Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Godwod, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Fine Diffraction Effects in Si Single Crystals Implanted with Fast Ar Ions and Annealed
Autorzy:
Żymierska, D.
Godwod, K.
Adamczewska, J.
Auleytner, J.
Choiński, J.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030690.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.80.-x
61.10.-i
85.40.Ry
Opis:
The paper presents high-resolution X-ray diffraction studies performed for Si single crystal: as-grown, implanted with a 5×10$\text{}^{14}$ ions· cm$\text{}^{-2}$ dose of 3 MeV/n Ar ions, as well as implanted and annealed in a very high vacuum. The results are discussed on the basis of rocking curves and the mathematical analysis of the reciprocal space maps. It is shown that the lattice parameter is increased in an implanted part of the crystal, but long distance lattice curvature is not present. After annealing full relaxation of the crystal is stated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 743-750
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies