Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "interdigital transducer" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Numerical Investigation of the Propagation Characteristics of Surface Transverse Wave Considering Various Quartz Substrate and Electrode Configurations
Autorzy:
Jiang, Chao
Cao, Xiaoli
Yang, Feng
Liu, Zejun
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31339822.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Tematy:
surface transverse wave
STW
interdigital transducer
IDT
finite element analysis
FEA
quartz
Opis:
Featured with a higher velocity, increased power handling capability, and better aging behavior, surface transverse wave (STW) shows more promising prospects than Rayleigh wave nowadays in various sensing applications. The need to design, optimize, and fabricate the related devices motivates the development of modeling and simulation. For this reason, a three-dimensional (3D) finite element (FE) simulation of STW on quartz, considering the crystal cut angle and the electrode effects, is presented in this study. Firstly, we investigated the effects of quartz’s cut angle on the generated waves. Here, the polarized displacements were analyzed to distinguish the wave modes. Secondly, the investigations of the electrode effects on the polarized displacement, phase velocity, and electromechanical coupling factor (K2) were carried out, for which different material and thickness configurations for the electrodes were considered. Thirdly, to examine the excitation conditions of the generated waves, the admittance responses were inspected. The results showed that not only the crystal cut angle but also the density and the acoustic impedance of the interdigital transducer (IDT) material have a strong influence on the excited waves. This article is the first to analyze STWs considering quartz’s cut angle and electrode effect through a 3D FE model. It could provide a helpful and easy way to design, optimize, and fabricate the related surface acoustic wave devices.
Źródło:
Archives of Acoustics; 2023, 48, 3; 403-412
0137-5075
Pojawia się w:
Archives of Acoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solution of some problems of single-scale wavelet transform processor using a magnetostatic surface wave device
Autorzy:
Lu, W.
Kuang, L.
Lü, X.
Zhu, C.
Zhang, T.
Zhang, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221174.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
wavelet transform processor
magnetostatic surface wave (MSSW)
interdigital transducer
direct coupling
insertion loss
Opis:
In this paper, we investigate the implementation schemes of a single-scale wavelet transform processor using magnetostatic surface wave (MSSW) devices. There are three implementation schemes: the interdigital transducer, the meander line transducer and the grating transducer. Because the interdigital transducer has excellent properties, namely, good frequency characteristic and low insertion loss, we use the interdigital transducer as the implementation scheme of a single-scale wavelet transform processor using MSSW device. In the paper, we also present the solutions to the three key problems: the direct coupling between the input transducer and the output transducer, the insertion loss, and the loss characteristics of the gyromagnetic film having an influence on the wavelet transform processor. There are two methods of reducing the direct coupling between the input transducer and the output transducer: increasing the distance between the input transducer and the output transducer, and placing a metal "wall" between the input transducer and the output transducer. There also are two methods of reducing the insertion loss of a single-scale wavelet transform processor using a MSSW device for scale: the appropriate thickness of the yttrium iron garnet (YIG) film and the uniform magnetic field. The smaller the ferromagnetic resonance linewidth of the gyromagnetic film, the smaller the magnetostatic wave propagation loss.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 4; 685-692
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interdigital transducers for lamb-wave based SHM systems: design and sensitivity analysis
Przetworniki IDT dla systemów monitorowania stanu konstrukcji z zastosowaniem fal lamba: projektowanie i analiza wrażliwości
Autorzy:
Mańka, M.
Rosiek, M.
Martowicz, A.
Uhl, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/368907.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
fale Lamba
systemy monitorowania stanu konstrukcji
przetworniki międzypalczaste
IDT
Lamb waves
System Health Monitoring
transducer
interdigital transducer
Opis:
Structural health monitoring (SHM) systems have been constantly improved in the past decades. Sensors for SHM should be built-in to perform continuous measurements in opposite to non-destructive testing (NDT), in case of which sensors have to be mounted on the structure only during measurements. One of the most promising type of the transducers dedicated for SHM systems is Interdigital Transducer (IDT), which is designed for ultrasonic Lamb wave monitoring. Mode selectivity, high excitation strength, wave directivity, small size and relatively low cost are the most important advantages of the IDT. In the paper a designing process of the IDT is presented. Then, the results of numerical simulations and sensitivity analysis are discussed for exemplary IDT configuration.
Systemy monitorowania stanu konstrukcji (SHM) w ostatnich latach są dynamicznie rozwijane. Przetworniki wykorzystywane w tego typu systemach są na stałe montowane na badanej konstrukcji pozwalając na ciągły pomiar zmian jest stanu. Jednym z przetworników stosowanych w systemach SHM bazujących na powierzchniowych falach ultradźwiękowych są przetworniki międzypalczaste (IDT). Ich głównymi zaletami są małe rozmiary oraz zdolność do generowania wąskopasmowej fali kierunkowej o stosunkowo wysokiej amplitudzie. W artykule przedstawiony został proces projektowania przetworników IDT. Omówiono wyniki przeprowadzonych symulacji oraz procesu analizy wrażliwości dla przedstawionej konstrukcji.
Źródło:
Mechanics and Control; 2011, 30, 2; 79-84
2083-6759
2300-7079
Pojawia się w:
Mechanics and Control
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wykorzystanie zjawiska powierzchniowej fali akustycznej w aplikacjach systemów mikroprzepływowych – przegląd rozwiązań
Applications of microfluidic system based on surface acoustic wave phenomenon – overeview
Autorzy:
Nowek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192274.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
akustyczna fala powierzchniowa
przetwornik międzypalczasty
akustoforeza
mikroprzepływy
lab-on-a-chip
surface acoustic wave
interdigital transducer
acoustophoresis
micro flow cytometer
lab-on-chip
Opis:
W artykule dokonano przeglądu najbardziej interesujących rozwiązań z zakresu systemów mikroprzepływowychwykorzystujących zjawisko akustycznych fal powierzchniowych (AFP). Przemieszczanie obiektów o skali wielkości porównywalnej z rozmiarami komórek, oddzielenie ich z próbek o złożonym składzie oraz kontrola ich położenia w obszarze mikrosystemu są ważnym elementem metodyki badawczej w zakresie biomedycznych badań podstawowych. Jest to obecnie bardzo dynamicznie rozwijająca się dziedzina, która jest szczególnie cenna w aspekcie aplikacji w systemach Lab on Chip, gdzie możliwość nieinwazyjnego manipulowania obiektem badań jest szczególnie pożądana. Zastosowania, które są obecnie przedmiotem badań obejmują zagadnienia z zakresu segregowania cząstek z zawiesiny w cieczy, ich oddzielania oraz manipulowania pojedynczymi cząstkami w obszarze mikrokanału.
In this paper the most interesting solutions in the field of microfluidic systems using surface acoustic waves (SAW) are reviewed. Moving objects, of a size scale comparable to the size of cells, their separation from the samples having a complex composition and control of their position in the area of a microchannel, constitute an important element of the methodology of biomedical basic research. Nowadays it has become a rapidly growing branch of science, which is particularly attractive in terms of its applicability to Lab on Chip systems, in the case of which the non-invasive manipulation of the studied object is a key issue. The applications that are currently examined include problems related to the separation of particles from a suspension in a liquid and the manipulation of individual particles in the area of a microchannel.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 27-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis
Akustyczne mody płytowe w płytkach z kryształu GaN wyciętych prostopadle do osi krystalograficznej Z
Autorzy:
Sadura, J.
Brzozowski, E.
Łysakowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192012.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
bulk GaN crystal
surface acoustic wave (SAW)
bulk acoustic wave (BAW)
acoustic plate mode (APM)
interdigital transducer (IDT)
SAW filter
objętościowy kryształ GaN
akustyczna fala powierzchniow (AFP)
akustyczna fala objętościowa (AFO)
akustyczny mod płytowy (AMP)
przetwornik międzypalczasty (PM)
filtr z AFP
Opis:
The chosen parameters acoustic plate modes (APMs) in GaN crystal plates were calculated and measured. It was found that the spectrum of APMs consists of two areas. In the first area, just above the surface acoustic wave (SAW) passband, the insertion loss of APMs is much higher than in the SAW passband. In the second area, the insertion loss of APMs is decreased, reaching a minimum value at a frequency about two times higher than the resonance frequency of SAW. Because the energy of the longitudinal component of mechanical displacement in this mode is concentrated near both planes of the GaN plate, it can be used in APM sensors.
Obliczono i zmierzono wybrane parametry akustycznych modów płytowych (AMP) w płytkach z kryształu GaN. Stwierdzono, że spektrum AMP składa się z dwóch obszarów. W pierwszym obszarze, tuż powyżej pasma akustycznej fali powierzchniowej (AFP) tłumienność wtrąceniowa jest dużo wyższa w porównaniu do tłumienności w paśmie AFP. W drugim obszarze tłumienność wtrąceniowa AMP maleje osiągając wartość minimalną przy częstotliwości około dwa razy większej niż częstotliwość AFP. Ponieważ energia podłużnej składowej przemieszczeń mechanicznych tego modu jest skoncentrowana w pobliżu obydwu powierzchni płytki GaN, może być on wykorzystany w czujnikach z AMP.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 3, 3; 4-6
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies