Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Chroneos, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Excess Conductivity of Y$\text{}_{0.95}$Pr$\text{}_{0.05}$Ba$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{7-x}$ Single Crystals
Autorzy:
Vovk, R. V.
Obolenskii, M. A.
Bondarenko, A. V.
Goulatis, I. L.
Chroneos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047236.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Eh
72.10.-d
74.40.+k
74.72.-h
Opis:
In this work we investigate the conductivity in the basis plane of YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{7-x}$ and Y$\text{}_{1-z}$Pr$\text{}_{z}$Ba$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{7-x}$ single crystals with a system of one-direction twin boundaries. The Pr dopants behave as efficient scattering centers of normal and fluctuating carriers. For this a slight doping with praseodymium (till z≈0.05) results in a significant narrowing of the temperature interval in which the pseudo-gap regime is realized in the ab-plane of YBaCuO single crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 129-133
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vacancy-Fluorine Clusters in Silicon
Autorzy:
Chroneos, A.
Vovk, R.
Goulatis, I.
Nazyrov, Z.
Pinto Simoes, V.
Januszczyk, M.
Latosińska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504564.pdf
Data publikacji:
2011-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
31.15.es
61.72.jd
61.72.uf
61.72.Yx
Opis:
Fluorine (F) doping and the formation of F-vacancy $(F_{n}V_{m})$ clusters have been extensively studied in silicon (Si) as they can suppress the transient self-interstitial mediated diffusion of boron (B). Recent experimental studies by Bernardi et al. revealed that there is no significant concentration of $F_{n}V_{m}$ clusters (for n ≥ 4, m ≥ 1) in disagreement with a number of density functional theory studies. In the present study we use electronic structure calculations to evaluate the binding energies of $F_{n}V_{m}$ clusters and $V_{n}$ clusters. The significant binding energies of the $V_{n}$ clusters reveals that the concentration of the large $F_{n}V_{m}$ clusters (n ≥4, m ≥1) will be limited compared to the $V_{n}$ clusters or even smaller clusters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 6; 774-777
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Scattering Processes of Normal and Fluctuating Carriers in ReBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{7-δ}$ (Re = Y, Ho) Single Crystals with Unidirectional Twin Boundaries
Autorzy:
Vovk, R. V.
Obolenskii, M. A.
Bondarenko, A. V.
Goulatis, I. I.
Levy, M. R.
Chroneos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047234.pdf
Data publikacji:
2007-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Eh
72.10.-d
74.40.+k
74.72.-h
Opis:
The effect of twin boundaries on the normal and fluctuating conductivity of ReBaCuO (Re = Y, Ho) single crystals was investigated. The results indicate that the Lawrence-Doniach theoretical model describes adequately the temperature dependence of the excess conductivity. The twin boundaries are efficient scattering centers for normal and fluctuating carriers. The derived values of the coherence length perpendicular to the ab-planeξ$\text{}_{c}$(0) are in good agreement with those obtained from magnetic measurements for stoichiometric YBaCuO crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 111, 1; 123-128
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies