Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
    Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
    Autorzy:
    Bisewski, D.
    Zarębski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor MOS
    parametry termiczne
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
    The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Komputerowo wspomagane stanowisko do badania tranzystorów stosowanych w motoryzacji
    A computer-assisted stand for testing transistors used in the automotive industry
    Autorzy:
    Wołczyński, Z.
    Stępniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/310390.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    tranzystor
    rodzaje tranzystorów
    funkcje tranzystorów
    tranzystor w motoryzacji
    transistor
    transistor types
    transistor functions
    transistor in automotive industry
    Opis:
    W artykule omówiony został tranzystor jako element elektroniczny coraz częściej wykorzystywany w motoryzacji. Zaprezentowano rodzaje, typy oraz sposoby doboru i diagnozowania tranzystorów w ujęciu dla zastosowań motoryzacyjnych. Wskazano najważniejsze cechy tranzystora w zastosowaniach motoryzacyjnych. Pokazano sposoby pomiaru najistotniejszych parametrów tranzystora dla zastosowań motoryzacyjnych, w tym wykorzystanie komputerowej techniki pomiarowej w szybkim uzyskaniu istotnych charakterystyk tranzystora.
    The article discusses the transistor as an electronic element increasingly used in the automotive industry. The types, types and ways of selecting and diagnosing transistors in terms of automotive applications are presented. The most important features of the transistor in automotive applications are indicated. Methods of measuring the most important transistor parameters for automotive applications, including the use of computer measuring technology in quickly obtaining significant transistor characteristics are shown.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2018, 19, 12; 729-733
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza i diagnostyka uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
    Analysis and diagnosis of IGBT faults in AC/DC line side converter
    Autorzy:
    Sobański, P.
    Orłowska-Kowalska, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1813979.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    przekształtnik sieciowy AC/DC
    metody bezczujnikowe
    tranzystor IGBT
    diagnostyka uszkodzeń
    Opis:
    In this paper a single IGBT open-circuit fault symptoms analysis in the voltage-oriented-control AC/DC converter was carried out. The aim of the present contribution was to confirm an effectiveness of the well-known diagnosis methods for open-switch faults in two level voltage inverter in case of the reversible AC/DC line side converter. Presented results have a comparative character and they were achieved by utilizing simulation model of the AC/DC converter control structure based on voltage sensor or sensor less control concept.
    Źródło:
    Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 70--81
    1733-0718
    Pojawia się w:
    Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Eksperymentalne badania zjawiska emisji akustycznej w monolitycznych tranzystorach
    Experimental investigations of monolithic IGBT transistor acoustic emission phenomena
    Autorzy:
    Kozak, Maciej
    Gordon, Radosław
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/376769.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
    Tematy:
    tranzystor IGBT
    moduł IGBT
    emisja akustyczna
    IGBT Modules
    IGBT Transistor
    Acoustic Emission
    Opis:
    Przedmiotem wielu badań prowadzonych w energoelektronice są metody diagnostyczne określające stan sprawność pracujących elementów półprzewodnikowych. Jak każdy materiał stały półprzewodniki wytwarzają fale sprężyste w przypadku zmiany stanu z przewodzenia na blokowanie i odwrotnie. Na podstawie obserwacji można zaobserwować korelację pomiędzy przełączeniami pojedynczego tranzystora IGBT a emisją sygnału akustycznego. Zapisu emisji akustycznej dokonano za pomocą szerokopasmowego czujnika EA. Sygnał został przetworzony za pomocą karty wejściowej AD ze wzmacniaczem i zarejestrowany na komputerze PC. Zebrane dane zostały wyeksportowane do pliku, co umożliwiło dalsze przetwarzanie otrzymanych danych. Celem badania było określenie tła sygnału emisji akustycznej pochodzącej od sprawnego, przełączającego tranzystora IGBT i przygotowanie wzoru odpowiedzi w dziedzinie częstotliwości. Wyniki analizy zostaną wykorzystane jako punkt odniesienia dla dalszych badań wczesnych stadiów uszkodzenia pracujących elementów półprzewodnikowych
    The diagnostic methods leading to determine the condition of working semiconductor components (power transistors etc.) are on the focus of many recent researches. As any solid material the semiconductors are generating elastic waves in the case of changing conductivity state. Based on the results of experimental research, a correlation can be observed between the transition between the on and off states of a single IGBT transistor and the emitted acoustic signal. Acquisition of acoustic emission signals was obtained by using a wide band acoustic emission sensor. The received signal initially was prepared by AD input card with amplifier and were recorded by computer software. Acquired data were exported the to a file, which enabled further processing of the measured signals. The aim of the study was to determine the acoustic emission background signal coming from switching IGBT transistor and preparation of frequency response pattern. The results of analysis will be used as a reference point for a further investigation of earlystage faults of semiconductors elements.
    Źródło:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 19-28
    1897-0737
    Pojawia się w:
    Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nowoczesne przetwornice trakcyjne
    Power electronic for tramways from MEDCOM
    Autorzy:
    Baranecki, A.
    Niewiadomski, M.
    Płatek, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253813.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    MEDCOM
    przetwornica PSM-16
    przetwornica trakcyjna
    sieć trakcyjna
    tranzystor IGBT
    urządzenie zasilające
    Opis:
    Statyczne przetwornice trakcyjne, umożliwiające zasilanie urządzeń w wagonach lub lokomotywach energią z sieci trakcyjnej, stały się już codzienną rzeczywistością. Pierwsza krajowa przetwornica z tranzystorami IGBT oraz magnetykami amorficznymi powstała w firmie MEDCOM w 1995 r. Przetwornica PSM-16, ze swoją masą 160 kg, była wielokrotnie lżejsza od elektromaszynowej poprzedniczki i była pierwszą tego typu przetwornicą oferowaną na polskim rynku.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2003, 10, 9; 57-59
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ewolucja konstrukcji elektrycznych pojazdów trakcyjnych na przykładzie lokomotyw Škody
    Autorzy:
    Graff, Marek
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2203237.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Instytut Kolejnictwa
    Tematy:
    lokomotywy
    Skoda
    rozruch silnika elektrycznego
    tyrystor
    tranzystor
    GTO
    IGBT
    CD
    ZSR
    CSD
    Opis:
    W artykule opisano ewolucję lokomotyw elektrycznych Škody, począwszy od pojazdów zasilanych napięciem 3 kV DC oraz 25 kV 50 Hz, wyposażonych w rozruch początkowo rezystorowy (dla zasilania DC), ewentualnie wysokonapięciową regulację napięcia (dla zasilania AC), a następnie w rozruch impulsowy (tyrystorowy). Sieć kolejowa ówczesnej Czechosłowacji początkowo była zelektryfikowana napięciem stałym (m.in. węzeł Pragi), jednak poznanie zalet napięcia 25 kV 50 Hz, opracowanego w Niemczech spowodowało, iż część nowych odcinków sieci ČSD zelektryfikowano prądem przemiennym. Równocześnie, krajowy producent Škoda opracował pojazdy (lokomotywy, ezt) przystosowane do eksploatacji pod napięciem stałym i przemiennym, choć początkowo były to pojazdy jednosystemowe, ponieważ opracowanie pojazdów wielosystemowych było wówczas skomplikowane technicznie (praktykowano jedynie wytwarzanie ich krótkich serii). Pojawienie się impulsowego rozruchu silników trakcyjnych nie tylko zapewniło bardziej ekonomiczne czy prostsze ich sterowanie, ale także pozwoliło na uproszczenie budowy pojazdów wielosystemowych. W artykule omówiono specyfikę obu systemów rozruchu silników oraz ewolucję budowy pojazdów na napięcie stałe i przemienne oraz ich eksploatację.
    Źródło:
    Problemy Kolejnictwa; 2022, 197; 23--52
    0552-2145
    2544-9451
    Pojawia się w:
    Problemy Kolejnictwa
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
    Low Loss Power MOSFET Driver
    Autorzy:
    Legutko, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/155591.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    drajwer
    straty mocy
    czasy przełączeń
    tranzystor MOSFET
    driver
    analysis
    power losses
    MOSFET transistor
    Opis:
    W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.
    This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 3, 3; 188-191
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
    Autorzy:
    Kral, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/320345.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    ultraszerokopasmowy
    linia transmisyjna
    rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    tranzystor polowy
    tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
    HEMT
    wzmocnienie mocy
    ultrabroadband
    transmission line
    cascaded single stage distributed amplifier
    high electron mobility transistor
    power gain
    Opis:
    W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
    Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
    Źródło:
    Elektrotechnika i Elektronika; 2006, 25, 2; 106-112
    1640-7202
    Pojawia się w:
    Elektrotechnika i Elektronika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wielopoziomowy układ czopera wysokiego napięcia ze sterowaniem DSP
    Multi-level high voltage chopper with DSP controller
    Autorzy:
    Cichomski, P.
    Niewiadomski, M.
    Płatek, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/250776.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    czoper
    firma MEDCOM Sp. z o.o.
    napięcie
    silniki trakcyjne
    tranzystor
    układ napędowy
    układ sterowania
    Opis:
    Napędy DC ze stałoprądowymi przerywaczami prądu (czoperami), wykorzystującymi tranzystory IGBT, charakteryzują się obecnie parametrami techniczno-ekonomicznymi, pozwalającymi na stosowanie ich w napędach trakcyjnych zamiast dotychczasowych układów rozruchu oporowego.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2001, 8, 10; 36-39
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
    Single-phase inverter with active power decoupling
    Autorzy:
    Czyż, P.
    Cichowski, A.
    Śleszyński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
    Tematy:
    falownik jednofazowy
    odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
    sterowanie przekształtnikiem
    tranzystor z węglika krzemu
    SiC
    single-phase inverter
    decoupling of the alternating component of the instantaneous power
    converter control
    silicon carbide transistors
    Opis:
    Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
    In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
    1425-5766
    2353-1290
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies