Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Boettger, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Dynamics of vegetation at the late pleistocene glacial/interglacial transition (new data from the center of the east European Plain)
Autorzy:
Novenko, E. Yu.
Velicho, A. A.
Suganova, E. S.
Junge, F. W,.
Boettger, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1186118.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Państwowy Instytut Geologiczny – Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
pollen records
vegetation dynamics
Eemian
East European Plain
Opis:
The organic sediments at the Cheremoshnik site (the centre of the East European Plain) have been reinvestigated by pollen and macrofossil analysis in order to gather more detailed information on vegetation dynamics during the Late Pleistocene Glacial/Interglacial transition (boundary between OIS 6 and OIS 5e). Two phases of vegetation can be determined: an earlier forest substage ("warm") and a later ("cold") substage, when the forest communities were reduced in their area. There are probably some similar features between the succession of vegetation at the end of Dnieper (Saale) cold epoch and during the Valdai (Weichselian) Late Glacial (Alleröd and Younger Dryas).
Źródło:
Polish Geological Institute Special Papers; 2005, 16; 77--82
1507-9791
Pojawia się w:
Polish Geological Institute Special Papers
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ion Beam Induced Surface Modification of ta-C Thin Films
Autorzy:
Berova, M.
Sandulov, M.
Tsvetkova, T.
Kitova, S.
Bischoff, L.
Boettger, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033772.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
carbon
ion implantation
atomic force microscopy
Opis:
Thin film samples (d ≈40 nm) of tetrahedral amorphous carbon (ta-C), deposited by filtered cathodic vacuum arc, were implanted with Ga⁺ at ion energy E =20 keV and ion fluences D=3×10¹⁴-3×10¹⁵ cm¯² and N⁺ with the same energy and ion fluence D=3×10¹⁴ cm¯². The Ga⁺ ion beam induced surface structural modification of the implanted material, displayed by formation of new phase at non-equilibrium condition, which could be accompanied by considerable changes in the optical properties of the ta-C films. The N⁺ implantation also results in modification of the surface structure. The induced structural modification of the implanted material results in a considerable change of its topography and optical properties. Nanoscale topography and structural properties characterisation of the Ga⁺ and N⁺ implanted films were performed using atomic spectroscopy analysis. The observed considerable surface structural properties modification in the case of the higher fluence Ga⁺ implanted samples results from the relatively high concentration of introduced Ga⁺ atoms, which is of the order of those for the host element.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 299-301
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies