Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "disconnector switch" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Multi-spark modeling of very fast transient overvoltages for the purposes of developing HV and UHV gas-insulated switchgear and of conducting insulation co-ordination studies
Autorzy:
Szewczyk, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/200835.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
very fast transient overvoltages
VFTO
gas insulated switchgear
GIS
disconnector switch
DS
modeling
simulations
transients
switching
mitigation
breakdown voltage
BDV
odłącznik
modelowanie
symulacje
transjenty
przełączanie
łagodzenie
rozdzielnice izolowane gazem
Opis:
Very fast transient overvoltages (VFTO) originate from steep voltage breakdowns in SF6 gas that are inherent to operation of any switching device of the gas-insulated switchgear (GIS) type. For power stations with voltage ratings exceeding 500 kV, the ratio between equipment rated- and withstand-voltage levels becomes relatively low, which causes the VFTO peak values to reach the component’s insulation withstand-voltage levels, thus becoming a design factor for high- and ultra-high voltage GIS. While well-established approach to VFTO analyses involves only single VFTO events (the so-called single-spark approach), there is often the need to analyze the entire VFTO generation process, for which the multi-spark approach to VFTO modeling is to be employed. The multi-spark approach allows one to evaluate the VFTO impact on the GIS disconnector design along with the impact of the VFTO on selection and dimensioning of the VFTO damping solutions. As the multi-spark approach to VFTO modeling is now being increasingly used in UHV GIS developments as well as for the insulation co-ordination studies of power stations, the present paper is motivated by the need to report on the VFTO multi-spark modeling approach and to lay a common ground for development works that are supported extensively with VFTO simulations. The paper presents physical assumptions and modeling concepts that are in use in such modeling works. Development of the multi-spark GIS disconnector model for VFTO simulations is presented, followed by an overview of examples of the model application for the GIS development works and for insulation co-ordination studies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2017, 65, 6; 871-882
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dynamic resistance measurements of MV switch-disconnector contacts
Pomiary dynamicznej rezystancji przejścia dla rozłącznika średniego napięcia
Autorzy:
Banaszczyk, J.
Oramus, P.
Domurad, Z.
Piekarski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/266937.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
contact resistance
diagnostics methods
MV apparatus
resistance measurements
switch-disconnector
aparat elektryczny
metody diagnostyczne
pomiary rezystancji
rezystancja styku
rozłącznik
Opis:
Dynamic Resistance Measurement (DRM) is an effective technique for diagnosing the condition of high power switch contacts. Moreover, the technique can be used to predict the allowable number of switching operations that can be carried out before maintenance of the apparatus is necessary. Since coating materials are characterized by different mechanical and electrical properties, the DRM method can help predict the performance and improve the design of existing high power switches. In this paper both static and dynamic contact resistance measurements for new and worn contact sets of a standard MV switch-disconnector are presented. The contact resistance was measured both in function of the DC injected current magnitude, as well as the number of executed switching operations. The measurements were performed by means of the 4-wire method, and a high speed acquisition digital oscilloscope was used to register the DRM curves.
Pomiar dynamicznej rezystancji styków jest skuteczną metodą diagnostyki stanu aparatu zestykowego. Metoda ta może być wykorzystana do przewidywania możliwej liczby operacji łączeniowych, które mogą być przeprowadzone przed wymaganym przeglądem technicznym urządzenia. Z uwagi na fakt, iż różne materiały stykowe charakteryzują się zróżnicowanymi parametrami mechanicznymi i elektrycznymi, metoda pomiarowa zaprezentowana w artykule może zostać użyta do poprawy istniejących konstrukcji łączników elektroenergetycznych. Niniejszy artykuł przedstawia wyniki pomiarów statycznej oraz dynamicznej rezystancji styku przeprowadzonych dla rozłącznika średniego napięcia. Rezystancję styku zmierzono w funkcji prądu przepływającego przez badany zestyk oraz w funkcji liczby przeprowadzonych operacji łączeniowych, odpowiednio dla nowego i eksploatowanego układu stykowego. Pomiary wykonano przy użyciu czteroprzewodowej metody, z wykorzystaniem cyfrowego oscyloskopu zapewniającego wysoką częstotliwość próbkowania.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2015, 46; 17-20
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies