Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "silicon solar cell" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Kontakty elektryczne krystalicznych krzemowych ogniw fotowoltaicznych
    Metal Contacts of Crystalline Silicon Solar Cells
    Autorzy:
    Drabczyk, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159665.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    ogniwa słoneczne
    kontakty elektryczne
    sitodruk
    silicon solar cell
    metallization
    screen printing
    Opis:
    W niniejszym artykule przedstawiono informacje na temat stosowanych obecnie technik wykonywania metalicznych kontaktów elektrycznych dla krzemowych ogniw fotowoltaicznych. Obecnie istnieje wiele koncepcji wytwarzania ogniw fotowoltaicznych, a tym samym wiele rodzajów kontaktów metalicznych, pozwalających na przepływ prądu z ogniwa do zewnętrznego obwodu elektrycznego, w którym ono pracuje. Najbardziej popularnym i wciąż najczęściej produkowanym rodzajem ogniwa jest ogniwo na bazie krzemu krystalicznego. Dlatego też w artykule położono nacisk na grubowarstwowe technologie wykonywania przednich elektrod metalicznych. Przedstawiono kontakty wykonane techniką sitodruku, będące przedmiotem badań prowadzonych w Laboratorium Fotowoltaicznym IMiM PAN.
    This paper presents selected techniques for the front side metallization of crystalline silicon solar cells. In industrial production the most commonly applied type of solar cells is crystalline silicon solar cell. Therefore, in the article main directions of research of thick-film metallization technology like: screen printing techniques, aerosol jetting and laser chemical metal deposition are presented. The presented printing experiments have been carried out on the semi automated pilot line at the Photovoltaic Laboratory of Institute of Metallurgy and Materials Science of Polish Academy of Sciences.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 41-49
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ rozkładu widma promieniowania słonecznego na parametry multikrystalicznego ogniwa krzemowego
    An effect of solar spectrum distribution on the performance of crystalline silicon pv modules
    Autorzy:
    Rodziewicz, T.
    Zaremba, A.
    Wacławek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/125764.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Towarzystwo Chemii i Inżynierii Ekologicznej
    Tematy:
    promieniowanie słoneczne
    widmo promieniowania
    przerwa energetyczna
    ogniwo krzemowe
    solar radiation
    solar spectrum
    semiconductor band gap
    silicon solar cell
    Opis:
    W artykule opisano wyniki uzyskane z opracowanej aplikacji integrującej model rozkładu widma promieniowania słonecznego oraz model krzemowego monokrystalicznego ogniwa fotowoltaicznego. W ramach badań opracowano program - symulator widma promieniowania słonecznego wykorzystujący algorytmy i procedury numeryczne oparte na modelu SMARTS2. Ponadto, przygotowano aplikację pozwalającą na przeprowadzenie modelowania komputerowego zachowania się ogniw i analizę zmienności ich parametrów przy zastosowaniu różnych rozkładów spektralnych oświetlenia oraz różnych parametrów materiałowo-konstrukcyjnych ogniw PV. Z wykorzystaniem niniejszej aplikacji przeprowadzono szereg symulacji. Dokonano analizy zależności parametrów konstrukcyjnych ogniw od widma promieniowania słonecznego oraz porównania ich z wartościami zmierzonymi.
    In the paper an effect of solar spectrum on the performance of crystalline silicon solar cell efficiency is demonstrated. In a study, was developed the application - a simulator of the spectrum of solar radiation using algorithms and numerical procedures based on the SMARTS2 model. In addition, was prepared an application that enables the to carry out computer modelling of cells behaviour and analysis of the variability of their parameters using different spectral distributions of solar radiation and various material and structural parameters of PV cells. By using this application, a number of simulations were made. An analysis of design parameters of cells depending on spectrum of solar radiation and comparison those with the measured values were made.
    Źródło:
    Proceedings of ECOpole; 2014, 8, 2; 571-577
    1898-617X
    2084-4557
    Pojawia się w:
    Proceedings of ECOpole
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies