Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Gebel, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Structural Changes in Flash Lamp Annealed Amorphous Si Layers Probed by Slow Positron Implantation Spectroscopy
Autorzy:
Anwand, W.
Schumann, Th.
Brauer, G.
Skorupa, W.
Xiong, S.
Wu, C.
Gebel, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812451.pdf
Data publikacji:
2008-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Ba
78.70.Bj
81.05.Ea
81.07.Bc
Opis:
Flash lamp annealing was applied to the modification of thin amorphous Si layers on $SiO_2$ and glass. Slow positron implantation spectroscopy was used for the characterisation of the microstructure before and after flash lamp annealing. Changes in the structure down to a depth of some micrometres below the surface observed with slow positron implantation spectroscopy will be presented and discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 5; 1273-1278
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies