Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Aleksiejūnas, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    High-Speed Quadratic Electrooptic Nonlinearity in dc-Biased InP
    Autorzy:
    Subačius, L.
    Kašalynas, I.
    Vingelis, M.
    Aleksiejūnas, R.
    Jarašiūnas, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1179495.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.20.Ht
    Opis:
    We present experimental data on degenerate four-wave mixing as well as simulation results of fast optical nonlinearities in highly-excited semi-insulating InP under applied dc-field. Hot-electron transport governed enhancement of optical nonlinearity is obtained by applying a dc-field of 10-14 kV/cm at full-modulation depth of a light-interference pattern. The hydrodynamic model, which incorporates both free-carrier and photorefractive nonlinearities is used to explain the experimentally observed features. We show that the enhancement of optical nonlinearity is due to the quadratic electrooptic effect.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 280-285
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Time-Resolved Transient Grating Spectroscopy for Studies of Nonequilibrium Carrier Dynamics in Wide Band-Gap Semiconductors
    Autorzy:
    Jarašiūnas, K.
    Malinauskas, T.
    Neimontas, K.
    Gudelis, V.
    Aleksiejūnas, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2046917.pdf
    Data publikacji:
    2006-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    78.47.+p
    78.55.Cr
    Opis:
    Using interdisciplinary fields relevant to a highly excited semiconductor - nonequilibrium phenomena in high density plasma, light-induced changes of optical properties, and dynamic holography, we developed time-resolved four-wave mixing technique for monitoring the spatial and temporal carrier dynamics in wide band-gap semiconductors. This opened a new possibility to analyse fast electronic processes in a non-destructive "all-optical" way, i.e. without any electrical contacts. This technique allowed evaluation of recombination and transport processes and the determination of important carrier parameters which directly reveal the material quality: carrier lifetime, bipolar diffusion coefficients, surface recombination rate, nonlinear recombination rate, diffusion length, threshold of stimulated recombination. The recent experimental studies of differently grown group III-nitrides (heterostructures and free standing films) as well silicon carbide epilayers by nondegenerate picosecond four-wave mixing are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 201-209
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transients of Carrier Recombination and Diffusion in Highly Excited GaN Studied by Photoluminescence and Four-Wave Mixing Techniques
    Autorzy:
    Juršėnas, S.
    Miasojedovas, S.
    Kurilčik, G.
    Žukauskas, A.
    Aleksiejūnas, R.
    Malinauskas, T.
    Sūdžius, M.
    Jarašiūnas, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2041739.pdf
    Data publikacji:
    2005-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.80.Ey
    72.20.Jv
    78.55.Cr
    Opis:
    Time-resolved photoluminescence and four-wave mixing techniques have been combined for studies of carrier relaxation dynamics in a highly photoexcited GaN epilayer. For a moderate excitation density below 1 mJ/cm$\text{}^{2}$, carrier recombination was due to free carrier capture by deep traps. The characteristic time of carrier capture,τ$\text{}_{e}$=550 ps, was measured under deep trap saturation regime. The ambipolar diffusion coefficient for free carriers, D=1.7 cm$\text{}^{2}$/s, was estimated from the analysis of the transients of the light-induced gratings of various periods. A complete saturation of the four-wave mixing efficiency was observed for the excitation energy density exceeding 1.5 mJ/cm$\text{}^{2}$. The latter saturation effect was shown to be related to electron-hole plasma degeneration, which results in a significant enhancement of carrier recombination rate due to onset of stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 240-244
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies