:
1999-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.10.-i
61.72.-y
Opis:
The research of the surface and the near-surface region of Cz-Si wafers irradiated with fast oxygen and neon ions of energy 4 MeV/u and dose 10$\text{}^{14}$ particles/cm$\text{}^{2}$ is presented. In our study several methods based on the Bragg case of X-ray diffraction using Ag K_{α$\text{}_{1}}$, as well as reflection high-energy electron diffraction and Nomarsky optical microscopy were used. It was shown that implantation with fast neon ions causes larger disturbances of silicon crystal structure than irradiation with oxygen ions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 1; 137-142
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies