Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kamińska, E. S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 26
Tytuł:
Management of disused lead-acid batteries in the context of the eco-balance analysis
Autorzy:
Kamińska, E. S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/245323.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:
recycling
Life Cycle Assessment
environmental protection
lead-acid batteries
eco-balance
recykling
szacowanie cyklu życia
ochrona środowiska
akumulatory ołowiowo-kwasowe
ekobilans
Opis:
The article describes the results of the eco-balance analysis of the disused lead-acid batteries recycling technology. The analysis will be made using the life cycle assessment (LCA) method. The analysis was developed using the SimaPro7.3.3. software. The life cycle assessment (LCA) was made using Ecological Scarcity and IMPACT2002 + methods. The results are shown as environmental points [Pt], which reflect the potential level of environmental burdens exerted by the analysed object. The results are presented in the environmental categories, which are grouped in the impact categories. For the Ecological Scarcity method, these are emission into air, water, soil, energy, and natural resources and deposited waste. For the IMPACT2002 + method: human health, climate changes, ecosystem quality and resources consumption. The boundaries of the system under investigation include the processes of mechanical battery scrap processing, desulfurization and crystallization processes (PI), the melting processes to obtain crude lead and refining processes (PII and PIII). As the functional unit, there was accepted 1 Mg of the processed battery scrap. Particular attention was paid to the airborne emission, which adversely affect human health and climate change. The technology for which the tests were conducted offers the possibility to recover other elements, for example, secondary lead, polypropylene and sulfuric acid as crystalline sodium sulphate.
Źródło:
Journal of KONES; 2018, 25, 1; 197-203
1231-4005
2354-0133
Pojawia się w:
Journal of KONES
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transport Behaviour in Low-Resistance Metal/p-GaAs Interfaces
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Kasjaniuk, S.
Gierlotka, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950962.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The relationship between electrical properties and microstructure of pure Zn and AuZn contacts to p-GaAs has been studied. The obtained results prove that mechanism responsible for the ohmic behaviour of these contacts is associated with the lowering of the potential barrier at metal/semiconductor interface, resulting from the phase transformations in the metallization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 843-846
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane metody badań powłok ochronnych stosowanych na formy i rdzenie odlewnicze
Selected methods of testing protective coatings applied on casting moulds and cores
Autorzy:
Wildhirt, E.
Jakubski, J.
Sapińska, M.
Sitko, S.
Kamińska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/391813.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Odlewnictwa
Tematy:
powłoki ochronne
lepkość
parametr hot distortion
protective coatings
viscosity
hot distortion parameter
Opis:
W niniejszym artykule przedstawione zostały wybrane metody badań związane z powłokami ochronnymi stosowanymi na masy formierskie i rdzeniowe w odlewnictwie. Metodykę badawczą podzielono na badania właściwości technologicznych mas formierskich i rdzeniowych pokrytych powłokami (tj. parametr hot distortion po naniesieniu powłok na formy wykonane z sypkich mas samoutwardzalnych ze spoiwami organicznymi) i fizykochemicznych (lepkość) gotowych powłok. Do badań wykorzystano powłoki z rozpuszczalnikami wodnymi oraz alkoholowymi. Formy przygotowano z sypkich mas samoutwardzalnych z żywicą furfurylową oraz fenolowo-formaldehydową, które zostały pokryte wodną powłoką oraz powłoką alkoholową. Badania przeprowadzono w Katedrze Tworzyw Formierskich, Technologii Formy i Odlewnictwa Metali Nieżelaznych na Wydziale Odlewnictwa AGH w Krakowie oraz w Instytucie Odlewnictwa w Krakowie.
This article presents selected research methods related to protective coatings used for sand moulds and cores in the foundry industry. The research methodology has been divided into studies of the technological properties of sand moulds and cores with applied coatings (the measurement of hot distortion parameter after deposition of coatings onto moulds made of loose self-hardening sands with organic binders) and physico-chemical properties (viscosity) of finished coatings. Coatings with aqueous and alcohol solvents were tested. Moulds were prepared from loose self-hardening sand mixtures with furfuryl and phenol-formaldehyde resins and were coated with water-based coatings and alcohol-based coatings. Studies were carried out in the Department of Moulding Materials, Mould Technology and Cast Non-Ferrous Metals at the AGH Faculty of Foundry Engineering in Krakow and at the Foundry Research Institute in Krakow.
Źródło:
Prace Instytutu Odlewnictwa; 2018, 58, 2; 125-131
1899-2439
Pojawia się w:
Prace Instytutu Odlewnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Atomic Scale Morphology of Thin Au(Zn)/GaAs Ohmic Contacts
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Barcz, A.
Mizera, E.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923883.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Very thin Au(Zn) contacts to p-GaAs were studied by means of transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry. It was found that such contacts when cap annealed became ohmic, even though the reaction between the metallization and GaAs is confined to a very close vicinity of the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 853-856
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infiuence of Hydrogen on the Properties of Nanostructured C-Pd Films for Sensing Applications
Autorzy:
Kamińska, A.
Diduszko, R.
Krawczyk, S.
Czerwosz, E.
Sobczak, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778287.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
C-Pd films
hydrogen sensor
GIXD measurements
resistance changes
Opis:
In this paper we present the results of the investigations of nanostructured C-Pd films for hydrogen sensing applications. These C-Pd films were prepared by physical vapor deposition and then annealed in an argon flow at the temperature of 500°C. The structure and morphology of the prepared C-Pd films were investigated using transmission electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy. We studied the infiuence of hydrogen on the electrical properties and crystal structure of C-Pd films. It was shown that film resistance changes depended on hydrogen concentration. At lower hydrogen concentration (up to 2 vol.%), the films response increased proportionally to [H2], while above 2 vol.% H2, it was almost constant. This is connected with the formation of a solid solution of hydrogen in palladium at lower H2 concentration and the creation of palladium hydride at higher H2 concentration. X-ray diffraction was used to confirm the formation of Pd-H solid solution and palladium hydride.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2014, 16, 2; 77-81
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Progress in Fabrication Technology of Silver-Based Contact Materials with Particular Account of the Ag-Re and Ag-SnO2Bi2O3 Composites
Postęp w technologii wytwarzania materiałów stykowych na bazie srebra ze szczególnym uwzględnieniem kompozytów Ag-Re i Ag-SnO2Bi2O3
Autorzy:
Księżarek, S.
Woch, M.
Kołacz, D.
Kamińska, M.
Borkowski, P.
Walczuk, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354164.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
electric contacts
nanocomposite
contact materials
electrical properties
tested methods
styki elektryczne
nanokompozyt
materiały stykowe
właściwości elektryczne
erozja łuku
Opis:
The paper outlines technologies currently used for the production of the Ag-Re10 and Ag-SnO2Bi2O3 contact materials in a form of wires and solid and bimetallic rivets. Their characteristic parameters, including physical and mechanical properties and microstructure, are given. It has been found that the level of these parameters, particularly electrical properties (resistance to electric arc erosion), is unsatisfactory considering the present requirements, which applies mainly to the new Ag-Re10 [wt%] alloy, so far not fully technologically mastered. Therefore, under this work a new method for the production of this type of materials has been designed and the related research works were undertaken. The new-generation contact materials in a form of nanostructured composites will be characterised by similar chemical compositions as those specified above but with increased functional properties, including enhanced resistance to arc erosion. In this paper preliminary results of the examination of structure and properties of semi-products obtained by new technology based on powder metallurgy techniques are presented. Conditions for pressure consolidation and plastic consolidation applied for material processing into wires and rivets (solid and bimetallic) have been determined.
W referacie przedstawiono stosowany aktualnie zarys technologii wytwarzania materiałów stykowych Ag-Re 10 i Ag-SnO2Bi2O3 w postaci drutów oraz nitów litych i bimetalowych i jednocześnie podano ich charakterystyczne parametry obejmujące właściwości fizyko-mechaniczne i mikrostrukturę. Stwierdzono, że poziom uzyskiwanych właściwości-szczególnie elektrycznych (odporność na| erozję łuku elektrycznego) jest niezadawalający w świetle aktualnych wymagań, co dotyczy głów- nie nowego jeszcze nie w pełni opanowanego technologicznie materiału Ag-Re 10%wag. Zaprojektowano wiec nowy sposób wytwarzania tego typu materiałów i podjęto prace badawczo rozwojowe w tym zakresie. Ich celem jest opracowanie sposobu wytwarzania nowej generacji materiałów stykowych w postaci kompozytów o podobnym składzie chemicznym jednakże charakteryzujących się nanostrukturą i znacznie wyższymi parametrami - głównie odpornością na działanie łuku elektrycznego. Przedstawiono wstępne wyniki badań obejmujące syntezę mechaniczną oraz określono warunki konsolidacji odkształceniowej i plastycznej w procesie ich przeróbki na druty i nity lite i bimetalowe, bazując na procesach z obszaru metalurgii proszków.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2014, 59, 2; 501-508
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Conductance Fluctuations in PbSe: Manifestation of Ballistic Transport in Macroscale?
Autorzy:
Grabecki, G.
Takeyama, S.
Adachi, S.
Takagi, Y.
Dietl, T.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Papis, E.
Frank, N.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933748.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Jv
Opis:
Precise magnetoresistance measurements on microstructures of photolithographically patterned PbSe epilayers have been performed in the magnetic field range up to 17 Τ. Unusually large, reproducible magnetoconductance fluctuations have been observed. The fluctuation amplitude decreases exponentially with the magnetic field. A correlation magnetic field of the fluctuations corresponds to the Aharonov-Bohm effect which involves electron trajectories much smaller than the electron mean free path. This points strongly to the ballistic, not diffusive, origin of the observed phenomenon.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 727-730
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Quality Gate Insulator/GaN Interface for Enhancement-Mode Field Effect Transistor
Autorzy:
Taube, A.
Kruszka, R.
Borysiewicz, M.
Gierałtowska, S.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492515.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.dj
77.22.Ch
73.40.Qv
81.15.Gh
81.15.Cd
Opis:
The capacitance-voltage measurements were applied for characterization of the semiconductor/dielectric interface of GaN MOS capacitors with $SiO_2$ and $HfO_2//SiO_2$ gate stacks. From the Terman method low density of interface traps $(D_{it} \approx 10^{11} eV^{-1} cm^{-2})$ at $SiO_2//GaN$ interface was calculated for as-deposited samples. Samples with $HfO_2//SiO_2$ gate stacks have higher density of interface traps as well as higher density of mobile charge and effective charge in the dielectric layers. High quality of $SiO_2//GaN$ interface shows applicability of $SiO_2$ as a gate dielectric in GaN MOSFET transistors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-022-A-024
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T. T.
Piskorski, M.
Guziewicz, M.
Papis, E.
Gołaszewska-Malec, K.
Kasjuniuk, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
81.05.Ea
81.40.-z
Opis:
A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Raman Spectroscopy of $LiFePO_4$ and $Li_3V_2(PO_4)_3$ Prepared as Cathode Materials
Autorzy:
Ziółkowska, D.
Korona, K.
Kamińska, M.
Grzanka, E.
Andrzejczuk, M.
Wu, S.
Chen, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1493017.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Hv
82.80.Gk
82.47.Aa
Opis:
Structure of samples of lithium iron vanadium phosphates of different compositions were investigated by X-rays, electron microscopy and Raman spectroscopy. The investigated salts were mainly of olivine-like and NASICON-like structures. The X-ray diffraction and the Raman scattering show different crystalline structures, which is probably caused by difference between cores of the crystallites (probed by X-rays) and their shells (probed by the Raman scattering). Most of the Raman spectra were identified with previously published data, however in the samples with high vanadium concentration we have observed new, not reported earlier modes at 835 $cm^{-1}$ and 877 $cm^{-1}$, that we identified as oscillations related to $V_2O_7^{4-}$ or $VO_4^{3-}$ anions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 973-975
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Ilka, L.
Guziewicz, M.
Kasjaniuk, S.
Dynowska, E.
Kwiatkowski, S.
Bremser, M. D.
Davis, R. F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
73.40.Cg
Opis:
Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Shallow Ohmic Contact System to n-GaAs
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Piotrowski, T. T.
Barcz, A.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929764.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Low resistance (Au)GeNi ohmic contacts to n-GaAs with smooth morphology and restricted penetration into the substrate have been fabricated. Rapid thermally nitrided tungsten has been demonstrated to be an effective capping layer during the contact processing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 804-806
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interaction of Au with GaSb and its Impact on the Formation of Ohmic Contacts
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T.
Kasjaniuk, S.
Guziewicz, M.
Gierlotka, S.
Lin, X. W.
Liliental-Weber, Z.
Washburn, J.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1873078.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Interfacial reactions between GaSb and Au were studied by Rutherford backscattering, X-ray diffraction, and cross-sectional transmission electron microscopy. Evaluation of the extent to which the GaSb substrate decomposes was of primary concern. The results give evidence that the reaction takes place even at temperatures as low as 180°C. High reactivity of gold towards GaSb revealed by this study demonstrates that Au-based metallization is not a good candidate for device quality ohmic contacts to GaSb-based devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 419-422
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 26

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies