Wszystkie pola: transistors - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Sub-Terahertz Emission from Field-Effect Transistors
Autorzy:: Yavorskiy, D.
Karpierz, K.
Kopyt, P.
Grynberg, M.
Łusakowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1033125.pdf
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: Field-effect transistors
THz emission
Opis:: Several commercially available field-effect GaInAs-based transistors were studied as emitters of electromagnetic radiation. The emitters were tested either at room or at liquid helium temperature. To spectrally analyse emitted radiation, we applied three different experimental techniques: a spectrum analyser with antennas and mixers, a Michelson interferometer and a magnetic-field-tunable InSb detector. We show that the emission consists of a fundamental frequency of 11.5 GHz and its multiple harmonics spanning the emission band up to about 400 GHz. Analysis of the results allows us to suggest that the emission is caused by a Gunn effect and a high harmonics content is related to a pulse-like time dependence of the current.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 335-337
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: A current-source concept for fast and efficient driving of silicon carbide transistors
Autorzy:: Rąbkowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/141047.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: silicon carbide transistors
gate drivers
current-source
switching process
Opis:: The paper discusses the application of the current-source concept in the gate drivers for silicon carbide transistors. There is a common expectation that all SiC devices will be switched very fast in order to reach very low values of switching energies. This may be achieved with the use of suitable gate drivers and one of possibilities is a solution with the current source. The basic idea is to store energy in magnetic field of a small inductor and then release it to generate the current peak of the gate current. The paper describes principles of the current-source driver as well as various aspects of practical implementation. Then, the switching performance of the driven SiC transistors is illustrated by double-pulse test results of the normally-ON and normally-OFF JFETs. Other issues such as problem of the drain-gate capacitance and power consumption are also discussed on the base of experimental results. All presented results show that the currentsource concept is an interesting option to fast and efficient driving of SiC transistors.
Źródło:: Archives of Electrical Engineering; 2013, 62, 2; 333-343
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:: Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The 100 W class A power amplifier for L-band T/R module
Autorzy:: Wojtasiak, W.
Gryglewski, D.
Sędek, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308787.pdf
Data publikacji:: 2002
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: modelling
MESFETs
finite difference time domain method
power transistors
microwave transistors
Opis:: In the paper a balanced high power amplifier with class A silicon bipolar transistors for L-band T/R module is described. The amplifier was designed for maximum power and minimum transmitance distortions. The obtained parameters of the amplifier are as follow: output power at 1 dB compression P(1dB)>49 dBm, linear gain IS21I>10 dB, and transmitance deviations during the RF pulse: phase delta arg(S2)<0.9° and deltaP(out)<0.2 dB.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2002, 1; 11-13
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Acoustic emission of monolithic IGBT transistors
Autorzy:: Bejger, A.
Kozak, M.
Gordon, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/27315861.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: STE GROUP
Opis:: Due to the increasing number of applications of power semiconductor devices, more and more attention is being paid to diagnostic methods to determine the condition of working semiconductor components. On the basis of the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on/off states of a single IGBT transistor in operation and the acoustic signal emitted by it. Acquisition of acoustic emission signals was obtained using a specialized sensor from Vallen. To record the received signal, a high resolution digital oscilloscope was used, which exported the recorded signal to a file, which enabled further digital processing of the acquired signals. The aim of the study was to determine the usefulness of acoustic emission detection methods to determine the possibility of damage to an element based on the recorded acoustic signal.
Źródło:: New Trends in Production Engineering; 2018, 1, 1; 755-760
2545-2843
Pojawia się w:: New Trends in Production Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Physics of THz Field-Effect Transistors
Autorzy:: Łusakowski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1505463.pdf
Data publikacji:: 2011-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Mf
52.75.-d
Opis:: Field-effect transistors are nowadays considered as possible elements of THz detection and emission systems. Their THz performance is governed by excitations of two-dimensional plasma in the transistor channel. The paper discusses peculiarities of the photon-plasmon coupling mechanism in field-effect transistors and puts it in the perspective of classical investigation of plasma excitations in two-dimensional systems.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 114-116
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Reliability of deep submicron MOSFETs
Autorzy:: Balestra, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/307658.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: bulk MOSFETs
SOI devices
deep submicron
transistors
reliability
Opis:: In this work, a review of the reliability of n- and p-channel Si and SOI MOSFETs as a function of gate length and temperature is given. The main hot carrier effects and degradation are compared for bulk and SOI devices in a wide range of gate length, down to deep submicron. The worst case aging, defice lifetime and maximum drain bias that can be applied are addressed. The physical mechanisms and the emergence of new phenomena at the origin of the degradation are studied for advanced MOS transistors. The impact of the substrate bias is also outlined.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 12-17
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:: Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:: gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:: During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: SiGe field effect transistors - performance and applications
Autorzy:: Whall, T.E.
Parker, E.H.C.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/307664.pdf
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: SiGe
FETs
epitaxy
circuits
Opis:: Recent and encouraging developments in Schotky and MOS gated Si/SiGe field effect transistors are surveyed. Circuit applications are now beginning to be investigated. The authors discuss some of this work and consider future prospects for the role of SiGe field effect devices in mobile communications.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 3-11
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Detection and Recording of Acoustic Emission in Discrete IGBT Transistors
Autorzy:: Gordon, R.
Dreas, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2064954.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: STE GROUP
Tematy:: IGBT Modules
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:: The article presents the results of experimental research, which is to show a correlation between the change of operating status of single IGBT transistor and its acoustic emission. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally and determine possibility of the damage to the element based on registered acoustic signal.
Źródło:: Multidisciplinary Aspects of Production Engineering; 2018, 1, 1; 27--31
2545-2827
Pojawia się w:: Multidisciplinary Aspects of Production Engineering
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/309306.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain
Opis:: SiGe-base HBTs with Gaussian doping distribution are modeled including the effect of the drift field and variable Ge concentration in the base on the diffusion coefficient. Two different Ge distributions in the base are considered: a triangular one and a box one.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 15-18
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "transistors" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język